《電子技術(shù)應(yīng)用》
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MOSFET 安全工作區(qū)對實現(xiàn)穩(wěn)固熱插拔應(yīng)用的意義所在

2017-01-24
關(guān)鍵詞: 電路板 控制器 電源 電阻

  凌力爾特公司

  混合信號產(chǎn)品部

  高級產(chǎn)品市場工程師

  Pinkesh Sachdev

  引言

  即使是在插入和拔出電路板和卡進行維修或者調(diào)整容量時,,任務(wù)關(guān)鍵的伺服器和通信設(shè)備也必須能夠不間斷工作,。熱插拔控制器 IC 通過軟啟動電源,支持從正在工作的系統(tǒng)中插入或移除電路板,,從而避免了出現(xiàn)連接火花,、背板供電干擾和電路板卡復(fù)位等問題??刂破?IC 驅(qū)動與插入電路板之電源相串聯(lián)的功率 MOSFET 開關(guān) (圖 1),。電路板插入后,MOSFET 開關(guān)緩慢接通,,這樣,,流入的浪涌電流對負載電容充電時能夠保持在安全水平。

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  圖1:可插入電路板的熱插拔控制器

  CONNECTORS:連接器

  BACKPLANE:背板

  HOT SWAP CONTROLLER:熱插拔控制器

  當(dāng)熱插拔電路出現(xiàn)故障時,,薄弱環(huán)節(jié)一般在 MOSFET 開關(guān)上,,因而可能會損害或破壞熱插拔控制器。MOSFET 出現(xiàn)故障常見的原因是在選件時沒有重視其安全工作區(qū) (SOA),。相反,,選擇 MOSFET 時主要考慮了電阻 (RDS(on)) 上漏-源極以及最大漏極電流 (ID(max))?;蛘?,新設(shè)計基于負載電容較小的老款設(shè)計,同樣的 MOSFET 能夠很好的工作,。大部分功率 MOSFET 針對低 RDS(on) 和快速開關(guān)進行了優(yōu)化,,很多電源系統(tǒng)設(shè)計師習(xí)慣面向這些特性來選擇 MOSFET,而 MOSFET 在顯著時間于高損耗開關(guān)狀態(tài)下過渡,,卻在電路忽略了 SOA,。在 MOSFET 制造商參數(shù)選擇表中沒有 SOA,它并不能幫助,。即使是注意到 SOA,,由于 SOA 數(shù)據(jù)通常是基于計算而不是測試數(shù)據(jù),因此,,應(yīng)用的降額或余量并不明顯,。

  MOSFET 安全工作區(qū)

  SOA 是對 MOSFET 在脈沖和 DC 負載時功率處理能力的衡量。在 MOSFET 產(chǎn)品手冊的圖表中進行了闡述,,如圖 2 的實例所示,。其 x 軸是 MOSFET 漏-源極電壓 (VDS),而 y 軸是漏極電流 (ID),;兩個軸都使用了對數(shù)坐標,。在這張圖中,直線 (每一條代表不同的 tP) 表示恒定 MOSFET 功率,。每條線代表了 MOSFET 在某一脈沖寬度 tP 時允許的功耗,,tP 的范圍在微秒至無窮大 (DC)。例如,,圖中顯示了對于 10ms 脈沖,,MOSFET 漏-源極上有 5V 電壓,流過的電流為 50A,,計算得到功耗是 250W,。同樣脈沖寬度下較低的功耗保證了安全 MOSFET 工作,圖中標注為 10ms 線下面的區(qū)域,,這就是 “安全工作區(qū)”,。圖的兩端是由接通電阻、漏-源極擊穿電壓,、和最大脈沖漏極電流決定,。

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  圖 2:PSMN3R4-30BLE N 溝道 MOSFET 的安全工作區(qū)

  為什么 SOA 對于熱插拔應(yīng)用非常重要?

  電路中采用的大部分功率 MOSFET 都能夠快速接通和關(guān)斷,以納秒的時間處于高損耗轉(zhuǎn)換狀態(tài),。在這類應(yīng)用中,,SOA 并不是主要問題。相反,SOA 對于熱插拔電路是非常重要,,提供了輸入浪涌電流控制 (軟啟動),、限流和電路斷路器功能。要理解這一點,,請看熱插入電路板的啟動波形 (圖 3a),。當(dāng)電路板插入到 12V 背板電源時,熱插拔控制器等待連接器接觸反彈完成,,隨后軟啟動 MOSFET 柵極,。然后,輸出電壓跟隨并在 40ms 內(nèi)達到 12V,。在這一軟啟動期間,,會有 200mA 的電容充電電流流過 MOSFET,而其漏-源極電壓從 12V (= 12VIN  0VOUT) 幾乎降至 0V (= 12VIN  12VOUT),。在負載上出現(xiàn)短路時 (圖 3b),,控制器將 MOSFET 上的電流限制在 6A,電壓為12V (= 12VIN  0VOUT),。這一 72W 功耗狀態(tài)持續(xù) 1.2ms,,直至電路斷路器定時器計時結(jié)束。在啟動浪涌和限流等狀態(tài)中,,需要熱插拔 MOSFET 處理持續(xù)數(shù)百微秒至數(shù)十毫秒的顯著功耗,,應(yīng)注意其 SOA 性能。

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  圖 3a. 電路板熱插入到 12V 背板電源時的軟啟動

  CONTACT BOUNCE:接觸反彈

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  圖 3b. 輸出短路期間的限流

  CONTACT BOUNCE:接觸反彈

  SINGLE PULSE:單脈沖

  GUARANTEED:有保證的

  集成 MOSFET 熱插拔控制器以及有保證的 SOA

  凌力爾特公司提供了集成 MOSFET 的熱插拔控制器系列,,設(shè)計師不需要花費時間來搜尋 MOSFET 數(shù)據(jù)資料以達到最佳適配,,從而簡化了熱插拔設(shè)計師的工作。這一系列中的最新型號 LTC4233 和 LTC4234 (圖 4) 是集成了 MOSFET 和電流檢測功能的 10A 和 20A 熱插拔控制器,,供電范圍在 2.9V 至 15V,,覆蓋了標準 3.3V、5V 和 12V 電源,。通過集成兩個最關(guān)鍵和最大的熱插拔組件 (功率 MOSFET 和檢測電阻),,這些控制器有助縮短設(shè)計時間和減小電路板面積,為最終產(chǎn)品增加了更有價值的特性,。

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  圖 4:LTC4234:20A 有保證的 SOA 熱插拔控制器

  Guaranteed SOA:有保證的SOA

  HOT SWAP:熱插拔

  Power Good:電源良好

  Current Monitor:電流監(jiān)視器

  Current Limit Timer:限流定時器

  Current Limit Adjustment and Temperature Monitor:限流調(diào)整和溫度監(jiān)視器

  LTC4233 和 LTC4234 控制器特有的特性是產(chǎn)品手冊中保證了其內(nèi)部 MOSFET SOA,,而這在獨立 MOSFET 中是找不到的。每器件的 SOA 在 SOA 圖中的單點上經(jīng)過了產(chǎn)品生產(chǎn)測試,。圖 5 顯示了 LTC4234 的 SOA 圖,。從輸入至輸出上應(yīng)用 13.5V 電壓,輸出源出 6A 并持續(xù) 30ms,,以對其 SOA 進行了測試,。得出的功耗是 81W,。這在 SOA 圖中以紅點表示。采用了同樣的電壓對 LTC4233 進行了測試,,只是電流和功率減半 (即 3A 和 40.5W 并持續(xù) 30ms),。注意,LTC4233 和 LTC4234 SOA 圖顯示了有保證的最小 SOA,,而 MOSFET 數(shù)據(jù)表顯示了典型值,。

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  圖 5:LTC4234 熱插拔控制器有保證的安全工作區(qū)圖

  SINGLE PULSE:單脈沖

  GUARANTEED:有保證的

  LTC4233 和 LTC4234 還輸出地參考信號,,該信號與通過內(nèi)部檢測電阻器上的負載電流成正比,。可以采用外部模數(shù)轉(zhuǎn)換器 (圖 4) 來測量這一輸出,,向系統(tǒng)管理人員提供電路板電流和功耗數(shù)據(jù),。通過一個外部電阻器從其默認值減小限流值,這樣,,可以迅速調(diào)整以適應(yīng)動態(tài)負載變化和各種應(yīng)用,。可選欠壓和過壓門限保護了下游負載不受超出有效窗口電壓的影響,,從而防止了出現(xiàn)電路故障和損害,。即使在不需要熱插入的地方,控制器也可以用于實現(xiàn)浪涌電流控制,、限流和電路斷路器功能,。這些控制器的典型應(yīng)用包括在任務(wù)關(guān)鍵的服務(wù)器、網(wǎng)絡(luò)路由器和交換機,、企業(yè)固態(tài)硬盤存儲和工業(yè)系統(tǒng)中空間受限的高密度電路板和卡等,。

  結(jié)論

  除了熱插拔控制器本身,熱插拔電路還保護了電路板電源和 MOSFET 故障不會損壞 MOSFET 下游昂貴的處理電子器件?,F(xiàn)場故障,、暴露 MOSFET 弱點等可能會導(dǎo)致高昂的回收,從而對聲譽造成損害,。因此,,應(yīng)確保選擇 MOSFET 能夠可靠處理熱插拔應(yīng)用中遇到的壓力,這一點非常重要,。LTC4233 和 LTC4234 集成了 MOSFET 熱插拔控制器,,減小了解決方案占板面積,縮短了設(shè)計時間,,對每一個控制器 SOA 進行了新產(chǎn)品測試,,確保了實現(xiàn)堅固可靠的解決方案。


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