《電子技術(shù)應(yīng)用》
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力積電將攜手臺(tái)積電開(kāi)發(fā)六層晶圓堆疊技術(shù)

2025-01-20
來(lái)源:芯智訊

1月20日消息,業(yè)內(nèi)傳聞顯示,晶圓代工廠商力積電AI制程關(guān)鍵中介層技術(shù)方面獲得了臺(tái)積電認(rèn)證,,將協(xié)同臺(tái)積電打入英偉達(dá),、AMD等AI巨頭供應(yīng)鏈,并攜手臺(tái)積電完成開(kāi)發(fā)四層晶圓堆疊(WoW)技術(shù),,現(xiàn)正邁入難度更高的六層晶圓堆疊,技術(shù)比三星更強(qiáng),有望抓住AI商機(jī),,推動(dòng)業(yè)績(jī)?cè)鲩L(zhǎng)。

對(duì)于相關(guān)傳聞,,力積電表示,,該公司正致力轉(zhuǎn)型,積極開(kāi)發(fā)中介層等AI利基型元件,,朝成為國(guó)際AI大廠中介層第二供應(yīng)商的目標(biāo)邁進(jìn),,并獲得驗(yàn)證通過(guò),但細(xì)節(jié)不便透露,。

力積電還指出,,該公司也攜手晶圓代工同行投入晶圓堆疊技術(shù),現(xiàn)在已完成四層晶圓堆疊認(rèn)證,。由力積電提供內(nèi)存晶圓,,結(jié)合晶圓代工大廠的邏輯晶圓,通過(guò)異質(zhì)整合,,助力客戶節(jié)省AI應(yīng)用芯片設(shè)計(jì)面積,,堆疊后的晶圓厚度比三星更薄,提供性能更好,、功耗更低的解決方案,。

供應(yīng)鏈透露,,AI商機(jī)進(jìn)入爆發(fā)期,由于英偉達(dá),、AMD等高性能計(jì)算(HPC)客戶訂單量龐大,,臺(tái)積電雖然在積極擴(kuò)產(chǎn),但仍無(wú)法滿足客戶需求,。近一年來(lái),,臺(tái)積電積極尋求委外合作供應(yīng)商,除了CoWoS的WoS后段封裝及測(cè)試委外到日月光投控,、京元電子等封測(cè)廠之外,,中介層及前段先進(jìn)封裝也開(kāi)始尋求其他晶圓代工廠支持。

其中,,力積電的40及55nm制程中介層及先進(jìn)封裝堆疊技術(shù)中選,,成功獲得臺(tái)積電及其客戶英偉達(dá)、AMD驗(yàn)證通過(guò),,并且供應(yīng)AMD的中介層已開(kāi)始量產(chǎn)出貨,,除了AMD當(dāng)前的主力AI加速器MI325系列之外,AMD今年下半年將問(wèn)世的MI350也正緊鑼密鼓準(zhǔn)備量產(chǎn)當(dāng)中,。

業(yè)界分析,,目前先進(jìn)封裝采用的中介層是以硅晶圓打造的芯片基板,需要具有晶圓制程生產(chǎn)能力的曝光機(jī)及蝕刻等設(shè)備,,且當(dāng)前無(wú)須使用到40nm以下的制程,,使具備大量成熟制程生產(chǎn)能力的力積電成為臺(tái)積電AI生態(tài)系的主要原因之一。

另外,,英偉達(dá)明年將量產(chǎn)的全新Rubin構(gòu)架AI芯片,,力積電不僅有機(jī)會(huì)成為其中介層供應(yīng)商,更有機(jī)會(huì)獲得先進(jìn)封裝訂單,,讓力積電營(yíng)運(yùn)全面擺脫當(dāng)前低谷,。

晶圓堆疊方面,力積電也與臺(tái)積電共同完成四層晶圓堆疊開(kāi)發(fā),,并開(kāi)始投入六層晶圓堆疊技術(shù),,整合臺(tái)積電以先進(jìn)制程生產(chǎn)的邏輯運(yùn)算晶圓與力積電的內(nèi)存晶圓,,并協(xié)同內(nèi)存IP廠愛(ài)普共同進(jìn)行內(nèi)存晶圓設(shè)計(jì),,另外,電源管理IC晶圓亦可望由力積電提供,。

業(yè)界透露,,力積電生產(chǎn)的內(nèi)存晶圓厚度比三星供應(yīng)樣品更薄,成為臺(tái)積電將力積電納入AI生態(tài)系供應(yīng)鏈的主要原因,。


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