中芯國際（SMIC）已經(jīng)是國內(nèi)最大、最先進(jìn)的晶圓代工廠,，除了處理器之外他們也在積極謀劃存儲類芯片業(yè)務(wù),。2014年9月份他們推出了自己開發(fā)的38nm NAND閃存芯片，日前中芯國際又跟Crossbar公司達(dá)成了戰(zhàn)略合作協(xié)議,，將使用40nm工藝為后者代工PRAM阻變式存儲器芯片,，意味著中芯國際已經(jīng)進(jìn)入了下一代內(nèi)存產(chǎn)業(yè)。

　　PRAM阻變式存儲器也被稱為相變內(nèi)存,，PRAM使用一種或者多種含硫化物玻璃制成,，其特點(diǎn)就是受熱之后可以改變形狀，成為晶體或者非晶體,，而不同狀態(tài)具有不同電阻值,，因此可以用來儲存數(shù)據(jù)。

　　與普通的DRAM相比,，PRAM內(nèi)存不僅寫入速度快30倍,，壽命延長10倍，而且PRAM內(nèi)存在斷電時不會丟失數(shù)據(jù),，所以它不僅可以替代內(nèi)存,，也可以替代閃存。目前Intel,、三星等公司都在積極投身PRAM內(nèi)存研發(fā),。

　　中芯國際合作的伙伴Crossbar是全球PRAM內(nèi)存產(chǎn)業(yè)中的領(lǐng)導(dǎo)者之一,，中芯國際將使用40nm CMOS工藝為其代工PRAM產(chǎn)品，將幫助客戶將低延時,、高性能和低功耗嵌入式RRAM存儲器組件整合入MCU及SoC等器件,，以應(yīng)對物聯(lián)網(wǎng)、可穿戴設(shè)備,、平板電腦,、消費(fèi)電子、工業(yè)及汽車電子市場需求,。