三星終于宣布開始大規(guī)模生產(chǎn)其第五代V-NAND存儲芯片,，聲稱其堆疊層數(shù)超過90層,，可能指的是其96層,，制造生產(chǎn)率可提高30%以上,。三星新的V-NAND支持Toggle DDR4.0 NAND接口,，可擁有更高的傳輸速度。

　　另外,，三星新的V-NAND效能與64層3D NAND相當,，主要是因為其工作電壓從1.8V降低至1.2V，而且更快的數(shù)據(jù)讀寫速度,，較上一代提高30%,。三星新技術(shù)推出的256Gb V-NAND數(shù)據(jù)存儲速度達到1.4Gbps，相較于64層3D NAND提高40%,。

　　三星Flash產(chǎn)品和技術(shù)執(zhí)行副總裁Kye Hyun Kyung表示,，三星第五代V-NAND堆疊層數(shù)在90層以上，將加快提供先進的第五代V-NAND產(chǎn)品解決方案滿足快速增長的市場,。

　　三星還將推出容量高達1Tb和QLC V-NAND,，將繼續(xù)推動下一代存儲解決方案的發(fā)展。三星將迅速擴大第五代V-NAND生產(chǎn),，以滿足廣泛的市場需求,，因為先進的技術(shù)將推動高存儲密度在智能型手機、超級計算機,、企業(yè)服務(wù)器等市場應(yīng)用,。

　　除了三星，東芝和西部數(shù)據(jù)早在2017年7月就宣稱已經(jīng)成功開發(fā)出96層3D NAND和QLC技術(shù),，若采用QLC架構(gòu)單顆Die容量可以達到1Tb,。2018年東芝和西部數(shù)據(jù)加碼投資Fab6工廠生產(chǎn)所需的設(shè)備，用于量產(chǎn)96層3D NAND,，計劃在下半年開始量產(chǎn),。繼東芝和西部數(shù)據(jù)之后，美光和英特爾宣布量產(chǎn)64層3D NAND,，由于基于QLC架構(gòu),，所以單顆Die容量可以達到1Tb，同時開始給合作伙伴送樣96層3D NAND,。

　　在原廠技術(shù)快速發(fā)展下,，2018年64層3D NAND已是主流技術(shù),，容量256Gb、512Gb,，廣泛用于SSD產(chǎn)品中,，隨著技術(shù)的進一步發(fā)展，且主控廠Marvell,、慧榮,、群聯(lián)等紛紛針對QLC和96層3D NAND技術(shù)進行控制芯片的調(diào)整，預(yù)計2019年96層將成為各家原廠的主流技術(shù),，且推動1Tb容量快速在市場上應(yīng)用,，迎來大容量需求爆發(fā)。