更為嚴格的行業(yè)標準和政府法規(guī)的變遷是更高能效產(chǎn)品的關(guān)鍵驅(qū)動因素,。例如數(shù)據(jù)中心正呈指數(shù)級增長以跟上需求,，其耗電量約占全球總電力供應(yīng)量（+ 400TWh）的3％，也占總溫室氣體排放量的2％,，與航空業(yè)的碳排放量相同,。在這些巨大的能源需求之下，各地政府正加緊實施更嚴格的標準和新的法規(guī),，以確保所有依賴能源的產(chǎn)品必須達到最高能效,。

　　我們也看到對更高功率密度和更小空間的需求。電動汽車正嘗試減輕重量并提高能效,，以實現(xiàn)更高的續(xù)航里程,。車載充電器（OBC）和牽引逆變器如今正在采用寬禁帶產(chǎn)品來達標。

　　SiC和GaN是寬禁帶(WBG)材料,，為下一代功率器件提供基礎(chǔ),。與硅相比，它們的特性和性能更出色,，因為其類金剛石的結(jié)構(gòu)要求更高的能量,，以將穩(wěn)定的電子移動到傳導之中。

　　其主要的優(yōu)勢之一是顯著減少開關(guān)損耗,，這使器件工作更低溫,，有助于縮小散熱器和成本。其次是增加了開關(guān)速度,。如今設(shè)計師能超越硅MOSFET或IGBT的物理極限,，讓系統(tǒng)能夠減少變壓器,、電感器和電容器等無源元件。因此WBG方案能提高系統(tǒng)能效,、縮小尺寸,、降低元件成本、及提高功率密度,。

　　安森美SiC及GaN產(chǎn)品

　　SiC二極管廣泛用于各種要求最高能效的PFC 拓撲,。EMI極快的反向恢復使其也更容易處理。安森美半導體提供完整的650V和1200V SiC二極管陣容,，涵蓋單相和多相應(yīng)用中的所有功率范圍,。我們的1200V MOSFET將于2018年晚些時候發(fā)布，它們將提供最高的性能,、出色的堅固性和高可靠性,。安森美半導體擁有終端結(jié)構(gòu)專利，確保免受任何與濕氣相關(guān)的故障,。

　　GaN越來越受市場接受,。這技術(shù)經(jīng)歷了幾次迭代；從'D模式',、到共源共柵（Cascode）,、到現(xiàn)在最新的'E模式'（常關(guān)）設(shè)備。GaN具有閃電般速度,，對PCB布局和門驅(qū)動的要求很高,。我們看到設(shè)計人員現(xiàn)了解如何使用GaN及其與硅相比的顯著優(yōu)勢。我們正與領(lǐng)先的汽車和工業(yè)伙伴合作,，為下一代系統(tǒng)（如OBC和服務(wù)器電源）提供最高的功率密度和能效,。我們將于2018年晚些時候發(fā)布新品，其中將包括安森美半導體為GaN量身定制的更多篩選技術(shù)和工藝,，以確保提供市場上最高質(zhì)量的產(chǎn)品,。