香港, 2017年3月30日 - (亞太商訊) - 全球領(lǐng)先的200mm純晶圓代工廠——華虹半導(dǎo)體有限公司（「華虹半導(dǎo)體」或「公司」,，連同其附屬公司，統(tǒng)稱「集團」，股份代號：1347.HK）今天宣布,，公司功率器件平臺累計出貨量已突破500萬片晶圓,。其中，得益于市場對超級結(jié)MOSFET（「金氧半場效電晶體」）和IGBT（「絕緣柵雙極型電晶體」）的強勁需求,，華虹半導(dǎo)體獨特且具競爭力的垂直溝槽型Super Junction MOSFET（「SJNFET」）以及場截止型IGBT累計出貨量分別超過了200,000片和30,000片晶圓,，并保持快速增長趨勢。

　　功率半導(dǎo)體器件在移動通訊,、消費電子,、開關(guān)電源、馬達驅(qū)動,、LED驅(qū)動,、新能源汽車、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域發(fā)揮著越來越重要的作用,，是降低功耗,、提高效率的關(guān)鍵核心器件。華虹半導(dǎo)體擁有十五年的功率器件穩(wěn)定量產(chǎn)經(jīng)驗,，是全球首家,、同時亦是最大的功率器件200mm晶圓代工廠。憑籍持續(xù)的研發(fā)和創(chuàng)新,，公司以極具競爭力的功率半導(dǎo)體技術(shù),，為客戶提供從低壓到高壓的完整解決方案，同時不斷向更高端,、更廣闊應(yīng)用的高密度大功率器件方向深耕,，延續(xù)其「全球功率器件領(lǐng)導(dǎo)者」的戰(zhàn)略布局。

　　目前,，公司已推出第三代SJNFET工藝平臺,，技術(shù)參數(shù)達業(yè)界一流水平，可為客戶提供導(dǎo)通電阻更低,、芯片面積更小,、開關(guān)速度更快和開關(guān)損耗更低的產(chǎn)品解決方案。公司的場截止型IGBT技術(shù)參數(shù)可比肩國際領(lǐng)先企業(yè),，并具有出色的背面晶圓加工能力,，是中國大陸唯一擁有IGBT全套背面加工工藝的晶圓代工廠商。

　　華虹半導(dǎo)體執(zhí)行副總裁范恒先生表示：「功率MOSFET累計出貨量突破500萬片是華虹半導(dǎo)體的一個重要里程碑,，越來越多的功率系統(tǒng)設(shè)計人員將目光投向我們,，尋求綠色能源、快速充電,、工業(yè)應(yīng)用等方面領(lǐng)先的電源管理芯片代工方案,。以綠色創(chuàng)『芯』為主軸,，我們還將重點關(guān)注整個新能源汽車的產(chǎn)業(yè)鏈，包括充電樁,、電池保護,、馬達驅(qū)動等應(yīng)用。此外,，我們正在加速研發(fā)應(yīng)用于高端工業(yè)和能源領(lǐng)域的超高壓IGBT技術(shù),，相信會進一步鞏固公司在功率器件領(lǐng)域的領(lǐng)先地位?！?/p>