中國砸銀彈扶植半導(dǎo)體進度、成效驚人,，國際半導(dǎo)體設(shè)備材料產(chǎn)業(yè)協(xié)會(Semiconductor Equipment and Materials International，SEMI)上周五發(fā)布最新報告指出,，今明兩年全球新增的半導(dǎo)體產(chǎn)能，預(yù)估有超過一半都將來自中國,。
據(jù)SEMI表示,，全球2016-2017年共將興建17座半導(dǎo)體廠，當中有10座設(shè)在中國,，其中兩座生產(chǎn)存儲器,、晶圓代工四座、剩余四座規(guī)模較 小,，主要生產(chǎn)類比式芯片,、微機電系統(tǒng)(Micro Electro Mechanical Systems)與LED等。對照日,、韓同期間僅新增一座存儲器產(chǎn)線,。
全球半導(dǎo)體投資不分海內(nèi)外均向中國集中，這是中國傾國家之力發(fā)展半導(dǎo)體所創(chuàng)造的結(jié)果,。中芯國際(SMIC),、武漢新芯(XMC Limited)目前都在蓋新廠，英特爾與臺積電在大陸也有大規(guī)模投資計劃正在進行,。
據(jù)統(tǒng)計,，今年全球半導(dǎo)體產(chǎn)能投資金額上看360億美元，較去年成長1.5%,，明年更將成長13%至407億美元，其中多數(shù)將用于投資3D NAND 快閃存儲器與10 納米晶圓廠,。
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