據(jù)三星電子于11月29日宣布,，開始大規(guī)模量產(chǎn)以第2代10nm FinFET制程技術(shù)（10LPP）為基礎(chǔ)的單芯片系統(tǒng)（SoC）產(chǎn)品,，其搭配該單芯片系統(tǒng)的電子產(chǎn)品,，也預計將在2018年首季問市,。

　　三星表示,，針對低功耗產(chǎn)品所研發(fā)的10LPP技術(shù),，相較于第1代的10LPE,，10LPP的制程可使性能提高10%,，功耗降低15%,。而且，由于該制程是延續(xù)于已經(jīng)量產(chǎn)中的10LPE制程，所以將可以大幅縮短從開發(fā)到大量生產(chǎn)的準備時間,，并提供更高的初期生產(chǎn)良率,，因此更具有市場競爭優(yōu)勢。

　　三星進一步表示,，采用10LPP制程技術(shù)制造的產(chǎn)品,，預計將于2018年首季推出相關(guān)的電子產(chǎn)品。三星電子代工市場行銷副總裁RyanLee表示,，通過從10LPE制程向10LPP制程的邁進,，三星將能夠更好地為客戶提供服務(wù)，同時提高性能,，提高初期產(chǎn)量,。

　　同時，三星宣布,，位于韓國華城的最新S3生產(chǎn)線,，目前正準備加速生產(chǎn)10納米及其以下制程技術(shù)。S3是三星晶圓代工業(yè)務(wù)的第3座晶圓廠,，其它2座分別是位于韓國京畿道的器興（Giheung）的S1,，以及位于美國奧斯汀的S2。根據(jù)規(guī)劃,，三星的7納米FinFET制程技術(shù)與EUV（ExtremeUltraViolet）技術(shù)也預計將在S3晶圓廠中于2018年開始大量生產(chǎn),。

　　IC Insights近日發(fā)布指出，三星今年在半導體產(chǎn)業(yè)支出達到260億美元,，是去年支出的兩倍還多,，其中用于晶圓代工/其他的資本支出達50億美元，專門用于提升10納米制程能力,。目前來看進展順利,，有消息稱，三星 8nm LPP 制程工藝的技術(shù)驗證工作也已完成,，將于不久之后大規(guī)模量產(chǎn),。三星表示，相比于 10nm 制程,，全新 8nm 制程的芯片不僅面積能縮減 10%,，功耗也能降低10%。該工藝正式投產(chǎn)后,，將會定位于高端旗艦市場,。至于具體商用時間，三星表示會在隨后于全球各地舉行的三星半導體論壇上與 7nm EUV 光刻工藝進展一同公布,。