地球上除了IBM,、英特爾,、臺積電、三星具有強大的半導體工藝研發(fā)技術實力之外,，比例微電子中心IMEC也是全球知名的半導體研發(fā)中心,，國內的14nm FinFET工藝就是跟他們合作的。在新一代半導體工藝上,，除了三星提及5nm及之后3nm工藝之外,，其他家都沒有具體的5nm、3nm工藝細節(jié)披露,，IMEC上周則宣布了一項新的技術,，制造了全球最小的SRAM芯片，面積縮小了24%,，可適用于未來的5nm工藝,。

由于結構更簡單等原因，每一代新工藝中研發(fā)人員往往會使用SRAM芯片做試點,，誰造出的SRAM芯片核心面積更小就意味著工藝越先進,，此前的記錄是三星在今年2月份的國際會議上宣布的6T 256Mb SRAM芯片，面積只有0.026mm2,，不過IMEC上周聯(lián)合Unisantis公司開發(fā)的新一代6T 256Mb SRAM芯片打破了這個記錄,，核心面積只有0.0184到0.0205mm2，相比三星的SRAM微縮了24%,。

　　面積能大幅縮小的原因就在于使用了新的晶體管結構,，Unisantis與IMEC使用的是前者開發(fā)的垂直型環(huán)繞柵極(Surrounding Gate Transistor，簡稱SGT)結構,，最小柵極距只有50nm,。研究表明，與水平型GAA晶體管相比,，垂直型SGT單元GAA晶體管面積能夠縮小20-30%,，同時在工作電壓、漏電流及穩(wěn)定性上表現(xiàn)更佳,。

　　目前IMEC正在跟Unisantis公司一起定制新工藝的關鍵工藝流程及步驟,，通過一種新穎的工藝協(xié)同優(yōu)化DTCO技術，研發(fā)人員就能使用50nm間距制造出0.0205mm2的SRAM單元,，該工藝能夠適用于未來的5nm工藝節(jié)點,。

　　此外，該工藝還能使用EUV光刻工藝，減少工藝步驟,，從而使得設計成本與傳統(tǒng)FinFET工藝相當,。