7 月 3 日消息,，根據(jù)韓媒 The Elec 報(bào)道,，三星在其第 9 代 V-NAND 的“金屬布線”（metal wiring）中首次嘗試使用鉬（Mo）

注：半導(dǎo)體制造過(guò)程中八大工藝分別為：晶圓制造,、氧化,、光刻,、刻蝕、沉積,、金屬布線,、測(cè)試和封裝。

其中金屬布線工藝主要是使用不同的方式連接數(shù)十億個(gè)電子元器件,，形成不同的半導(dǎo)體（CPU,、GPU 等），可以說(shuō)是“為半導(dǎo)體注入了生命”,。

消息人士稱三星公司已從 Lam Research 公司引進(jìn)了五臺(tái) Mo 沉積機(jī),，此外還計(jì)劃明年再引進(jìn) 20 臺(tái)設(shè)備。

除三星電子外,，SK 海力士,、美光和 Kioxia 等公司也在考慮使用鉬。和現(xiàn)有 NAND 工藝中所使用的六氟化鎢（WF6）不同,，鉬前驅(qū)體（molybdenum precursor）是固態(tài),，必須在 600℃ 的高溫下才能升華直接轉(zhuǎn)化為氣態(tài)，而這個(gè)過(guò)程需要單獨(dú)的沉積設(shè)備,。

三星今年 5 月報(bào)道,，已經(jīng)啟動(dòng)了首批第九代 V-NAND 閃存量產(chǎn)，位密度比第八代 V-NAND 提高了約 50%,。

第九代 V-NAND 配備了下一代 NAND 閃存接口“Toggle 5.1”,，可將數(shù)據(jù)輸入 / 輸出速度提高 33%，最高可達(dá)每秒 3.2 千兆位（Gbps）,。除了這個(gè)新接口,，三星還計(jì)劃通過(guò)擴(kuò)大對(duì) PCIe 5.0 的支持來(lái)鞏固其在高性能固態(tài)硬盤市場(chǎng)的地位。