適用于在極寒環(huán)境中需維持高可靠性的產(chǎn)業(yè)機(jī)械應(yīng)用

　　上海,，2018年6月13日 – 富士通電子元器件（上海）有限公司今天宣布,，推出新款64-Kbit FRAM---MB85RS64TU（注一）。該款內(nèi)存能在-55℃中正常運(yùn)行,，為富士通電子旗下首款能耐受如此低溫的FRAM非易失性內(nèi)存,，現(xiàn)已量產(chǎn)供貨。

　　此款產(chǎn)品支持1.8V至3.6V的極廣范圍電源電壓,。其工作溫度更是超越競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手,，最低達(dá)到-55℃。由于它能在運(yùn)行溫度范圍內(nèi)保證10兆次的讀/寫周期,，故適合用于在極寒地區(qū)挖掘天然氣與石油的設(shè)備,、機(jī)械等產(chǎn)業(yè)機(jī)械。MB85RS64TU適用于例如測(cè)量設(shè)備,、流量計(jì),、及機(jī)器人等的一般工業(yè)應(yīng)用。

　　20年來,，富士通量產(chǎn)各種FRAM非易失性內(nèi)存產(chǎn)品,，具備高速寫入運(yùn)行、極高的讀/寫耐用度,、及低功耗等特色,。值得一提的是,，F(xiàn)RAM產(chǎn)品保證10兆次的讀/寫周期,，約為非易失性內(nèi)存EEPROM的1千萬倍,。因此許多需要頻繁覆寫數(shù)據(jù)的工業(yè)應(yīng)用,，像實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)記錄與3D位置數(shù)據(jù)記錄等,，都采用富士通電子的FRAM產(chǎn)品,。

　　針對(duì)-55℃運(yùn)行的應(yīng)用

　　富士通電子今日推出新款64-Kbit FRAM產(chǎn)品MB85RS64TU,，其運(yùn)行溫度最低達(dá)到-55℃,，進(jìn)一步延伸現(xiàn)有產(chǎn)品-40℃的低溫極限。新款產(chǎn)品的開發(fā)目標(biāo),，是為滿足客戶對(duì)于產(chǎn)業(yè)機(jī)械搭載的內(nèi)存必須能在極度寒冷的環(huán)境下運(yùn)行的需求,。

　　SOP與SON封裝的MB85RS64TU

　　MB85RS64TU的運(yùn)行電源電壓范圍為1.8V-3.6V，連接SPI接口的最高頻率為10MHz,，而運(yùn)行溫度范圍則為-55°C ~ +85°C,。

　　FRAM產(chǎn)品已推出業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)的SOP8封裝，使其能輕易取代8針腳SOP封裝的EEPROM,。此外,，還提供擁有2.00 x 3.00 x 0.75 mm極小尺寸的SON8封裝。SON的表面貼裝面積僅為SOP封裝的30%,，而貼裝體積更僅為SOP的13%,。

　　去年，富士通電子推出能在125°C環(huán)境中運(yùn)作的FRAM產(chǎn)品,，擴(kuò)展運(yùn)行溫度的高溫極限,；此次開發(fā)出的-55°C產(chǎn)品，則擴(kuò)展運(yùn)行溫度的低溫極限,。

　　富士通電子致力于開發(fā)最適合客戶應(yīng)用的內(nèi)存產(chǎn)品,，為此我們將持續(xù)提供產(chǎn)品與解決方案，協(xié)助客戶的各種應(yīng)用發(fā)揮更好的價(jià)值與便利性,。

　　產(chǎn)品規(guī)格

　　  組件料號(hào)：MB85RS64TU

　　  密度 (組態(tài))：64Kbit (8K x 8 位)

　　  界面：SPI (Serial peripheral interface)

　　  運(yùn)作頻率：10MHz（Max）

　　  運(yùn)作電壓：1.8V - 3.6V

　　  運(yùn)作溫度范圍：-55°C ~ +85°C

　　  讀/寫耐用度：10 兆次 (1013 次)

　　  封裝規(guī)格：SOP8,，SON8

　　詞匯與備注

　　注一：鐵電隨機(jī)存取內(nèi)存（FRAM）

　　FRAM是一種采用鐵電質(zhì)薄膜作為電容器以儲(chǔ)存數(shù)據(jù)的內(nèi)存，即便在沒有電源的情況下仍可保存數(shù)據(jù),。FRAM結(jié)合了ROM和RAM的特性,，并擁有高速寫入數(shù)據(jù)、低功耗和高速讀/寫周期的優(yōu)點(diǎn),。富士通半導(dǎo)體自1999年即開始生產(chǎn)FRAM,，亦稱為FeRAM。