韓國《朝鮮日報》8月7日報道，中國國營半導體企業(yè)清華紫光推出自主研發(fā)的內(nèi)存芯片,，將在美國硅谷首次公開,。在中美貿(mào)易戰(zhàn)的背景之下，中國半導體企業(yè)宣布進軍市場,。
報道稱,，清華紫光的子公司長江存儲（YMTC）從7日出席美國《 美國的快閃記憶體高峰會（Flash Memory Summit）》，公開32層,、64層3D NAND,。YMTC的CEO楊士寧7日做主旨演講，介紹新產(chǎn)品,。
YMTC此次公開的NAND當中,，32層產(chǎn)品將于2018年下半年進入試產(chǎn)階段。目前三星和SK海力士生產(chǎn)的是96層,、72層產(chǎn)品,。
YMTC透露，新產(chǎn)品使用的是3D NAND架構創(chuàng)新技術X-tacking,，有效提高了數(shù)據(jù)處理速度,。
X-tacking架構的細節(jié)
該架構將用于其即將推出的3D NAND閃存芯片。該技術涉及使用兩個晶圓構建NAND芯片：一個晶圓包含基于電荷陷阱架構的實際閃存單元,，另一個晶圓采用CMOS邏輯,。
傳統(tǒng)上，NAND閃存的制造商使用單一工藝技術在一個芯片上產(chǎn)生存儲器陣列以及NAND邏輯（地址解碼,，頁面緩沖器等）,。相比之下,，長江存儲打算使用不同的工藝技術在兩個不同的晶圓上制作NAND陣列和NAND邏輯，然后將兩個晶圓粘合在一起,，使用一個額外的工藝步驟通過金屬通孔將存儲器陣列連接到邏輯,。
Xtacking架構旨在使NAND獲得超快的I/O接口速度，同時最大化其內(nèi)存陣列的密度,。
長江存儲表示,，其64層3D NAND芯片的I/O接口速度為3Gbps，比三星最新的V-NAND快兩倍,，比主流3D NAND快三倍,。
從理論上講，高I/O性能將使SSD供應商能夠只用較少的NAND通道制作低容量SSD而不會影響性能,，從而抵消了高傳輸率的低并行性,。
此外，通過將控制邏輯定位在NAND存儲器陣列下方,，長江存儲表示Xtacking架構允許最大化其3D NAND容量,，并最小化芯片的尺寸。
長江存儲稱,，由于存儲密度的增大可以抵消額外的邏輯晶圓成本,，使用兩個300毫米晶圓不會顯著增加生產(chǎn)成本。與其他制造商一樣,，長江存儲沒有公開用于3D NAND的光刻節(jié)點,，只對外公布使用XMC的工廠生產(chǎn)內(nèi)存和邏輯，并稱外圍邏輯晶元將使用180nm制程加工,。
由于兩種晶圓均采用成熟的制造技術進行加工,，因此長江存儲不需要非常高的混合和匹配覆蓋精度來將它們粘合在一起并形成互連通孔。
一般來說,，存儲顆粒制造商傾向于將模具尺寸保持在較低的水平,，以提高競爭力和盈利能力。對于2D NAND來說,，在涉及到通常的Gb/mm2指標時,，拋開所有復雜性和產(chǎn)率，較小的芯片會讓晶圓成本分散在更多芯片上,，進而在成本方面獲勝,。
而隨著晶圓在化學氣相沉積（CVD）機器上花費更多時間，3D NAND技術變得更加復雜,，因此晶圓廠加工的晶圓數(shù)量以及晶圓本身的成本不再是至關重要的指標,。
盡管如此，它們對于像長江存儲這樣的公司來說,，通過將控制邏輯放在內(nèi)存數(shù)組中,，使其NAND密度最大化就已經(jīng)足夠重要了,。
中國半導體的出征
YMTC計劃先在位于中國武漢的工廠進行生產(chǎn)，后將在中國南京建廠,，從明年開始提高產(chǎn)量,。中國的NAND進入市場已成為不可阻擋的趨勢，市場調(diào)查機構預測認為,，NAND價格到2019年將持續(xù)下降,。
中國政府為2025年內(nèi)存半導體自給率提高至70%，已投入資金達1,000億美元,。對此半導體業(yè)界認為,，如果中國政府要求國內(nèi)企業(yè)替代進口使用國產(chǎn)內(nèi)存，將會推動國產(chǎn)存儲產(chǎn)業(yè)快速增長,。
韓國業(yè)界人士表示：“中國企業(yè)先攻占電腦等低價產(chǎn)品市場，日后將進入服務器等高價產(chǎn)品市場,?！?/p>
韓國兩大半導體生產(chǎn)商三星電子和SK海力士為應對中國企業(yè)的崛起，正積極擴大投資規(guī)模和努力留住人才,。三星電子在京畿道平澤半導體工廠開始建第二生產(chǎn)線,，計劃投資30兆韓元（1韓元約合0.00088美元）。SK海力士也決定在京畿道利川新建M16工廠,，計劃投資15兆韓元,。
韓國企業(yè)也積極開展留住人才的工作。這是為了阻止中國企業(yè)以天文數(shù)字年薪挖走韓國企業(yè)半導體人才,。近日,，三星顯示器起訴中國BOE子公司挖走的員工，韓國水原地方法院對該員工判轉職禁止處分,，如有違背,，向三星顯示器每天交納1,000萬韓幣。