韓國(guó)《朝鮮日?qǐng)?bào)》8月7日?qǐng)?bào)道,，中國(guó)國(guó)營(yíng)半導(dǎo)體企業(yè)清華紫光推出自主研發(fā)的內(nèi)存芯片，將在美國(guó)硅谷首次公開,。在中美貿(mào)易戰(zhàn)的背景之下,，中國(guó)半導(dǎo)體企業(yè)宣布進(jìn)軍市場(chǎng)。
報(bào)道稱，清華紫光的子公司長(zhǎng)江存儲(chǔ)（YMTC）從7日出席美國(guó)《 美國(guó)的快閃記憶體高峰會(huì)（Flash Memory Summit）》,，公開32層,、64層3D NAND。YMTC的CEO楊士寧7日做主旨演講,，介紹新產(chǎn)品,。
YMTC此次公開的NAND當(dāng)中，32層產(chǎn)品將于2018年下半年進(jìn)入試產(chǎn)階段,。目前三星和SK海力士生產(chǎn)的是96層,、72層產(chǎn)品。
YMTC透露,，新產(chǎn)品使用的是3D NAND架構(gòu)創(chuàng)新技術(shù)X-tacking,，有效提高了數(shù)據(jù)處理速度。
X-tacking架構(gòu)的細(xì)節(jié)
該架構(gòu)將用于其即將推出的3D NAND閃存芯片,。該技術(shù)涉及使用兩個(gè)晶圓構(gòu)建NAND芯片：一個(gè)晶圓包含基于電荷陷阱架構(gòu)的實(shí)際閃存單元,，另一個(gè)晶圓采用CMOS邏輯。
傳統(tǒng)上,，NAND閃存的制造商使用單一工藝技術(shù)在一個(gè)芯片上產(chǎn)生存儲(chǔ)器陣列以及NAND邏輯（地址解碼,，頁(yè)面緩沖器等）。相比之下,，長(zhǎng)江存儲(chǔ)打算使用不同的工藝技術(shù)在兩個(gè)不同的晶圓上制作NAND陣列和NAND邏輯,，然后將兩個(gè)晶圓粘合在一起，使用一個(gè)額外的工藝步驟通過(guò)金屬通孔將存儲(chǔ)器陣列連接到邏輯,。
Xtacking架構(gòu)旨在使NAND獲得超快的I/O接口速度,，同時(shí)最大化其內(nèi)存陣列的密度。
長(zhǎng)江存儲(chǔ)表示,，其64層3D NAND芯片的I/O接口速度為3Gbps,，比三星最新的V-NAND快兩倍，比主流3D NAND快三倍,。
從理論上講,，高I/O性能將使SSD供應(yīng)商能夠只用較少的NAND通道制作低容量SSD而不會(huì)影響性能，從而抵消了高傳輸率的低并行性,。
此外,，通過(guò)將控制邏輯定位在NAND存儲(chǔ)器陣列下方，長(zhǎng)江存儲(chǔ)表示Xtacking架構(gòu)允許最大化其3D NAND容量,，并最小化芯片的尺寸,。
長(zhǎng)江存儲(chǔ)稱，由于存儲(chǔ)密度的增大可以抵消額外的邏輯晶圓成本,，使用兩個(gè)300毫米晶圓不會(huì)顯著增加生產(chǎn)成本,。與其他制造商一樣,，長(zhǎng)江存儲(chǔ)沒有公開用于3D NAND的光刻節(jié)點(diǎn)，只對(duì)外公布使用XMC的工廠生產(chǎn)內(nèi)存和邏輯,，并稱外圍邏輯晶元將使用180nm制程加工。
由于兩種晶圓均采用成熟的制造技術(shù)進(jìn)行加工,，因此長(zhǎng)江存儲(chǔ)不需要非常高的混合和匹配覆蓋精度來(lái)將它們粘合在一起并形成互連通孔,。
一般來(lái)說(shuō)，存儲(chǔ)顆粒制造商傾向于將模具尺寸保持在較低的水平,，以提高競(jìng)爭(zhēng)力和盈利能力,。對(duì)于2D NAND來(lái)說(shuō)，在涉及到通常的Gb/mm2指標(biāo)時(shí),，拋開所有復(fù)雜性和產(chǎn)率,，較小的芯片會(huì)讓晶圓成本分散在更多芯片上，進(jìn)而在成本方面獲勝,。
而隨著晶圓在化學(xué)氣相沉積（CVD）機(jī)器上花費(fèi)更多時(shí)間,，3D NAND技術(shù)變得更加復(fù)雜，因此晶圓廠加工的晶圓數(shù)量以及晶圓本身的成本不再是至關(guān)重要的指標(biāo),。
盡管如此,，它們對(duì)于像長(zhǎng)江存儲(chǔ)這樣的公司來(lái)說(shuō)，通過(guò)將控制邏輯放在內(nèi)存數(shù)組中,，使其NAND密度最大化就已經(jīng)足夠重要了,。
中國(guó)半導(dǎo)體的出征
YMTC計(jì)劃先在位于中國(guó)武漢的工廠進(jìn)行生產(chǎn)，后將在中國(guó)南京建廠,，從明年開始提高產(chǎn)量,。中國(guó)的NAND進(jìn)入市場(chǎng)已成為不可阻擋的趨勢(shì)，市場(chǎng)調(diào)查機(jī)構(gòu)預(yù)測(cè)認(rèn)為,，NAND價(jià)格到2019年將持續(xù)下降,。
中國(guó)政府為2025年內(nèi)存半導(dǎo)體自給率提高至70%，已投入資金達(dá)1,000億美元,。對(duì)此半導(dǎo)體業(yè)界認(rèn)為,，如果中國(guó)政府要求國(guó)內(nèi)企業(yè)替代進(jìn)口使用國(guó)產(chǎn)內(nèi)存，將會(huì)推動(dòng)國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)快速增長(zhǎng),。
韓國(guó)業(yè)界人士表示：“中國(guó)企業(yè)先攻占電腦等低價(jià)產(chǎn)品市場(chǎng),，日后將進(jìn)入服務(wù)器等高價(jià)產(chǎn)品市場(chǎng)?！?/p>
韓國(guó)兩大半導(dǎo)體生產(chǎn)商三星電子和SK海力士為應(yīng)對(duì)中國(guó)企業(yè)的崛起,，正積極擴(kuò)大投資規(guī)模和努力留住人才。三星電子在京畿道平澤半導(dǎo)體工廠開始建第二生產(chǎn)線,，計(jì)劃投資30兆韓元（1韓元約合0.00088美元）,。SK海力士也決定在京畿道利川新建M16工廠,，計(jì)劃投資15兆韓元。
韓國(guó)企業(yè)也積極開展留住人才的工作,。這是為了阻止中國(guó)企業(yè)以天文數(shù)字年薪挖走韓國(guó)企業(yè)半導(dǎo)體人才,。近日，三星顯示器起訴中國(guó)BOE子公司挖走的員工,，韓國(guó)水原地方法院對(duì)該員工判轉(zhuǎn)職禁止處分,，如有違背，向三星顯示器每天交納1,000萬(wàn)韓幣,。