近來,，芯片成為網紅,、熱詞,，把半導體行業(yè)和公司送上風口浪尖,。上期全球商業(yè)觀察我們梳理了國際半導體產業(yè)目前的競爭格局,，本期繼續(xù)聚焦半導體產業(yè)全球領先的韓國和臺灣地區(qū),，看看它們發(fā)展半導體產業(yè)的歷程,、現(xiàn)狀和得失經驗,。
2017年半導體產業(yè)締造了一項新紀錄,。
國際研究機構Gartner研究總監(jiān)George Brocklehurst表示,，這項記錄便是三星將英特爾(52.78, 0.80, 1.54%)擠下全球半導體營收龍頭的寶座。英特爾自1992年以來連續(xù)25年“全球第一大廠”的名頭就此讓位,。Gartner最新的統(tǒng)計結果顯示,，2017年全球半導體營收總計4204億美元，較2016年的3459億美元增長21.6%,。
此外,，根據IC Isights等機構的統(tǒng)計數據，從營收來看,，全球前三大半導體公司中韓國占據兩席,，三星、SK海力士分別位居一,、三名,。三星、SK海力士在2017年營收大增,，主要和芯片短缺造成的價格走高有關,。
自20世紀80年代三星建立半導體研究與開發(fā)實驗室起至今，韓國半導體產業(yè)發(fā)展可謂“勵志”,。
不到40年的時光中,，韓國的半導體產業(yè)在起步比美國,、日本晚上十幾年的情況下，從一片荒蕪逐漸生長為半導體產業(yè)之林的巨擘,，離不開密集的技術援助,、政府的強力保護以及企業(yè)的“死磕”。
沉淀：“政府+大財團”的模式
韓國的半導體產業(yè)以技術引入起步,，經過20年左右的沉淀,，在芯片設計與加工技術等領域完成了自身技術積累。
1959年,，LG公司的前身“金星社”研制,、生產出韓國的第一臺真空管收音機，這也被認為是韓國半導體產業(yè)的起源,。但當時的韓國并沒有自主生產能力,，只能對進口元器件進行組裝。
20世紀60年代中期開始仙童半導體（Fairchild）和摩托羅拉（Motorola）等美國公司越來越多地投資于東南亞等低價勞動力國家,，以降低其生產成本,，韓國從這一趨勢中獲益，但僅停留在經濟層面,。
OECD（經合組織）在一份報告中指出，對于這些美國投資者的子公司而言,，韓國只是“飛地”,，對于韓國的技術進步未起到任何作用，“他們只是專門從事簡單的晶體管和ICs的組裝,，用于出口,，所需的材料和生產設備都是進口的”。
到了20世紀70年代,，三洋（Sanyo）和東芝（Toshiba）等日本公司半導體公司也開始在韓國投資,。但直到20世紀80年代初，韓國的半導體工業(yè)仍然非常局限,，只是一個簡單的,、勞力密集的組裝節(jié)點。
隨著20世紀70年代外部世界市場環(huán)境變化以及韓國工資水平的提高,，韓國輕工業(yè)產品出口比率大幅下降,，外債也上升到危險的水平，韓國經濟受到威脅,。
為此,，韓國政府在1973年宣布了“重工業(yè)促進計劃”（HCI促進計劃），旨在通過重工業(yè)和化學工業(yè)發(fā)展來建立一個自給自足的經濟,。1975年,，韓國政府公布了扶持半導體產業(yè)的六年計劃,，強調實現(xiàn)電子配件及半導體生產的本土化。
韓國政府還組織“官民一體”的DRAM共同開發(fā)項目,，即通過政府的投資來發(fā)展DRAM產業(yè),。
在半導體產業(yè)化的過程中，韓國政府推進“政府+大財團”的經濟發(fā)展模式,，并推動“資金+技術+人才”的高效融合,。在此過程中，韓國政府還將大型的航空,、鋼鐵等巨頭企業(yè)私有化,，分配給大財團，并向大財團提供被稱為“特惠”的措施,。
《經濟學人》在1995年的文章中評論稱,，20世紀80年代韓國工業(yè)的發(fā)展得益于HCI促進計劃，由于如此龐大的資源集中于少數財團,，他們可以迅速進入資本密集型的DRAMs生產,，并最終克服生產初期巨大的財務損失。
超越：三星的崛起
1983年是韓國半導體產業(yè)的歷史轉折點,。
韓國財團的進入讓半導體行業(yè)進入大規(guī)模集成（VLSI）生產時代,，這些包括三星、金星社以及現(xiàn)代公司（后改名為海力士半導體,，并被SK集團收購）等企業(yè),。這實現(xiàn)了韓國工業(yè)的質變——從簡單的裝配生產到精密的晶片加工生產。
20世紀80年代,，三星和現(xiàn)代的財團都在尋找未來的商業(yè)領域,，最終他們的目標是，從工業(yè)基地轉型為更具高科技導向的產業(yè),。當三星決定通過其電子業(yè)務進入大規(guī)模集成芯片生產時,，現(xiàn)代決定將芯片生產作為實現(xiàn)其向電子產業(yè)多樣化的一個途徑。而隨后金星社的加入,，讓韓國最大的三家財團均參與進VLSI生產,。
三星發(fā)展半導體產業(yè)是一部濃縮的韓國半導體產業(yè)發(fā)展史。
前三星集團首席執(zhí)行官李秉哲（Lee Byung Chul）在1983年2月決定對內存芯片生產進行大規(guī)模投資,。這被認為是一個非常大膽的決定,。因為當時韓國仍是一個簡單的裝配生產基地，1983年,，整個半導體生產中晶圓加工的份額也僅為4.3%,。
根據三星的官方策略解釋，三星電子公司當時遭遇了日本進口芯片的頻繁交付問題,。以上的所有因素促使李秉哲嘗試進入VLSI芯片業(yè)務,。
三星制定了一個詳細的計劃,，根據這個計劃，三星全部半導體產品中大約50%應該是DRAM,。通過對精心挑選的DRAM領域關注,，實現(xiàn)規(guī)模經濟和成本的競爭力。
其后,，SST國際公司在硅谷成立,，成為三星的技術前哨。SST國際公司（與Tristar半導體公司同年更名）為三星的產品開發(fā)做出了重大貢獻,，SST國際公司成功開發(fā)的產品會轉讓給韓國的母公司SST,，用于批量生產，這對三星的技術開發(fā)起到了至關重要的作用,。
1983年,，三星在京畿道器興地區(qū)建成首個芯片廠，并開始了接下來的一系列動作,。三星電子首先向當時遇到資金問題的美光(47.58, 0.96, 2.06%)（Micron）公司購買64K DRAM技術,，加工工藝則從日本夏普公司獲得，此外,，三星還取得了夏普“互補金屬氧化物半導體工藝”的許可協(xié)議,。
在此過程中，三星等韓國公司已逐漸熟悉漸進式工藝創(chuàng)新,，加上這些公司逆向工程方面的長期經驗,，韓國的半導體產業(yè)進入了發(fā)展的快車道。
在選擇DRAM作為主要產品后不久,，三星于1983年11月成功研發(fā)了64K DRAM。從技術上講,，韓國半導體行業(yè)實現(xiàn)了從相對簡單的LSI技術到尖端的VLSI技術的重大飛躍,。由此，1983年標志著韓國VLSI芯片時代的開始,。不可否認的是,，在最初階段，外國技術許可在三星產品開發(fā)中發(fā)揮了至關重要的作用,。
隨后,，三星電子1984年成立了一家現(xiàn)代化的芯片工廠，用于批量生產64K DRAM,。1984年秋季首次將其出口到美國,。1985年成功開發(fā)了1M DRAM，并取得了英特爾“微處理器技術”的許可協(xié)議,。
此后三星在DRAM上不斷投入,，韓國政府也全力配合,。由韓國電子通信研究所【KIST，由韓國科學和技術部（MOST）管理】牽頭,，聯(lián)合三星,、LG、現(xiàn)代與韓國六所大學,，“官產學”一起對4M DRAM進行技術攻關,。該項目持續(xù)三年，研發(fā)費用達1.1億美元,，韓國政府便承擔了57%,。隨后韓國政府還推動了16M / 64M DRAM的合作開發(fā)項目。
1983年至1987年間實施的“半導體工業(yè)振興計劃”中,，韓國政府共投入了3.46億美元的貸款,，并激發(fā)了20億美元的私人投資，這大力促進了韓國半導體產業(yè)的發(fā)展,。
在1987年,，世界半導體市場還出現(xiàn)另一個機會，這源自美國和日本之間的半導體貿易沖突以及隨后的政治調控,。1985年以后,，日本DRAM生產商市場份額的增加，被認為是犧牲了美國生產商的利益,，美日之間的貿易沖突日益加劇,。
日本首先宣布對外國半導體生產商實施半導體貿易協(xié)定（STA），美國政府則于1987年3月宣布了對含日本芯片的日本產品征收反傾銷稅等報復措施,。
最終,，日本承諾通過減少DRAM產量來提高芯片價格。但當時美國計算機行業(yè)需求增長,，導致全球市場上256K DRAM的嚴重短缺,。這為韓國256K DRAM生產商提供了重要的“機會之窗”。
此后韓國一直在趕超,。1988年三星完成4M DRAM芯片設計時,，研發(fā)速度比日本晚6個月，隨后三星又趁著日本經濟泡沫破裂,，東芝,、NEC等巨頭大幅降低半導體投資時機，加大投資,，引進日本技術人員,。并于1992年開發(fā)出世界第一個64M DRAM，超過日本NEC,，成為世界第一大DRAM制造商,。
賭徒：逆周期投資
超越日本成為世界第一大DRAM制造商只是三星帶領韓國半導體產業(yè)邁向世界第一梯隊的第一步,。
1995年之后，三星多次發(fā)起“反周期定律”價格戰(zhàn),，使得DRAM領域多數廠商走向破產,，并逐漸形成DRAM領域只有幾家壟斷市場的現(xiàn)狀。
集邦咨詢拓墣產業(yè)研究院研究經理林建宏對21世紀經濟報道記者表示,，半導體產業(yè)每年需投入大量資本支出,，用于設備與技術的開發(fā)。三星是綜合公司型態(tài),，即使存儲器市場低迷,，仍可透過其他事業(yè)部門注入資金。這讓三星逐步成為半導體產業(yè)巨擘,。
比如,，三星于1984年推出64K DRAM時，全球半導體業(yè)步入一個低潮,，內存價格從每片4美元暴跌至每片30美分,，而三星當時的生產成本是每片1.3美元，這意味著每賣出一片內存三星便虧1美元,。
在低潮期,，英特爾退出DRAM行業(yè)，NEC等日企大幅削減資本開支,，而三星卻像“賭徒”一般瘋狂加碼,，逆周期投資，繼續(xù)擴大產能,，并開發(fā)更大容量的DRAM,。
到1986年底，三星半導體累積虧損3億美元,，股權資本完全虧空,。但轉機卻瞬間來到，1987年,，日美半導體協(xié)議的簽署使得DRAM內存價格回升，三星也為全球半導體市場的需求補缺,，開始盈利,，從逆勢中挺了過去。
在1996年至1999年,，三星再次祭出“反周期定律”,，而彼時日立、NEC,、三菱的內存部門不堪重負,，被母公司剝離,，加上東芝宣布自2002年7月起不再生產通用DRAM，日本DRAM僅剩下爾必達一家,。
再如,，2007年初，因全球DRAM需求過剩,，疊加2008年金融危機,，DRAM顆粒價格從2.25美元暴跌至0.31美元。三星卻將2007年公司總利潤118%用于DRAM擴產,，使得DRAM價格接連跌破現(xiàn)金成本和材料成本,。
在這樣的攻勢下，德國廠商奇夢達于2009年初宣布破產,，日本廠商爾必達于2012年初宣布破產,，三星市占率進一步提升，全球DRAM領域巨頭只剩下三星,、海力士和美光,。
這場價格戰(zhàn)的影響仍在持續(xù)，DRAM從2016年下半年到2018年一季度,，一直處于穩(wěn)定缺貨漲價期中,，在此過程中，三星芯片業(yè)務銷售額達690億美元,，成為全球最大的芯片制造商,。
中國半導體投資聯(lián)盟秘書長王艷輝在5月3日接受21世紀經濟報道記者采訪時表示，在品牌發(fā)展不順的時候,，三星等韓國的企業(yè)并未想到要轉去做代工,，而是繼續(xù)投入，這是韓國能夠出現(xiàn)三星,、海力士等全球領先芯片品牌的原因,。
如何保持第一梯隊優(yōu)勢
王艷輝指出，韓國的半導體產業(yè)是從產業(yè)轉移開端,，在政府主導下,，發(fā)展出自有品牌。
在韓國發(fā)展半導體產業(yè)的過程中,，韓國政府對于產業(yè)的支持力度非常強,，研發(fā)時大力投入，產出后進行保護,。
從1990年開始,，韓國半導體產業(yè)投資興起。從研發(fā)投入來看，1980年時半導體領域研發(fā)投入約為850萬美元,，到1994年時為9億美元,。專利技術也從1989年底的708項上升至1994年的3336項。
1994年,，韓國推出了《半導體芯片保護法》,。此后，韓國政府還指定芯片產業(yè)及技術為影響國家競爭力的核心技術,，致力于高度保障技術及產權,。
龐大的半導體產業(yè)也發(fā)展出以三星和SK海力士為龍頭，IC制造企業(yè),、半導體設備企業(yè)和半導體材料企業(yè)層層分工,，通過外包、代工的方式構建出的龐大半導體產業(yè)鏈,，形成了龍仁,、化成、利川等等半導體產業(yè)城市群,，支撐著韓國的半導體產業(yè)鏈,。
在韓國的半導體產業(yè)進入全球半導體產業(yè)的第一梯隊后，韓國仍希望保持其自身的優(yōu)勢,，不僅通過“BK21”及“BK21+”等計劃對大學,、專業(yè)或研究所進行精準、專項支援,。還在2016年時推出半導體希望基金,，投資于半導體相關企業(yè)，旨在聚焦新技術的開發(fā),，尤其是儲存新技術方面,。
這一系列的政策也基本延續(xù)“政府+大財團”的產業(yè)政策，鼓勵企業(yè)及大學間的結合,，為芯片產業(yè)培養(yǎng)人才,，以維持韓國在半導體產業(yè)上的優(yōu)勢。