在7nm節(jié)點(diǎn)，臺(tái)積電已經(jīng)是雄心勃勃,，除了AMD官方提到的7nm Vega芯片之外,，臺(tái)積電還手握50多個(gè)7nm芯片流片，新工藝性能可提升35%或者功耗降低65%,，未來升級(jí)到5nm之后性能還能再提升15%,，功耗降低20%。

英特爾在14nm,、10nm工藝上的難產(chǎn)給了其他半導(dǎo)體公司趕超的機(jī)會(huì),，由于2019年之前都無法推出10nm芯片，而三星,、臺(tái)積電的7nm工藝今年就會(huì)量產(chǎn)了,，這一輪競(jìng)爭(zhēng)中英特爾真的輸了，哪怕官方多次宣布自家的10nm工藝在性能,、晶體管密度上比其他家的7nm節(jié)點(diǎn)還好也沒用了,。在7nm節(jié)點(diǎn)，臺(tái)積電已經(jīng)是雄心勃勃,，除了AMD官方提到的7nm Vega芯片之外,，臺(tái)積電還手握50多個(gè)7nm芯片流片，新工藝性能可提升35%或者功耗降低65%,，未來升級(jí)到5nm之后性能還能再提升15%,，功耗降低20%。

EEtimes今天報(bào)道了臺(tái)積電的工藝路線圖,，官方公布了7nm及未來的5nm工藝細(xì)節(jié),，首先是第一代7nm工藝，今年將會(huì)量產(chǎn),，后面還有50多個(gè)芯片陸續(xù)流片,，涉及到CPU、GPU,、AI芯片,、加密貨幣芯片、網(wǎng)絡(luò),、游戲,、5G、自動(dòng)駕駛芯片等等行業(yè),。

7nm工藝的性能將提升35%,，或者功耗降低65%，芯片密度達(dá)到3倍水平——原文這里沒提到是跟誰對(duì)比,，不過不可能是10nm,，臺(tái)積電官網(wǎng)上跟10nm工藝對(duì)比的結(jié)果是性能提升20%或者功耗降低40%,，芯片密度1.6倍，因此這里對(duì)比的很可能是臺(tái)積電的16nm工藝,。

第一代7nm工藝沒有使用EUV光刻工藝,，N7+節(jié)點(diǎn)才會(huì)用上EUV光刻機(jī)，不過這個(gè)是制造過程的改變,，N7+工藝的性能沒什么變化,，晶體管密度提升大概20%，功耗降低10%,。

此外,，N7+工藝雖然目前的良率不錯(cuò)，但是還有一些關(guān)鍵單元要到今年底或者明年初才能搞定,，完整用于N7+工藝的EDA工具大概要等到8月份,。

7nm之后臺(tái)積電今年還要風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)5nm工藝，與最初7nm工藝相比,，臺(tái)積電的5nm工藝大概能再降低20%的能耗,，晶體管密度再高1.8倍，至于性能,，預(yù)計(jì)能提升15%,，不過使用新設(shè)備的話可能會(huì)提升25%。

按照之前的規(guī)劃,，臺(tái)積電的5nm工藝預(yù)計(jì)會(huì)在2020年量產(chǎn),，那時(shí)候英特爾順利的話可能會(huì)進(jìn)入7nm節(jié)點(diǎn)了。

 
   臺(tái)積電7nm后的發(fā)展方向  
 

7nm工藝之后,，臺(tái)積電計(jì)劃推出7nm+版本,。不僅如此，臺(tái)積電還計(jì)劃在2020年發(fā)布全新的5nm制造工藝,，該技術(shù)將又比7nm,、7nm+有大幅度提升,，從而進(jìn)一步顯著改善移動(dòng)處理器,。

公司聯(lián)合首席執(zhí)行官魏哲家表示，臺(tái)積電在256M的SRAM芯片上看到了“兩位數(shù)的良率”,，以及將會(huì)使用5nm工藝制造“更大的測(cè)試芯片”,。

這里所說的良率，指的是所生產(chǎn)的芯片能同時(shí)滿足性能和功耗指標(biāo)的百分比,。其中的收益率是和技術(shù)的健康程度成正比的,。

目前臺(tái)積電在5nm工藝上的工作仍未全部完成，良率也偏低,，與符合智能手機(jī)所需要的處理器成本來說,，遠(yuǎn)遠(yuǎn)不能滿足,。不過這是一個(gè)非常好的里程碑技術(shù)，如今也處于正軌之上,。

魏哲家表示,，一些臺(tái)積電的主要客戶——可能是智能手機(jī)處理器大咖級(jí)制造商——已經(jīng)在用該技術(shù)設(shè)計(jì)“功能模塊”了。

雖然這些客戶目前還不能使用該技術(shù)來設(shè)計(jì)完整的產(chǎn)品,，但可能正處于流片測(cè)試階段,，以實(shí)現(xiàn)關(guān)鍵技術(shù)。當(dāng)這一套設(shè)計(jì)完成時(shí),，設(shè)計(jì)人員則可以非常容易的使用5nm技術(shù)來用到別的產(chǎn)品上,。

盡管臺(tái)積電開發(fā)過一些壽命較短的技術(shù)——如20nm、10nm——但這5nm技術(shù)應(yīng)該不屬于其中,。近年來,，臺(tái)積電將轉(zhuǎn)型為長(zhǎng)壽命節(jié)點(diǎn)技術(shù)的公司。

根據(jù)魏哲家的說法,，5nm工藝將擁有較長(zhǎng)的壽命,，它也非常具有成本效益，這就意味著,，該技術(shù)將被更廣泛的使用,，不僅僅是那些追求高性能的產(chǎn)品。

因此,，在2020年5nm工藝投入大規(guī)模的生產(chǎn)之后,，臺(tái)積電還會(huì)在2021年推出5nm+的進(jìn)階產(chǎn)品，也就是對(duì)性能,、功耗,、面積上有所增強(qiáng)，

再到2022年,，我們就可以期待臺(tái)積電的下一次飛躍——3nm,。