現(xiàn)在大部分智能手機(jī),、平板電腦,、固態(tài)硬盤(pán)都采用NAND Flash作為存儲(chǔ)部件,，NAND和以前存儲(chǔ)技術(shù)相比有許多優(yōu)點(diǎn),，存儲(chǔ)讀取速度快,、體積小,。不過(guò)隨著NAND部件存儲(chǔ)容量加大,，其設(shè)計(jì)復(fù)雜度和存儲(chǔ)控制難度等都在加大,。一些新型的存儲(chǔ)技術(shù)自然逐漸出現(xiàn),，對(duì)NAND提出了挑戰(zhàn)。阻變式存儲(chǔ)器（RRAM）就是其中之一,，Crossbar公司是RRAM技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者,。
RRAM具有許多新的特性，比如：在單芯片上實(shí)現(xiàn)太字節(jié)（terabyte）存儲(chǔ),，比DRAM高40倍的密度,，并具備更高的性能和可靠性；更快的讀取速度,；比NAND快1,000倍的寫(xiě)入速度,；比NAND高1,000倍的耐久性；支持高溫環(huán)境,，可用于數(shù)據(jù)中心和移動(dòng)設(shè)備,。
Crossbar戰(zhàn)略營(yíng)銷(xiāo)和業(yè)務(wù)發(fā)展副總裁Sylvain Dubois（左一）
Crossbar首席科學(xué)家暨聯(lián)合創(chuàng)始人盧偉教授（左二）
Crossbar首席執(zhí)行官暨聯(lián)合創(chuàng)始人George Minassian博士（左三）
北極光創(chuàng)投董事總經(jīng)理暨Crossbar董事會(huì)董事楊磊博士（左四）
“現(xiàn)在有不少新型的存儲(chǔ)技術(shù)出現(xiàn),，我們跟它們比材料結(jié)構(gòu)非常簡(jiǎn)單，成本較低,，容量可以做的很大,。比如像鐵電存儲(chǔ)器（FRAM）一般都需要二十層左右的材料，這樣工藝也會(huì)很復(fù)雜,，而我們就只需要三層,。再比如，相變存儲(chǔ)（Phase-Change Memory）大概需要100種新材料加進(jìn)代工廠,，而我們只要三層結(jié)構(gòu),，并且沒(méi)有任何新材料。RRAM在成本和生產(chǎn)方面都有著優(yōu)勢(shì),?！盋rossbar首席科學(xué)家暨聯(lián)合創(chuàng)始人盧偉教授告訴《電子技術(shù)應(yīng)用》記者。
北極光創(chuàng)投董事總經(jīng)理暨Crossbar董事會(huì)董事楊磊博士進(jìn)一步解釋說(shuō)：“對(duì),，它本身的器件結(jié)構(gòu)決定了它就不可能貴,，但是前提條件是你的生產(chǎn)良率和生產(chǎn)規(guī)模要達(dá)到一定的程度，但是器件簡(jiǎn)單的東西,，說(shuō)實(shí)話良率只是一個(gè)時(shí)間的問(wèn)題,。我們現(xiàn)在良率已經(jīng)非常高了?！?/p>
和很多先進(jìn)的半導(dǎo)體設(shè)計(jì)公司大多數(shù)是由歐美主導(dǎo)不同,，Crossbar有很多“中國(guó)基因”。Crossbar技術(shù)首先由中國(guó)出生的盧偉博士,。盧博士在RRAM領(lǐng)域積累了十二年的研究經(jīng)驗(yàn),，他先作為哈佛大學(xué)的博士后研究員，然后被任命為密歇根大學(xué)教授從事這項(xiàng)研究,。他是納米結(jié)構(gòu)和設(shè)備行業(yè)的領(lǐng)先專(zhuān)家,，包括基于雙端電阻開(kāi)關(guān)設(shè)備的高密度內(nèi)存和邏輯系統(tǒng)、神經(jīng)元電路,、半導(dǎo)體納米線設(shè)備和低維系統(tǒng)中的電子輸運(yùn),。其次公司成立于2010年，由中國(guó)及全球風(fēng)投投資,，北極光創(chuàng)投就是中國(guó)投資者之一,。最后，最近Crossbar和中國(guó)代工廠中芯國(guó)際合作采用40nm工藝準(zhǔn)備2017年開(kāi)始量產(chǎn)RRAM,。
雖然RRAM技術(shù)先進(jìn),，存儲(chǔ)容量方面占據(jù)優(yōu)勢(shì)，但是初期受制于生產(chǎn)規(guī)模,，所以價(jià)格會(huì)相對(duì)較高,，將主要針對(duì)特定市場(chǎng),。
盧偉透露說(shuō),，我們初期會(huì)主要針對(duì)嵌入式和物聯(lián)網(wǎng)市場(chǎng),，存儲(chǔ)容量規(guī)格會(huì)主打8M和16M。
Crossbar首席執(zhí)行官暨聯(lián)合創(chuàng)始人George Minassian博士也表示：“物聯(lián)網(wǎng)和可穿戴設(shè)備市場(chǎng)需要節(jié)能,、安全和低成本的微控制器,。Crossbar RRAM技術(shù)能提供片上編程和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的嵌入式內(nèi)存模塊，也可單獨(dú)作為EEPROM內(nèi)存,，將是滿足這些需求的理想解決方案,。”
隨著RRAM逐漸成熟,，也會(huì)逐漸進(jìn)入企業(yè)市場(chǎng),、計(jì)算中心等行業(yè)客戶。
為了更好地服務(wù)中國(guó)客戶,，Crossbar還在近日設(shè)立了上海辦事處,，負(fù)責(zé)技術(shù)轉(zhuǎn)讓和客戶的售后支持。