功率場效應(yīng)管(Power MOSFET)也叫電力場效應(yīng)晶體管,，是一種單極型的電壓控制器件,，不但有自關(guān)斷能力,而且有驅(qū)動功率小,開關(guān)速度高、無二次擊穿,、安全工作區(qū)寬等特點(diǎn)。由于其易于驅(qū)動和開關(guān)頻率可高達(dá)500kHz,，特別適于高頻化電力電子裝置,，如應(yīng)用于DC/DC變換、開關(guān)電源,、便攜式電子設(shè)備,、航空航天以及汽車等電子電器設(shè)備中,。但因?yàn)槠潆娏鳌崛萘啃?，耐壓低，一般只適用于小功率電力電子裝置,。

電力場效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)和工作原理

　　電力場效應(yīng)晶體管種類和結(jié)構(gòu)有許多種,，按導(dǎo)電溝道可分為P溝道和N溝道,，同時又有耗盡型和增強(qiáng)型之分。在電力電子裝置中,，主要應(yīng)用N溝道增強(qiáng)型。

　　電力場效應(yīng)晶體管導(dǎo)電機(jī)理與小功率絕緣柵MOS管相同,，但結(jié)構(gòu)有很大區(qū)別,。小功率絕緣柵MOS管是一次擴(kuò)散形成的器件,，導(dǎo)電溝道平行于芯片表面，橫向?qū)щ?。電力場效?yīng)晶體管大多采用垂直導(dǎo)電結(jié)構(gòu),，提高了器件的耐電壓和耐電流的能力,。按垂直導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的不同，又可分為2種：V形槽VVMOSFET和雙擴(kuò)散VDMOSFET,。

　　電力場效應(yīng)晶體管采用多單元集成結(jié)構(gòu)，一個器件由成千上萬個小的MOSFET組成,。N溝道增強(qiáng)型雙擴(kuò)散電力場效應(yīng)晶體管一個單元的部面圖,，如圖1(a)所示,。電氣符號,，如圖1(b)所示。

　　電力場效應(yīng)晶體管有3個端子：漏極D,、源極S和柵極G。當(dāng)漏極接電源正,，源極接電源負(fù)時,，柵極和源極之間電壓為0,，溝道不導(dǎo)電，管子處于截止,。如果在柵極和源極之間加一正向電壓UGS，并且使UGS大于或等于管子的開啟電壓UT,，則管子開通,，在漏、源極間流過電流ID,。UGS超過UT越大，導(dǎo)電能力越強(qiáng),，漏極電流越大,。