目前在下一代存儲芯片的研發(fā)當(dāng)中,,除了3D XPoint芯片外還有ReRAM芯片(非易失性阻變式存儲器),。2016年3月,Crossbar公司宣布與中芯國際達(dá)成合作,,發(fā)力中國市場,。其中,中芯國際將采用自家的40nm CMOS試產(chǎn)ReRAM芯片,。近日,,兩者合作的結(jié)晶終于誕生,,中芯國際正式出樣40nm工藝的ReRAM芯片。
據(jù)介紹,這種芯片比NAND芯片性能更強(qiáng),,密度比DRAM內(nèi)存高40倍,讀取速度快100倍,,寫入速度快1000倍,,耐久度高1000倍,單芯片(200mm2左右)即可實現(xiàn)TB級存儲,,還具備結(jié)構(gòu)簡單,、易于制造等優(yōu)點。
另外,,按計劃更先進(jìn)的28nm工藝ReRAM芯片也將在2017年上半年問世,。
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