《電子技術(shù)應(yīng)用》
您所在的位置:首頁 > 嵌入式技術(shù) > 業(yè)界動態(tài) > 通過升壓轉(zhuǎn)換階段保護(hù)電源和負(fù)載

通過升壓轉(zhuǎn)換階段保護(hù)電源和負(fù)載

2016-03-24

  在滿足保護(hù)要求的前提下,,升壓轉(zhuǎn)換階段可以通過負(fù)載上的局部電壓提供系統(tǒng)優(yōu)勢。

  作者:德州儀器 (TI) Daniel Braunworth,、Eric Lee

  啟動時的輸出短路故障,、過載、其他故障,、以及高電容負(fù)載會嚴(yán)重?fù)p傷或降低輸入電源,,破壞負(fù)載。負(fù)載本身對于電壓的要求也許會很嚴(yán)格,甚至需要高于主輸入電源的更高的電壓,。這些條件和需求可能會導(dǎo)致輸入的電源被過度設(shè)計或負(fù)擔(dān)過重,,尤其是在提升負(fù)載時。與用于高電壓負(fù)載的升壓轉(zhuǎn)換器共同面臨的問題是,,它會提供機(jī)制以保護(hù)下游電路,。這是由于從輸入到輸出的固有通路徑加劇了主供應(yīng)的壓力,降低了系統(tǒng)的可靠性,,特別是在故障或過載的條件下,。

  在某些系統(tǒng)中,負(fù)載需要輸入電壓高于主電源所能提供的電壓,。低壓電池供電類系統(tǒng)就是其中之一,。具有固定總線電源(此電源可以提供在長電纜和通信系統(tǒng)上運(yùn)用的高效功率放大器)的工業(yè)用系統(tǒng)往往會需要一個來自寬輸入電壓范圍DC/DC穩(wěn)壓器的升壓。

  升壓電源具有某些系統(tǒng)優(yōu)勢,。在具有大型線束的系統(tǒng)中,,高壓可以降低傳送總功率所需要的線規(guī)。通過深入研究48V電池,,汽車行業(yè)一直在分析昂貴且笨重的電纜連接所帶來的問題,。諸如RF發(fā)射器等具有高功率放大器的系統(tǒng)在使用由更高電源電壓供電運(yùn)行的全新晶體管時效率更高,輸出功率密度更大,。某些關(guān)鍵系統(tǒng)需要通過電容能量儲存來保存電能,,而這就需要在一個更高電壓上保持更少的電容值 (E = 1/2*C*V2)。升壓保持電路可以使解決方案的尺寸更小,。

  如果不考慮升壓轉(zhuǎn)換器的自然限制,,系統(tǒng)可靠性會降低同時成本會增加,從而會導(dǎo)致系統(tǒng)其它部件的過度設(shè)計,。升壓電路具有一個從輸入到輸出的自然導(dǎo)通路徑(圖1),。即使這個轉(zhuǎn)換器是關(guān)閉的,電流也可以通過升壓二極管或同步功率FET的體二極管流至輸出,。

1.jpg

  (a) 異步升壓

2.jpg

  (b) 同步升壓

  如果負(fù)載是重電容,,由于升壓轉(zhuǎn)換器無法提供任何的負(fù)載隔離,主電源或電池必須能夠耐受住勵磁涌流的負(fù)擔(dān),。

  如果沒有單獨的限流機(jī)制,,主電源會被過度設(shè)計。在報警系統(tǒng)等需要后備電池的系統(tǒng)中,,無限地汲取電流會影響電池的可靠性,,因此系統(tǒng)也許會需要一個更大的電池。甚至預(yù)料之中的重負(fù)載條件也會使有限電源(比如說一個電池)的系統(tǒng)電壓軌上的電路斷電,,并產(chǎn)生意外的系統(tǒng)重啟,。通過一個共用電源總線供電的模塊化系統(tǒng)也會在啟動時存在風(fēng)險。在沒有勵磁涌流限制或與之配合的加電排序時,這個電源總線會根據(jù)最大電源電流的能力限制可允許模塊的數(shù)量,。

  諸如過載時出現(xiàn)的電機(jī)堵轉(zhuǎn)等,,負(fù)載故障會汲取強(qiáng)電流。噴射器內(nèi)使用的螺線管是另外一個經(jīng)常會出現(xiàn)短路故障的負(fù)載,。帶電機(jī)的可插拔模塊也許需要一個升壓電壓軌(由主系統(tǒng)提供)在可拆卸組裝內(nèi)節(jié)省空間和成本,,不過也有可能會在熱插拔情況下從主電源汲取過多的電流。一個未受保護(hù)的升壓轉(zhuǎn)換器不具備緩解這些風(fēng)險的條件,;它只是將這些負(fù)擔(dān)經(jīng)上游電路傳至電源,。設(shè)計人員經(jīng)常通過主電源的過度設(shè)計和過度使用來解決這個問題,但是我們完全可以通過簡單的限制和保護(hù)技巧在升壓負(fù)載出現(xiàn)故障時也能夠節(jié)省系統(tǒng)成本,、增加可靠性,。

  保護(hù)方法

3.jpg

  圖2. 使用一個NTC熱敏電阻實現(xiàn)的無源勵磁涌流限制。

  最簡單的限流機(jī)制是采用一個負(fù)溫度系數(shù) (NTC) 熱敏電阻(圖2),。由于在冷卻時出現(xiàn)高阻抗,,NTC在開始啟動時限制勵磁涌流。其自身功率耗散所導(dǎo)致的自發(fā)熱可使阻抗下降,,從而能夠使更多的電流流過,。這個方法的優(yōu)勢在于簡便易行且成本低廉。然而,,在惡劣條件下使用這個方法會帶來某些缺點,。比如,在汽車發(fā)動機(jī)艙等溫度大幅變化的環(huán)境內(nèi),,會出現(xiàn)使NTC初始阻抗降低的高環(huán)境溫度;此外,,如果不仔細(xì)管理整個環(huán)境運(yùn)行條件,,就會導(dǎo)致過多的勵磁涌流。如果出現(xiàn)重新啟動的情況,,NTC器件溫度也許會在下一次加電之前尚未冷卻,。在輸出電容完全放電時,由于散熱速度較慢,,NTC對于勵磁涌流的限制會變到最低,。此外,如果負(fù)載出現(xiàn)短路故障,,NTC將無法限制比所選標(biāo)稱運(yùn)行條件高的電源電流,。最后,NTC方法對于單一功能保護(hù)有效,,但是由于使用的是無源組件,,這個方法也會受到某些限制。

4.jpg

  圖3. 使用熱插拔的有源勵磁涌流限制。

  選擇像MOSFET這樣的主動限制裝置需要一個勵磁涌流限制控制器的控制電路,,它也被稱為熱插拔控制器或電子熔絲,。這是一個位于升壓控制器之前的附加集成電路 (IC),很多此類的控制器(圖3)特有包含電流和電壓環(huán)路的可編程涌入限制,,旨在確保MOSFET保持在安全工組區(qū) (SOA) 內(nèi)的同時,,控制涌入率。SOA用于監(jiān)視維持關(guān)鍵保護(hù)器件的長期可靠性,。此外,,涌入控制器會具有兩個電流閥值:一個用于規(guī)范涌入限制,第二個是在嚴(yán)重過流情況下用于完成斷路器功能,。這種方式的一個明顯優(yōu)勢就是你能夠?qū)崿F(xiàn)它的先進(jìn)保護(hù)特性,;然而,通常來說,,這個解決方案的成本和復(fù)雜度要高于無源方法,。

  第三個保護(hù)選項是一個具有集成涌入限制控制的升壓控制器。這個方法仍然需要將一個附加的MOSFET用作保護(hù)器件,,因為升壓的高端元件(一個續(xù)流二極管或同步MOSFET)無法反向,。然而,如圖4所示,,與熱插拔控制器方法相比,,將升壓和保護(hù)控制集成在一個IC中有助于降低解決方案復(fù)雜度和尺寸,同時也提供了很多其它保護(hù)特性,。

5.jpg

  圖4. 支持集成勵磁涌流限制的升壓控制器,。

  為最壞的情況選擇MOSFET

  為確保實現(xiàn)穩(wěn)健耐用的解決方案,任何的限制方法都需要縝密的設(shè)計,,對于功率耗散器件更是如此,。當(dāng)使用一個MOSFET時,一定要注意器件的安全工作區(qū),,設(shè)定電流是其中一個需要考慮的參數(shù),。在進(jìn)行MOSFET選型時,需要考慮切斷電壓(漏/源電壓)的峰值,,以及它將處于極端組合條件下的時間長度,。

  根據(jù)系統(tǒng)設(shè)計需要,通過計算保護(hù)器件在涌入,、輸出短路和突然電路斷開情況下,,在保護(hù)器件上出現(xiàn)的峰值能量,下面的方程式將有助于選擇一個具有足夠雪崩能量額定值的MOSFET,。

  針對涌入考慮的充電能量為:

6.png

  在這里

  EINRUSH = 以焦耳 (J) 為單位的輸出電容器充電能量,。

  COUT = 以法拉 (F) 為單位的最大輸出電容值,。

  VINMAX = 以伏特 (V) 為單位的最大輸入電源電壓。

  雖然在最差的情況下輸出電容器充電電流與出現(xiàn)短路時的情況相類似,,MOSFET真正的短路故障情況的要求會更加嚴(yán)格,。MOSFET能夠耐受的短路能量取決于:

7.png

  在這里:

  ESHORT = 以焦耳 (J) 為單位的短路保護(hù)能量。

  IINRUSH(TH) = 以安培 (A) 為單位的勵磁涌流限制閥值,。

  tDELAY = 以秒 (s) 為單位的延遲時間,。

  所選保護(hù)控制器也許具有一個故障安全斷路器的電流閥,從而觸發(fā)瞬時輸入斷開,。斷路器的能量計算與短路情況下相類似,,不過,保護(hù)控制器會設(shè)定一個不同的電流閥值,。MOSFET上有可能出現(xiàn)的最差情況能量由控制器的響應(yīng)或延遲時間計算得出,。

8.png

  在這里:

  ECIRCUIT_BREAKER = 以焦耳 (J) 為單位的斷路器保護(hù)能量

  ICIRCUIT_BREAKER(TH) = 以安培 (A) 為單位的斷路器閥值電流

  需牢記的一點是,雖然將MOSFET用于保護(hù)功能可實現(xiàn)對涌入或故障情況的快速響應(yīng),,但是你應(yīng)該在MOSFET的輸出端上執(zhí)行一個適當(dāng)?shù)碾妷壕彌_,,以確保用于保護(hù)功能的器件不會使下游電路出現(xiàn)問題。在升壓電路中,,保護(hù)器件之后出現(xiàn)的第一個直插式組件是原邊電感器,。續(xù)流二極管可以管理保護(hù)MOSFET與電感器之間的任何電壓振鈴,它只有在保護(hù)開關(guān)迅速關(guān)閉時才會導(dǎo)電,,特別是在斷路器位于電感器左側(cè)時(圖5),。

9.png

  圖5. 輸入過壓瞬態(tài)抑制電路。

  其它保護(hù)特性

  在選擇一個保護(hù)控制器時,,你也許還需要考慮另外一個特性,,那就是重試定時器,也被稱為打嗝模式,。如果設(shè)備經(jīng)歷了一個間斷過流故障能夠自動重試,,且無需整個系統(tǒng)重新啟動的話,這對于整個系統(tǒng)是有好處的,。該模式能使保護(hù)控制器打開MOSFET,并且在特定的時間長度內(nèi)等待故障被消除,,然后通過初始化涌入控制序列來重試,。如果故障仍然存在,控制器也許會無限次的重試,,或者在特定的重試次數(shù)后鎖存,。

  將一個MOSFET用作保護(hù)器件的第二個優(yōu)點就是可以實現(xiàn)簡單的輸入過壓保護(hù)電路 (/)。通過將一個合適的齊納二極管連接至MOSFET的柵極,,F(xiàn)ET的柵源電壓受到二極管的鉗制后,,會使得MOSFET在源極電壓增加時被拉回至歐姆運(yùn)行方式,。這個二極管的擊穿電壓設(shè)定了有效的輸出電壓鉗位值。當(dāng)MOSFET在歐姆區(qū)域內(nèi)運(yùn)行時會作為一個線性穩(wěn)壓器,,不過有一點需要注意,,那就是最大允許鉗制時間將受到MOSFET屬性的限制。


本站內(nèi)容除特別聲明的原創(chuàng)文章之外,,轉(zhuǎn)載內(nèi)容只為傳遞更多信息,,并不代表本網(wǎng)站贊同其觀點。轉(zhuǎn)載的所有的文章,、圖片,、音/視頻文件等資料的版權(quán)歸版權(quán)所有權(quán)人所有。本站采用的非本站原創(chuàng)文章及圖片等內(nèi)容無法一一聯(lián)系確認(rèn)版權(quán)者,。如涉及作品內(nèi)容,、版權(quán)和其它問題,請及時通過電子郵件或電話通知我們,,以便迅速采取適當(dāng)措施,,避免給雙方造成不必要的經(jīng)濟(jì)損失。聯(lián)系電話:010-82306118,;郵箱:[email protected],。