適用于在極寒環(huán)境中需維持高可靠性的產(chǎn)業(yè)機械應(yīng)用

　　上海,，2018年6月13日 – 富士通電子元器件（上海）有限公司今天宣布,，推出新款64-Kbit FRAM---MB85RS64TU（注一）,。該款內(nèi)存能在-55℃中正常運行,，為富士通電子旗下首款能耐受如此低溫的FRAM非易失性內(nèi)存，現(xiàn)已量產(chǎn)供貨,。

　　此款產(chǎn)品支持1.8V至3.6V的極廣范圍電源電壓,。其工作溫度更是超越競爭對手，最低達到-55℃,。由于它能在運行溫度范圍內(nèi)保證10兆次的讀/寫周期,，故適合用于在極寒地區(qū)挖掘天然氣與石油的設(shè)備、機械等產(chǎn)業(yè)機械,。MB85RS64TU適用于例如測量設(shè)備,、流量計、及機器人等的一般工業(yè)應(yīng)用,。

　　20年來,，富士通量產(chǎn)各種FRAM非易失性內(nèi)存產(chǎn)品，具備高速寫入運行,、極高的讀/寫耐用度,、及低功耗等特色。值得一提的是,，F(xiàn)RAM產(chǎn)品保證10兆次的讀/寫周期,，約為非易失性內(nèi)存EEPROM的1千萬倍。因此許多需要頻繁覆寫數(shù)據(jù)的工業(yè)應(yīng)用,，像實時數(shù)據(jù)記錄與3D位置數(shù)據(jù)記錄等,，都采用富士通電子的FRAM產(chǎn)品。

　　針對-55℃運行的應(yīng)用

　　富士通電子今日推出新款64-Kbit FRAM產(chǎn)品MB85RS64TU,，其運行溫度最低達到-55℃,，進一步延伸現(xiàn)有產(chǎn)品-40℃的低溫極限。新款產(chǎn)品的開發(fā)目標(biāo),，是為滿足客戶對于產(chǎn)業(yè)機械搭載的內(nèi)存必須能在極度寒冷的環(huán)境下運行的需求,。

　　SOP與SON封裝的MB85RS64TU

　　MB85RS64TU的運行電源電壓范圍為1.8V-3.6V，連接SPI接口的最高頻率為10MHz,，而運行溫度范圍則為-55°C ~ +85°C,。

　　FRAM產(chǎn)品已推出業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)的SOP8封裝，使其能輕易取代8針腳SOP封裝的EEPROM,。此外,，還提供擁有2.00 x 3.00 x 0.75 mm極小尺寸的SON8封裝。SON的表面貼裝面積僅為SOP封裝的30%,，而貼裝體積更僅為SOP的13%,。

　　去年,，富士通電子推出能在125°C環(huán)境中運作的FRAM產(chǎn)品，擴展運行溫度的高溫極限,；此次開發(fā)出的-55°C產(chǎn)品,，則擴展運行溫度的低溫極限。

　　富士通電子致力于開發(fā)最適合客戶應(yīng)用的內(nèi)存產(chǎn)品,，為此我們將持續(xù)提供產(chǎn)品與解決方案,，協(xié)助客戶的各種應(yīng)用發(fā)揮更好的價值與便利性。

　　產(chǎn)品規(guī)格

　　  組件料號：MB85RS64TU

　　  密度 (組態(tài))：64Kbit (8K x 8 位)

　　  界面：SPI (Serial peripheral interface)

　　  運作頻率：10MHz（Max）

　　  運作電壓：1.8V - 3.6V

　　  運作溫度范圍：-55°C ~ +85°C

　　  讀/寫耐用度：10 兆次 (1013 次)

　　  封裝規(guī)格：SOP8,，SON8

　　詞匯與備注

　　注一：鐵電隨機存取內(nèi)存（FRAM）

　　FRAM是一種采用鐵電質(zhì)薄膜作為電容器以儲存數(shù)據(jù)的內(nèi)存,，即便在沒有電源的情況下仍可保存數(shù)據(jù)。FRAM結(jié)合了ROM和RAM的特性,，并擁有高速寫入數(shù)據(jù),、低功耗和高速讀/寫周期的優(yōu)點。富士通半導(dǎo)體自1999年即開始生產(chǎn)FRAM,，亦稱為FeRAM,。