近日,，Kilopass Technology宣布推出垂直分層晶閘管(Vertical Layered Thyristor)技術,，簡稱VLT技術。據(jù)Kilopass首席執(zhí)行官Charlie Cheng稱,，該技術集低成本,、低功耗,、高效率、易制造等諸多優(yōu)點于一身,，有可能顛覆目前的DRAM產業(yè)格局,。

　　最適用于云計算/服務器市場的DRAM技術

　　Charlie Cheng指出，DRAM整體市場較為穩(wěn)定,，未來隨著PC,、手機等方面的市場需求萎縮,，新的增長點將出現(xiàn)在云計算/服務器等市場領域,。然而當前的DRAM技術用于該市場領域面臨著功耗太高的問題。

　　當前DRAM技術的存儲單元,，基本的結構是1個晶體管搭配一個電容器(1T1C),。這種存儲單元結構目前只能做到20nm工藝,，受制于電容器的尺寸和電容量，DRAM的尺寸縮小再往下走非常困難,。

　　同時,，因為較小的晶體管帶來更多的漏電流，且較小的電容器結構擁有更少的電容量,，這將導致兩次刷新之間的間隔時間必須縮短,。由于刷新周期頻率的加快，16Gb DDR DRAM中高達20%的原始帶寬將丟失,，這給多核/多線程服務器中的CPU帶來負擔,，使CPU必須擠壓每一點兒性能來保持系統(tǒng)競爭力。

　　對于在預計工作溫度在37.5攝氏度下的手機,、PC等市場領域,，傳統(tǒng)的DRAM技術功耗情況影響不大。但對于常年處于80攝氏度以上高溫環(huán)境的服務器來說,，功耗的降低至關重要,。

　　Kilopass開發(fā)的VLT技術，則是通過垂直方式實現(xiàn)晶閘管架構,，形成鎖存,，徹底摒棄了傳統(tǒng)DRAM需要的電容。因此，不再需要刷新周期,，也不存在漏電,，性能利用率可以達到100%，同時可以清晰地區(qū)分開“0”和“1”的信號,。

　　“與目前最主流的DRAM技術相比,，VLT技術與現(xiàn)有的DDR標準兼容，可以將尺寸縮小近30%,，待機功耗降低10倍,，性能提高15%，晶圓光照加工步驟減少三分之一,，成本降低45%,。”

　　Charlie Cheng告訴記者,。他表示,，VLT采用的工藝技術與邏輯CMOS的工藝兼容,，也不需要采用新的材料,，對企業(yè)原有的制造產線并不需要進行太多的更改就可以生產基于VLT技術的DRAM產品，還可以利用模擬器軟件調整技術和良率,。

　　據(jù)了解,，VLT存儲單元的運行和器件測試已于2015年完成，一塊完整的內存測試芯片已于5月份成功流片,，早期芯片測試正在進行當中,，新一代10nm技術的驗證有望在2017年完成。

　　中國發(fā)展存儲器產業(yè)的第二條路?

　　Charlie Cheng指出,，VLT技術避開了傳統(tǒng)DRAM制造中溝電容的制造,，可以繞開目前DRAM存儲器三大巨頭的技術授權限制，對于急于發(fā)展自己存儲器產業(yè)的中國來說具有特殊意義,。

　　眾所周知,，存儲器產業(yè)正成為中國半導體投資的重要方向。近兩年以來,，武漢新芯擬投資240億美元打造國內集成電路存儲器產業(yè)基地,，福建省晉華存儲器集成電路生產線項目一期投資額370億元，還有紫光集團宣布收購武漢新芯大多數(shù)股權后改名為長江存儲技術公司,。

　　Charlie Cheng告訴記者,，VLT技術雖然無法替代現(xiàn)有的DRAM技術，但可以成為中國發(fā)展DRAM存儲器產業(yè)的第二條路徑,。與目前已有繼續(xù)沿著傳統(tǒng)DRAM技術的路線相比,，VLT技術所需的投資額度不大，但已在20納米至31納米工藝上通過驗證,，是一條可行的自主性發(fā)展的技術道路,。

　　“加上需要支付kilopass的授權費用和驗證費用,，大約投入100萬美元就可以實現(xiàn)投產?！盋harlie Cheng向記者透露,。

　　當然，該技術也存在其局限性,。VLT技術存儲單元的讀寫方式,，是Intel和美光所采用的XPoint的讀寫方式，只能靠發(fā)送的電壓變化發(fā)生,，這種讀寫方式是VLT技術推廣實用時所會面臨的很大挑戰(zhàn),。

　　他表示，Kilopass會在全球各國中選擇3~4家企業(yè)做授權,，目前已有跟武漢方面做相關接洽,。

　　據(jù)記者了解，Kilopass是一家來自于硅谷的知識產權(IP)產品提供商,，其經營模式類似于ARM,，依靠技術授權獲利。其自主研發(fā)的嵌入式一次性可編程(OTP)技術在全球DRAM市場中已占據(jù)60%的份額,。而對于VLT技術授權,，Kilopass將采用對出貨芯片抽成的方式。