全球一號代工廠臺積電宣布了有關極紫外光刻(EUV)技術的兩項重磅突破，一是首次使用7nm EUV工藝完成了客戶芯片的流片工作,，二是5nm工藝將在2019年4月開始試產,。今年4月開始，臺積電第一代7nm工藝(CLN7FF/N7)投入量產,，蘋果A12,、華為麒麟980、高通“驍龍855”,、AMD下代銳龍/霄龍等處理器都正在或將會使用它制造,，但仍在使用傳統(tǒng)的深紫外光刻(DUV)技術。

　　而接下來的第二代7nm工藝(CLNFF+/N7+),，臺積電將首次應用EUV,，不過僅限四個非關鍵層，以降低風險,、加速投產,，也借此熟練掌握ASML的新式光刻機Twinscan NXE。

　　7nm EVU相比于7nm DUV的具體改進公布得還不多,，臺積電只說能將晶體管密度提升20%,，同等頻率下功耗可降低6-12%。

　　如今在7nm EUV工藝上成功完成流片,，證明了新工藝新技術的可靠和成熟,，為后續(xù)量產打下了堅實基礎。

　　臺積電沒有透露這次流片成功的芯片來自哪家客戶,，但是想想各家和臺積電的合作關系,，其實不難猜測。

　　7nm之后，臺積電下一站將是5nm(CLN5FF/N5),，將在多達14個層上應用EUV,，首次全面普及，號稱可比初代7nm工藝晶體管密度提升80%從而將芯片面積縮小45%,，還可以同功耗頻率提升15%,，同頻功耗降低20%。

　　2019年4月,，臺積電的5nm EUV工藝將開始風險性試產,，量產則有望在2020年第二季度開始，正好滿足后年底各家旗艦新平臺,。

　　臺積電5nm工藝的EDA設計工具將在今年11月提供,，因此部分客戶應該已經開始基于新工藝開發(fā)芯片了。

　　隨著半導體工藝的急劇復雜化,，不僅開發(fā)量產新工藝的成本大幅增加,，開發(fā)相應芯片也越來越費錢，目前估計平均得花費1.5億美元,，5nm時代可能要2-2.5億美元,。

　　然而，Intel剛發(fā)布的秋季桌面平臺仍然都是14nm,，而拖延已久的10nm要到明年才能量產,，7nm則是遙遙無期，5nm就更別提了,。