賓夕法尼亞,、MALVERN — 2016 年 3 月9 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）公布了2016年的“Super 12”特色產(chǎn)品,。每年，Vishay都會挑出12款半導(dǎo)體器件和無源元件,，這些器件采用新的和改進(jìn)后的技術(shù),，能夠顯著提高終端產(chǎn)品和系統(tǒng)性能。Vishay的Super 12明星精選產(chǎn)品代表了公司在半導(dǎo)體和無源器件領(lǐng)域的領(lǐng)先水平,，讓人能夠從中管窺Vishay寬泛的產(chǎn)品組合,。

　　2016年的Super 12明星精選產(chǎn)品如下：

　　Vishay T58系列vPolyTan?固鉭表面貼裝片式電容器—T58系列采用聚合物鉭技術(shù)和Vishay的高效MicroTan?封裝，實現(xiàn)了業(yè)內(nèi)最好的容量-電壓等級,，有6個模塑外形—包括小尺寸M0(1608-10)外形的47μF-6.3V產(chǎn)品,，BB(3528-20)尺寸的220μF-10V和330μF-6.3V產(chǎn)品—具有更高的容積效率，可用于手持式消費電子產(chǎn)品。

　　Vishay Semiconductors VEML6075 UVA和UVB光傳感器—VEML6075采用小尺寸2.0mm x 1.25mm x 1.0mm封裝,，在可穿戴設(shè)備,、智能手機(jī)和粒子探測器中能節(jié)省空間，是業(yè)內(nèi)首顆帶獨立通道輸出,，可測量真實UV指數(shù)的UVA和UVB光傳感器,。

　　Vishay BCcomponents 220 ELDC ENYCAP?系列雙層儲能電容器—220 ELDC ENYCAP系列器件可用于能量采集、備用電源和UPS電源應(yīng)用,，功率密度高達(dá)0.041Wh,，在2.7V下的電容值從15F到40F，使用小型16mm x 20mm 至18mm x 31mm封裝,。

　　Vishay General Semiconductor TPC11CA～TPC36CA表面貼裝PAR?瞬態(tài)電壓抑制器(TVS)—這些器件通過AEC-Q101認(rèn)證,，是業(yè)內(nèi)首批峰值功率耗散達(dá)到1500W的雙向TVS，使用高度1.1mm的小尺寸SMPC(TO-277A)封裝,。器件的工作結(jié)溫達(dá)到+175℃,，滿足汽車、工業(yè)和通信應(yīng)用對高可靠性的要求,。

　　Vishay Dale Thin Film PCAN系列高功率薄膜片式電阻—PCAN電阻是在氮化鋁襯底上制造的，額定功率達(dá)到6W,，阻值從2Ω到30kΩ,，外形尺寸為1206和2512。電阻適合用在工業(yè),、國防和醫(yī)療應(yīng)用中的緩沖電路和載荷,、柵極負(fù)載和放大器端接電阻。

　　Vishay Siliconix SUM70040E/SUP70040E 100V N溝道MOSFET—ThunderFET?功率MOSFET的最大導(dǎo)通電阻為4mΩ,，比前一代器件的每平方毫米的導(dǎo)通電阻低60%,，在從太陽能微逆變器到電動汽車充電站的各種應(yīng)用中能大大降低功率損耗，提高效率,。

　　Vishay Sfernice PLA51中功率平面變壓器—PLA51平面變壓器的功率從1kW到3kW,，尺寸為70mm x 53mm x 22mm，提供超過99%的高效率,，典型應(yīng)用為DC/DC功率轉(zhuǎn)換器,、電動汽車的車載充電器、電源控制冷卻單元和太陽能逆變器,。

　　Vishay Siliconix SiC530 VRPower?集成式DrMOS功率級—SiC530將驅(qū)動,、高邊及低邊MOSFET組合在3.5mm x 4.5mm的PowerPAK?封裝里，占位面積比分立式方案小45%,，但卻具有連續(xù)電流達(dá)30A,，峰值電流40A的高功率密度。

　　Vishay Draloric TNPV系列高壓薄膜片式電阻—TNPV薄膜片式電阻是業(yè)內(nèi)首個工作電壓達(dá)到1000V的此類器件，能替代更大的電阻和近似外形尺寸的多顆器件,，來節(jié)省電路板空間,，降低成本。這些電阻具有低電壓系數(shù),、嚴(yán)格的公差和低溫度系數(shù),，可用于精確電壓測量。

　　Vishay Siliconix SiHH26N60E/600V E系列功率MOSFET—600V MOSFET采用小尺寸PowerPAK 8 x 8封裝,，比TO-263(D2PAK)封裝的器件小57%,，高度只有其1/5。另外,，MOSFET的Kelvin源連接通過減少柵極接地回路,，提高了性能。

　　Vishay Dale IHLD系列超薄,、大電流雙片電感器—IHLD系列器件在汽車和商用D類放大器中能節(jié)省空間,，兩個IHLP?型電感器垂直地放在3232或4032封裝內(nèi)。器件具有軟飽和特性,，兩個相鄰電感器之間實現(xiàn)低耦合,，失真少，可輸出高質(zhì)量的音頻,。

　　Vishay General Semiconductor V35PWxxx/V40PWxxx TMBS?整流器—整流器的電流密度達(dá)到40A,，采用高度1.3mm的表面貼裝SlimDPAK封裝。V35PWxxx / V40PWxxx比DPAK封裝薄57%,，散熱面積多14%,，熱性能更好。