英特爾這些年來能叱咤CPU領(lǐng)域,，一方面在于他們有強(qiáng)悍的芯片設(shè)計(jì)能力,；另一方面,，在制程上的領(lǐng)先,，是他們能持續(xù)保持領(lǐng)先的根本,。在過往,，他們自有的晶圓廠在制造能力上領(lǐng)先于所有競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手,，包括專注于晶圓代工的臺(tái)積電,。但最近他們?cè)?0nm上面陷入泥潭,，這就給其競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手AMD帶來了機(jī)遇。
據(jù)Solidot透露,，AMD 下一代的 Rome 服務(wù)器處理器相比英特爾的 Ice Lake Xeon 服務(wù)器處理器,，可能將其歷史首次在制造工藝上具有優(yōu)勢(shì),。Rome 基于 Zen 2 架構(gòu)，相比第一代的 EPYC 處理器,，Rome 的 IPC 性能改進(jìn)了 10-15%,，將最高有 64 個(gè)核心。
預(yù)計(jì)從下半年開始試制樣品,，明年全面投產(chǎn),。處理器由臺(tái)積電或 GlobalFoundries 制造，或兩家都參與生產(chǎn),，采用 7 納米制造工藝,。而這兩家代工廠的7nm工藝都進(jìn)展非常順利。
臺(tái)積電方面,，今年六月,，該公司的CEO魏哲家在其舉辦的技術(shù)研討會(huì)上表示，臺(tái)積電7nm制程的芯片已經(jīng)開始量產(chǎn),。根據(jù)臺(tái)積電官方介紹,，與其10nm FinFET工藝相比，臺(tái)積電的7nm FinFET具有1.6倍邏輯密度,，約20％的速度提升和約40％的功耗降低,。臺(tái)積電通過推出兩個(gè)獨(dú)立的7nm FinFET路徑（一個(gè)針對(duì)移動(dòng)應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化，另一個(gè)針對(duì)高性能計(jì)算應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化）創(chuàng)造了又一個(gè)行業(yè)記錄,。這也將成為他們下半年的一個(gè)營(yíng)收重點(diǎn),。
在日前舉辦的Q2法說會(huì)，臺(tái)積電表示,，其7納米正按計(jì)劃推進(jìn),，預(yù)計(jì)下半年將開始貢獻(xiàn)收入。同時(shí),，臺(tái)積電對(duì)7納米制程發(fā)展深具信心,，預(yù)期第3季7納米制程比重將達(dá)10%，第4季7納米制程單季比重可望進(jìn)一步達(dá)20%水準(zhǔn),。
到明年,，他們又將領(lǐng)先群雄，率先導(dǎo)入EUV量產(chǎn),，意味再次棒打英特爾,、三星等勁敵，晶圓代工龍頭地位屹立不搖,。臺(tái)積電董事長(zhǎng)魏哲家證實(shí)，臺(tái)積電導(dǎo)入EUV的7nm強(qiáng)化版（7+）將于明年第2季量產(chǎn),，是全球首家采用EUV為客戶量產(chǎn)芯片的晶圓代工廠,。屆時(shí)7nm將貢獻(xiàn)超過20%業(yè)績(jī),，即明年7納米制程業(yè)績(jī)將較今年激增1倍以上。
而AMD的緊密合作伙伴格芯在7nm方面也進(jìn)展順利,。根據(jù)外媒透露,，身為 AMD 專用晶圓廠，格芯技術(shù)長(zhǎng) Gary Patton 在年初層指出,，目前格芯即將投入生產(chǎn)的 7 納米制程可讓芯片面積大幅減少,。 根據(jù)格芯計(jì)算，在同等晶體管數(shù)量下,，7 納米制程的芯片將是 14 納米制程芯片的 1/2.7,，芯片發(fā)熱量減少、更高的頻率都將可期待,。
在五月的時(shí)候,，為了應(yīng)對(duì)臺(tái)積電的競(jìng)爭(zhēng)，他們調(diào)整了 7 納米制程的閘極距以及 SRAM 單元,，使之與臺(tái)積電的 7 納米制程更加相近,，這就能讓 AMD 能同時(shí)使用兩家的 7 納米制程。格芯還進(jìn)一步指出,，對(duì)于 AMD 另外采用臺(tái)積電作為代工廠也表示理解,。原因是 AMD 的訂單需求超過了格芯的產(chǎn)能，因此尋求臺(tái)積電加入代工,，這對(duì)格芯來說是完全沒有問題的,。
至于英特?zé)岬腎ce Lake 方面， 細(xì)節(jié)所知不多,，但正如前面所說,，英特爾的 10 納米技術(shù)遭遇了多次延期，目前大規(guī)模量產(chǎn)已推遲到 2019 年的某個(gè)時(shí)間,。根據(jù) Scotten Jones 的分析,，英特爾的 10 納米節(jié)點(diǎn)與臺(tái)積電和 GlobalFoundries 的 7 納米節(jié)點(diǎn)幾乎相差不大，而 7 納米節(jié)點(diǎn)在晶體管密度上略有優(yōu)勢(shì),。這將是 AMD 的服務(wù)器芯片首次在晶體管密度領(lǐng)先于英特爾,。