中國北京—2016年3月22日訊—阻變式存儲器（RRAM）技術(shù)的領(lǐng)導者Crossbar公司今日宣布正式進軍中國市場，并在上海設立新的辦事處,。

　　Crossbar公司首席執(zhí)行官George Minassian博士表示：“中國是電子行業(yè)發(fā)展最快的市場,，亦是絕大多數(shù)產(chǎn)品的制造基地,。憑借我們在中國深厚的風投實力和資源,、新成立的本地辦事處以及行業(yè)領(lǐng)先的技術(shù),，我們相信將在中國消費電子,、企業(yè),、移動,、工業(yè)和物聯(lián)網(wǎng)等市場掀起新一輪電子創(chuàng)新浪潮。此外,，我們近期與中芯國際已達成合作,，將我們的嵌入式技術(shù)用于中芯國際40nm甚至更高工藝，有望使新的應用開發(fā)受益,?！?/p>

　　通過集成更大的片上非易失性阻變式存儲器（RRAM）到智能卡、機頂盒,、IP相機和監(jiān)視器等一系列應用,，Crossbar的客戶現(xiàn)正設計并推出低功耗、高安全性的解決方案,。

　　Minassian博士還表示：“物聯(lián)網(wǎng)和可穿戴設備市場需要節(jié)能,、安全和低成本的微控制器。Crossbar RRAM技術(shù)能提供片上編程和數(shù)據(jù)存儲的嵌入式內(nèi)存模塊,，也可單獨作為EEPROM內(nèi)存,，將是滿足這些需求的理想解決方案?！?/p>

　　Crossbar技術(shù)首先由中國出生的盧偉（Dr. Wei D. Lu）博士研發(fā),，他也是Crossbar的首席科學家和聯(lián)合創(chuàng)始人。盧博士擁有中國清華大學物理學士學位,，以及德克薩斯州萊斯大學物理學博士學位,。盧博士在RRAM領(lǐng)域積累了十二年的研究經(jīng)驗，他先作為哈佛大學的博士后研究員,，然后被任命為密歇根大學教授從事這項研究,。他是納米結(jié)構(gòu)和設備行業(yè)的領(lǐng)先專家，包括基于雙端電阻開關(guān)設備的高密度內(nèi)存和邏輯系統(tǒng),、神經(jīng)元電路,、半導體納米線設備和低維系統(tǒng)中的電子輸運。

　　Crossbar  RRAM技術(shù)被廣泛視為極有可能取代當前非易失性內(nèi)存技術(shù)的有力競爭者,，從而贏得這一價值600億美元的全球市場,。Crossbar技術(shù)可在一個200平方毫米的芯片上存儲數(shù)個TB的數(shù)據(jù)，能夠?qū)⒑Ａ啃畔?，例?50小時的高清電影,，存儲在比郵票還小的集成電路上,，并進行回放。憑借簡單的三層結(jié)構(gòu),，堆疊性和CMOS兼容性,，Crossbar能在最新的技術(shù)節(jié)點下將邏輯和存儲集成到單芯片上，實現(xiàn)傳統(tǒng)或其他非易失性內(nèi)存技術(shù)無可比擬的存儲容量,。Crossbar擁有大容量和快速的優(yōu)勢,，并將成為下一代企業(yè)和數(shù)據(jù)中心存儲系統(tǒng)的理想選擇。