安謀(ARM)與臺積電共同宣布一項為期多年的協(xié)議，針對7納米FinFET制程技術進行合作，包括支持未來低功耗,、高效能運算系統(tǒng)單芯片(SoC)的設計解決方案。 這項協(xié)議延續(xù)先前采用ARM Artisan 基礎實體IP之16納米與10納米FinFET的合作,。
事實上,，以臺積電目前先進制程之生產(chǎn)時程來看，屬于同一世代的10納米,、7納米進度已經(jīng)追上,，甚至超越競爭對手英特爾(Intel)。
臺積電先進制程10納米,、7納米,、5納米等部分，所有制程皆on schedule10納米制程2016第1季完成產(chǎn)品認證,，而10納米/7納米應用非常廣泛，如手機,、高階networking,、Gaming、wearable等,，具有快速的傳輸效率及低耗電量,，而7納米預計2018年第1季開始量產(chǎn)。
據(jù)了解,，英特爾估計在2018年確定10納米量產(chǎn),，7納米估計要到2019年，而三星電子(Samsung Electronics)目前10納米進度較不確定,，臺積電在10/7納米世代已經(jīng)展現(xiàn)雄心,，并且展開多方客戶布局。
部分相關下游業(yè)者表示,，未必會使用10納米產(chǎn)品,，如20納米為16納米制程之過渡期產(chǎn)品，反而7納米才是下一世代鎖定的主力目標,，而此次臺積電與ARM的長期合約訂立,，也確立7納米未來將成為國際大廠的主戰(zhàn)場。
據(jù)臺積電于先前公開法人說明會之說法,，7納米制程可在2018年第1季提供,，而依照臺積電之計劃，5納米將會在7納米制程的2年后推出,，約在2020年上半可見端倪,。
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