極紫外光（EUV）微影設備無疑是半導體制程推向3nm的重大利器。 這項每臺要價高達逾近億美元的尖端設備,，由荷商ASML獨家生產供應,，目前主要買家全球僅臺積電、三星,、英特爾及格羅方德等大廠為主,。

EUV設備賣價極高，原因是開發(fā)成本高,，因此早期ASML為了分攤開發(fā)風險,，還特別邀請臺積電,、三星和英特爾三大廠入股，但隨著開發(fā)完成,，臺積電后來全數(shù)出脫艾司摩爾股票,，也獲利豐碩。

有別于過去半導體采用浸潤式曝光機,，是在光源與晶圓中間加入水的原理,，使波長縮短到193/132nm的微影技術，EUV微影設備是利用波長極短的紫外線,，在硅晶圓上刻出更微細的電路圖案,。

ASML目前EUV年產能為12臺，預定明年擴增至24臺,。 該公司宣布2017年的訂單已全數(shù)到手,，且連同先前一、二臺產品,，已出貨超過20臺,；2018年的訂單也陸續(xù)到手，推升ASML第2季營收達到21億歐元單季新高,，季增21%,，每股純益1.08歐元，股價也寫下歷史新高,。

因設備昂貴,，且多應用在7nm以下制程，因此目前有能力采購者,，以三星,、臺積電、英特爾和格羅方德為主要買家,。 三星目前也是最大買主,，估計采購逾十臺，將裝設于南韓華城的18號生產線（Line 18）全力搶占晶圓代工版圖,。

由于極紫外光可大幅降低晶圓制造的光罩數(shù),，縮短芯片制程流程，是晶圓制造邁入更先進的利器,。

在三星決定7nm率先導入EUV后,，讓EUV輸出率獲得快速提升，臺積電決定在7nm強化版提供客戶設計定案,，5nm才決定全數(shù)導入,。