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臺(tái)積電5nm節(jié)點(diǎn)投資250億美元,而3nm工藝也確定了

2018-11-01

  在下一代制程工藝上,,有實(shí)力有財(cái)力走得更遠(yuǎn)的半導(dǎo)體公司沒幾家了,,聯(lián)電已經(jīng)放棄了12nm以下的先進(jìn)工藝, 英特爾 還掙扎在10nm節(jié)點(diǎn),,目前公布5nm及3nm計(jì)劃的只有臺(tái)積電和 三星 兩家,,其中臺(tái)積電5nm節(jié)點(diǎn)投資250億美元,而3nm工藝也確定了投資計(jì)劃了,,投資規(guī)模6000億新臺(tái)幣,目前臺(tái)南園區(qū)的3nm工廠已經(jīng)通過了環(huán)評(píng)初審,,預(yù)計(jì)最快2022年底投產(chǎn),。

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  臺(tái)積電的7nm工藝今年已經(jīng)量產(chǎn)了,首發(fā)的7nm芯片是嘉楠耘智的 ASIC 礦機(jī)芯片,,不過真正的大頭還是蘋果的A12,、 海思 麒麟980以及 AMD 、NVIDIA的7nm CPU / GPU 芯片,。

  與16nm FF工藝相比,,臺(tái)積電的7nm工藝(代號(hào)N7)將提升35%的性能,降低65%的能耗,,同時(shí) 晶體管 密度是之前的三倍,。2019年初則會(huì)推出EUV工藝的7nm+(代號(hào)N7+)工藝,晶體管密度再提升20%,,功耗降低10%,,不能性能沒有變化,。

  在5nm節(jié)點(diǎn)上,臺(tái)積電將投資250億美元發(fā)展5nm工藝,,預(yù)計(jì)2019年試產(chǎn),,2020年量產(chǎn)。與初代7nm工藝相比,,臺(tái)積電的5nm工藝大概能再降低20%的能耗,,晶體管密度再高1.8倍,至于性能,,預(yù)計(jì)能提升15%,,不過使用新設(shè)備的話可能會(huì)提升25%。

  在3nm節(jié)點(diǎn)上,,臺(tái)積電也公布了相關(guān)計(jì)劃,,去年表態(tài)稱投入了數(shù)百名工程師資源進(jìn)行早期研發(fā),而晶圓工廠也將落戶南科臺(tái)南園區(qū),,占地28公頃,,位置緊鄰臺(tái)積電的5nm工廠。目前臺(tái)灣環(huán)保部門已經(jīng)通過了“臺(tái)南科學(xué)園區(qū)二期基地開發(fā)暨原一期基地變更計(jì)畫環(huán)差案”初審,,預(yù)計(jì)在2020年交地給臺(tái)積電建設(shè)工廠,。

  根據(jù)臺(tái)積電的資料,他們的3nm項(xiàng)目投資超過6000億新臺(tái)幣,,約為194美元或者1347億人民幣,,2020年開始建廠,2021年完成設(shè)備安裝,,預(yù)計(jì)2022年底到2023年初量產(chǎn),。

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