為對抗三星,，臺積電計劃導(dǎo)入極紫外光(EUV)微影設(shè)備,，決定在7納米強(qiáng)化版提供客戶設(shè)計,、并在5納米全數(shù)導(dǎo)入,。這項決定引發(fā)群聚效應(yīng),，激勵相關(guān)設(shè)備供應(yīng)鏈和材料廠全數(shù)動起來,，搶進(jìn)「臺積大聯(lián)盟」,，以分到市場,。

據(jù)臺灣《經(jīng)濟(jì)日報》報導(dǎo),，為爭取臺積電訂單,，美商科磊(KLA-Tencor)宣布推出全新搭配EUV的檢測設(shè)備、德商默克(Merck)在南科成立亞洲區(qū)IC材料應(yīng)用研發(fā)中心,，下月正式啟用,。 據(jù)報導(dǎo)，半導(dǎo)體芯片原有193納米波長的浸潤機(jī)已無法滿足需求,，必須升級13.5納米極紫外光(EUV),，以降低晶圓制造的光罩?jǐn)?shù)，縮短芯片制程流程。

極紫外光(EUV)微影設(shè)備無疑是半導(dǎo)體制程推向3nm的重大利器,。 這項每臺要價高達(dá)逾近億美元的尖端設(shè)備,，由荷商ASML獨家生產(chǎn)供應(yīng)，目前主要買家全球僅臺積電,、三星,、英特爾及格羅方德等大廠為主。

EUV設(shè)備賣價極高,，原因是開發(fā)成本高,，因此早期ASML為了分?jǐn)傞_發(fā)風(fēng)險，還特別邀請臺積電,、三星和英特爾三大廠入股,，但隨著開發(fā)完成，臺積電后來全數(shù)出脫艾司摩爾股票,，也獲利豐碩,。

有別于過去半導(dǎo)體采用浸潤式曝光機(jī)，是在光源與晶圓中間加入水的原理,，使波長縮短到193/132nm的微影技術(shù),，EUV微影設(shè)備是利用波長極短的紫外線，在硅晶圓上刻出更微細(xì)的電路圖案,。

ASML目前EUV年產(chǎn)能為12臺,，預(yù)定明年擴(kuò)增至24臺。 該公司宣布2017年的訂單已全數(shù)到手,，且連同先前一,、二臺產(chǎn)品，已出貨超過20臺;2018年的訂單也陸續(xù)到手,，推升ASML第2季營收達(dá)到21億歐元單季新高，季增21%,，每股純益1.08歐元,，股價也寫下歷史新高。

因設(shè)備昂貴,，且多應(yīng)用在7nm以下制程,，因此目前有能力采購者，以三星,、臺積電,、英特爾和格羅方德為主要買家。