4月16日消息，三星計(jì)劃在本月晚些時(shí)候開(kāi)始量產(chǎn)第九代V-NAND閃存,，可用的堆疊層數(shù)達(dá)290層,，相比現(xiàn)在的236層只增加不到23％。
這一代新閃存將采用新的堆疊架構(gòu),，底部是CMOS層加邏輯電路，上邊是145層閃存陣列,，再上邊又是145層閃存陣列,。
這種方法雖然更復(fù)雜，但是良品率可以得到很好的保障,，而且可以輕松進(jìn)一步拓展,。
按照三星的規(guī)劃，2025年下半年將量產(chǎn)第十代V-NAND,，進(jìn)一步堆疊到430層,。
更遙遠(yuǎn)的未來(lái)，三星可能會(huì)在2030年左右做到1000層,。
中國(guó)長(zhǎng)江存儲(chǔ)可能會(huì)在今年下半年量產(chǎn)300層,，SK海力士計(jì)劃明年初量產(chǎn)321層，鎧俠號(hào)稱2031年量產(chǎn)1000多層,！
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