全面工藝控制提升先進(jìn)的多重曝光和EUV光刻技術(shù)
【加州MILPITAS 2017年 3月14日訊】KLA-Tencor公司（納斯達(dá)克股票代碼：KLAC）今天針對(duì)10納米以下（sub-10nm）集成電路（IC）器件的開發(fā)和批量生產(chǎn)推出四款創(chuàng)新的量測(cè)系統(tǒng)：Archer?600疊對(duì)量測(cè)系統(tǒng),，WaferSight? PWG2圖案晶片幾何特征測(cè)量系統(tǒng),，SpectraShape? 10K光學(xué)關(guān)鍵尺寸（CD）量測(cè)系統(tǒng)和SensArray? HighTemp 4mm即時(shí)溫度測(cè)量系統(tǒng)。 這四款新系統(tǒng)進(jìn)一步拓寬了KLA-Tencor的獨(dú)家5D圖案成像控制解決方案?應(yīng)用,，提升了包括自對(duì)準(zhǔn)四重曝光（SAQP）和極紫外線（EUV）光刻在內(nèi)的先進(jìn)圖案成像技術(shù),。
“領(lǐng)先的器件制造商正面對(duì)著極為嚴(yán)苛的圖案成像規(guī)格,。”KLA-Tencor首席營(yíng)銷官Oreste Donzella指出：“為了解決圖案成像的誤差,，芯片制造商需要量化工藝變化,，區(qū)分變化產(chǎn)生的原因并從根源解決問題。 今天發(fā)布的全新量測(cè)系統(tǒng)可以為客戶提供關(guān)鍵的數(shù)據(jù),，幫助工程師落實(shí)光刻工藝中曝光機(jī)的具體校正,，以及蝕刻、薄膜和其他工藝模塊中的工藝改進(jìn),。 我們推出了全新的疊對(duì)量測(cè),，圖案晶片幾何特征，光學(xué)關(guān)鍵尺寸和即時(shí)溫度測(cè)量等系統(tǒng),，這對(duì)于推動(dòng)193i多重曝光性能和早期EUV光刻基準(zhǔn)數(shù)據(jù)收集等方面都極為關(guān)鍵,。”
Archer 600采用全新光學(xué)系統(tǒng)和新型測(cè)量圖形,，延伸基于圖像的疊對(duì)誤差量測(cè)技術(shù),，幫助先進(jìn)的邏輯電路和內(nèi)存芯片制造商實(shí)現(xiàn)小于將3nm（sub-3nm）的疊對(duì)誤差,。 創(chuàng)新的ProAIM?圖形技術(shù)可以容忍更大的工藝變化，提升量測(cè)圖形反應(yīng)的疊對(duì)誤差與器件本身疊對(duì)誤差的相關(guān)性,，實(shí)現(xiàn)更精確的疊對(duì)誤差量測(cè)。 Archer 600的新型光學(xué)技術(shù),，包括亮度更高的光源和偏振模塊,，能夠在不同的工藝層上（從薄光阻層到不透明阻擋層）提供更精確的疊對(duì)誤差反饋和控制。 隨著產(chǎn)能的提高,，Archer 600可以增加疊對(duì)誤差的采樣,，提升校準(zhǔn)曝光機(jī)以及識(shí)別產(chǎn)線工藝異常的能力。 Archer 600系統(tǒng)已經(jīng)由全球多個(gè)代工廠,，邏輯電路和內(nèi)存廠商安裝運(yùn)行,，用于測(cè)量最先進(jìn)的半導(dǎo)體器件。
WaferSight PWG2 提供有關(guān)晶片應(yīng)力和形狀均勻性的全面數(shù)據(jù),，在膜沉積,、退火、蝕刻及其他工藝制程中被用于檢測(cè)和匹配工藝參數(shù),。隨著產(chǎn)能的顯著提升,， WaferSight PWG2可以在生產(chǎn)中增加晶片取樣，協(xié)助芯片制造商識(shí)別和修復(fù)由工藝引起的晶片應(yīng)力變化,，并消除隨之而來的圖案成像和良率問題,。 WaferSight PWG2提供的晶片形狀數(shù)據(jù)還可以被前饋到曝光機(jī)，并用消除晶片應(yīng)力所引起的疊對(duì)誤差,，這對(duì)于3D NAND快閃內(nèi)存器件的制造尤為重要,，因?yàn)楹衲ざ询B技術(shù)可能造成晶片的變形。憑借業(yè)界獨(dú)特的垂直晶片支架,，WaferSight PWG2可以同時(shí)測(cè)量晶片的前后表面,，提供晶片平坦度和形貌數(shù)據(jù)，用以改進(jìn)曝光機(jī)對(duì)焦的預(yù)測(cè)和控制,。多家技術(shù)先進(jìn)的IC制造商安裝了WaferSight PWG2系統(tǒng),，用于光刻控制的開發(fā)，以及在批量生產(chǎn)中優(yōu)化和檢測(cè)各種半導(dǎo)體生產(chǎn)工藝,。
SpectraShape 10K光學(xué)量測(cè)系統(tǒng)在蝕刻,，化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）和其他工藝步驟之后測(cè)量復(fù)雜IC器件結(jié)構(gòu)的CD和三維形狀。為了全面表征器件結(jié)構(gòu),，SpectraShape 10K采用了多項(xiàng)光學(xué)技術(shù),，包括橢圓測(cè)厚儀的全新偏振能力和多角入射，以及用于反射計(jì)的TruNI?照明新型高亮度光源,。這些技術(shù)保證該系統(tǒng)可以精確地測(cè)量許多與FinFET和3D NAND器件相關(guān)的關(guān)鍵參數(shù),，例如CD,、高度、SiGe形狀和通道孔弓形輪廓,。 SpectraShape 10K具有比上一代產(chǎn)品更高的產(chǎn)能,，這幫助客戶可以通過增加采樣實(shí)現(xiàn)更為嚴(yán)格的工藝控制，同時(shí)也可以滿足多重曝光技術(shù)所需的數(shù)目繁多的工藝檢測(cè),。 SpectraShape 10K深受晶片代工廠青睞,，廣泛用于FinFET和多重曝光技術(shù)集成，此外,，它們也在許多領(lǐng)先的存儲(chǔ)器廠商中被用于支持先進(jìn)的3D NAND制造,。
通過即時(shí)測(cè)量，SensArray HighTemp 4mm無(wú)線晶片為先進(jìn)的薄膜工藝提供時(shí)間和空間溫度信息,。與之前的產(chǎn)品相比,，SensArray HighTemp 4mm具有更薄的晶片厚度，因此與更多類型的工藝設(shè)備相兼容,，其中包括track,，strip和物理氣相沉積（PVD）。 在20 - 400°C的溫度范圍內(nèi),，SensArray HighTemp 4mm可以量測(cè)溫度變化對(duì)工藝窗口和成型表現(xiàn)的影響,，從而實(shí)現(xiàn)工藝優(yōu)化和設(shè)備驗(yàn)證。SensArray HighTemp 4mm晶片已被多個(gè)微處理器,，DRAM和3D NAND的生產(chǎn)商用于薄膜工藝的調(diào)整和常規(guī)監(jiān)控,。
Archer 600、WaferSight PWG2,、SpectraShape 10K和SensArray HighTemp 4mm與KLA-Tencor的5D Analyzer?高級(jí)數(shù)據(jù)分析系統(tǒng)相結(jié)合,，支持實(shí)時(shí)工藝控制，并為工程監(jiān)控分析提供有力工具,。 為了保持IC制造所需的高性能和高產(chǎn)能,，KLA-Tencor的全球綜合服務(wù)網(wǎng)絡(luò)為Archer 600，WaferSight PWG2,，SpectraShape 10K和SensArray HighTemp 4mm系統(tǒng)提供后援支持,。 有關(guān)四款新系統(tǒng)的更多信息，請(qǐng)參見5D Patterning Control Solution 網(wǎng)頁(yè),。