中國上海,，2016年12月27日–日本半導(dǎo)體制造商株式會(huì)社 東芝（Toshiba） 存儲&電子元器件解決方案公司旗下東芝電子有限公司宣布,，東芝的64層BiCS FLASHTM產(chǎn)品榮獲《電子產(chǎn)品世界》2016年度“編輯推薦獎(jiǎng)”之“最佳創(chuàng)新理念獎(jiǎng)”,。

　　由于物聯(lián)網(wǎng)（IoT）等信息密集度較高的應(yīng)用領(lǐng)域的快速發(fā)展,，實(shí)時(shí)性能被視為重要要求,，大量的數(shù)據(jù)必須由大數(shù)據(jù)系統(tǒng)進(jìn)行管理或無限期存儲到數(shù)據(jù)中心和云服務(wù)系統(tǒng),。在這種情況下,，需要大容量存儲以便能夠以高速和低功耗的方式處理、存儲和管理大量的數(shù)據(jù),。而且對于移動(dòng)終端,、存儲卡等應(yīng)用而言，低功耗存儲的需求正在日益增長,。BiCS FLASH相比于平面NAND閃存提供了許多優(yōu)點(diǎn),，它正逐步成為滿足市場要求的解決方案。

　　東芝于1987年發(fā)明了NAND閃存,，并且率先于1991年開始量產(chǎn)該產(chǎn)品,，這開創(chuàng)了世界的先例。隨后,，通過縮小制造工藝和工藝技術(shù)節(jié)點(diǎn),，東芝不斷增大NAND閃存的容量，并于2007年6月推出全球首款[1]BiCS FLASHTM原型技術(shù),。多年來通過不斷致力于下一代技術(shù)以及大批量生產(chǎn)技術(shù)的研發(fā)的東芝,，在2016年7月推出世界首款[2]64層3D NAND樣品，進(jìn)一步滿足了國際市場對更小體積,、更大容量閃存的需求,。

　　本次獲獎(jiǎng)的最新一代64層BiCS FLASHTM 技術(shù)產(chǎn)品，其采用了3位元（三階存儲單元,，TLC）技術(shù),，容量達(dá)到256千兆比特（32GB），與48層堆疊工藝相比,，東芝領(lǐng)先的64層堆疊工藝使每單元芯片尺寸容量提高40%,，降低了位存儲成本并提高了每個(gè)硅晶片內(nèi)存容量的可制造性。64層BiCS FLASH?這一重大進(jìn)步凸顯了東芝專利結(jié)構(gòu)的潛力,，不僅可以滿足嚴(yán)苛的性能規(guī)格需求,，同時(shí)充分發(fā)揮了BiCS FLASH產(chǎn)品的高密度／高容量、快速編程速度,、高可靠性,、低功耗等特點(diǎn)，該新器件將適用于企業(yè)級和消費(fèi)級固態(tài)硬盤,、智能手機(jī),、平板電腦和內(nèi)存卡等應(yīng)用。

　　東芝表示,，為了應(yīng)對快速發(fā)展的信息技術(shù),，東芝將繼續(xù)完善BiCS FLASH?技術(shù)，公司發(fā)展藍(lán)圖的下一里程碑是64層512千兆比特（64GB）器件,。未來,，東芝將推出更多主要瞄準(zhǔn)大容量應(yīng)用領(lǐng)域的產(chǎn)品組合,，如消費(fèi)級固態(tài)硬盤、企業(yè)級固態(tài)硬盤等,，同時(shí)該技術(shù)的閃存同樣可以應(yīng)用于智能手機(jī),、平板機(jī)、存儲卡,。