隨著CROSSBAR近日在上海設(shè)立辦事處,，開始進(jìn)軍中國存儲市場,，也把RRAM（阻變式存儲器技術(shù)）這一新型存儲技術(shù)帶到了產(chǎn)業(yè)視線。RRAM提供用于MCU,、SoC和FPGA的低遲滯,、高性能、低功耗嵌入式存儲器,，面向低功耗和安全的物聯(lián)網(wǎng),、可穿戴和平板電腦、消費(fèi)電子,、工業(yè)和汽車電子市場,。
Crossbar RRAM技術(shù)被廣泛視為極有可能取代當(dāng)前非易失性內(nèi)存技術(shù)的有力競爭者，從而贏得這一價(jià)值600億美元的全球市場,。Crossbar技術(shù)可在一個200平方毫米的芯片上存儲數(shù)個TB的數(shù)據(jù),，能夠?qū)⒑Ａ啃畔ⅲ?50小時的高清電影,，存儲在比郵票還小的集成電路上,，并進(jìn)行回放。憑借簡單的三層結(jié)構(gòu),，堆疊性和CMOS兼容性,，Crossbar能在最新的技術(shù)節(jié)點(diǎn)下將邏輯和存儲集成到單芯片上，實(shí)現(xiàn)傳統(tǒng)或其他非易失性內(nèi)存技術(shù)無可比擬的存儲容量,。
Crossbar擁有大容量和快速的優(yōu)勢,，極有可能成為下一代企業(yè)和數(shù)據(jù)中心存儲系統(tǒng)的理想選擇。Crossbar技術(shù)能夠?qū)崿F(xiàn)極高密度的存儲解決方案,，包括：
在單芯片上實(shí)現(xiàn)太字節(jié)（terabyte）存儲
比DRAM高40倍的密度,，并具備最高的性能和可靠性
100倍更快的讀取速度
比NAND快1,000倍的寫入速度
比NAND高1,000倍的耐久性
支持高溫環(huán)境,，可用于數(shù)據(jù)中心和移動設(shè)備
Crossbar技術(shù)應(yīng)用如下：
消費(fèi)電子、手機(jī),、平板電腦—將你所有個人娛樂,、數(shù)據(jù)、照片和信息存儲到口袋大小的設(shè)備中,。提供快速存儲,，回放，備份和歸檔,。
企業(yè)存儲,、SSD和云計(jì)算—拓展SSD的可靠性和容量。提升企業(yè),、數(shù)據(jù)中心和云存儲系統(tǒng)的性能,。
物聯(lián)網(wǎng)；工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)—為工業(yè)和連接應(yīng)用程序,，諸如智能電表和恒溫器提供長達(dá)數(shù)年的電池壽命,。擁有較大溫度范圍，使其能在極端炎熱的夏天和寒冷的冬天保持穩(wěn)定,。支持全新,、高集成的SoC,，可由紐扣電池供電或通過太陽能,、熱能以及簡單震動獲取電能。
可穿戴計(jì)算 — 支持新一代可穿戴計(jì)算,，能在非常緊湊的尺寸和低功耗情況下,，實(shí)現(xiàn)高容量存儲。
安全支付 —能夠永久存儲安全應(yīng)用所需的密碼和加密密鑰,，覆蓋從大容量智能卡,，到用于非接觸支付的高端移動處理器。
Crossbar公司首席執(zhí)行官George Minassian博士表示：“中國是電子行業(yè)發(fā)展最快的市場,，亦是絕大多數(shù)產(chǎn)品的制造基地,。憑借我們在中國深厚的風(fēng)投實(shí)力和資源、新成立的本地辦事處以及行業(yè)領(lǐng)先的技術(shù),，我們相信將在中國消費(fèi)電子,、企業(yè)、移動,、工業(yè)和物聯(lián)網(wǎng)等市場掀起新一輪電子創(chuàng)新浪潮,。此外，我們近期與中芯國際已達(dá)成合作,，將我們的嵌入式技術(shù)用于中芯國際40nm甚至更高工藝,，有望使新的應(yīng)用開發(fā)受益,。”
通過集成更大的片上非易失性阻變式存儲器（RRAM）到智能卡,、機(jī)頂盒,、IP相機(jī)和監(jiān)視器等一系列應(yīng)用，Crossbar的客戶現(xiàn)正設(shè)計(jì)并推出低功耗,、高安全性的解決方案,。
Minassian博士表示：“物聯(lián)網(wǎng)和可穿戴設(shè)備市場需要節(jié)能、安全和低成本的微控制器,。Crossbar RRAM技術(shù)能提供片上編程和數(shù)據(jù)存儲的嵌入式內(nèi)存模塊,，也可單獨(dú)作為EEPROM內(nèi)存，將是滿足這些需求的理想解決方案,?！?/p>
Crossbar技術(shù)首先由中國出生的盧偉（Dr. Wei D. Lu）博士研發(fā)，他也是Crossbar的首席科學(xué)家和聯(lián)合創(chuàng)始人,。盧博士擁有中國清華大學(xué)物理學(xué)士學(xué)位,，以及德克薩斯州萊斯大學(xué)物理學(xué)博士學(xué)位。盧博士在RRAM領(lǐng)域積累了十二年的研究經(jīng)驗(yàn),，他先作為哈佛大學(xué)的博士后研究員,，然后被任命為密歇根大學(xué)教授從事這項(xiàng)研究。他是納米結(jié)構(gòu)和設(shè)備行業(yè)的領(lǐng)先專家,，包括基于雙端電阻開關(guān)設(shè)備的高密度內(nèi)存和邏輯系統(tǒng),、神經(jīng)元電路、半導(dǎo)體納米線設(shè)備和低維系統(tǒng)中的電子輸運(yùn),。