Soitec絕緣硅晶圓成為瑞薩新型SOTB能量收集芯片組中核心成員
2018-11-15
來源:電子技術(shù)應(yīng)用
北京,2018年11月15日——作為設(shè)計(jì)和生產(chǎn)創(chuàng)新性半導(dǎo)體材料的全球領(lǐng)軍企業(yè),法國Soitec半導(dǎo)體公司今日宣布瑞薩電子公司采用Soitec全耗盡絕緣硅(FD-SOI)晶圓產(chǎn)品線專用版,,用于其65nm超低功耗SOTBTM工藝生產(chǎn),。至此,瑞薩新型基于SOTBTM技術(shù)的芯片克服了物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備的能源限制,,并將功耗降低到目前市場現(xiàn)有產(chǎn)品的十分之一,,更加適用于超低功率和能量采集應(yīng)用。
薩瑞新型基于SOTBTM技術(shù)的芯片將功耗降低到目前市場現(xiàn)有產(chǎn)品的十分之一
瑞薩利用其獨(dú)特的SOTB工藝技術(shù)開發(fā)出能量收集芯片,,該芯片可收集20μA/ MHz的低有效電流和150 nA的深度待機(jī)電流,。 該產(chǎn)品超低功率性能使其可以在端點(diǎn)幫助連接物聯(lián)網(wǎng)傳感設(shè)備實(shí)現(xiàn)免維護(hù)功能。 對于從事芯片安裝工藝的消費(fèi)電子產(chǎn)品開發(fā)商而言,,如何通過這些傳感器節(jié)點(diǎn)內(nèi)的能量收集功能設(shè)計(jì)免維護(hù)設(shè)備,,特別是在可穿戴設(shè)備、智能家居應(yīng)用,、手表,、便攜式設(shè)備和基礎(chǔ)設(shè)施監(jiān)控系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)免維護(hù)功能,變得越來越重要,。
超低能耗設(shè)備
瑞薩選擇Soitec襯底作為其超薄而均勻的活性層,,該襯底是目前在大批量生產(chǎn)的薄晶硅(SOI)下最薄埋氧化物(BOX)。 由于使用了Soitec襯底,,瑞薩SOTB芯片組可以增強(qiáng)對晶體管靜電的控制,,并將待機(jī)和有效電流降低到前所未有的水平。 此外,,瑞薩還成功交付了無障礙通道,,以抑制超低電壓操作的Vth變化,以及超低功率反偏置控制,,同時(shí)降低待機(jī)電流。
Soitec數(shù)字電子業(yè)務(wù)部執(zhí)行副總裁Christophe Maleville表示: “Soitec與瑞薩團(tuán)隊(duì)在SOTB技術(shù)開發(fā)方面的緊密合作進(jìn)一步表明全耗盡設(shè)備將徹底改變我們的日常生活,。我們很高興能成為瑞薩SOTB系列產(chǎn)品中的一員,。我們也期待在推動超低功率設(shè)備創(chuàng)新這個(gè)生態(tài)系統(tǒng)成長方面貢獻(xiàn)自己的綿薄之力?!?/p>
瑞薩工業(yè)解決方案業(yè)務(wù)部家庭業(yè)務(wù)部副總裁Toru Moriya先生表示:“為了推動物聯(lián)網(wǎng)和消費(fèi)應(yīng)用的創(chuàng)新,,我們將我們獨(dú)有的能量收集技術(shù)SOTB集成到我們的能量收集控制器中。我們相信,,基于Soitec超薄襯底的瑞薩SOTB技術(shù)可以為開發(fā)無需電源供應(yīng)和更換的免維護(hù)物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備提供無與倫比的性能,,從而促進(jìn)基于端點(diǎn)智能的全新物聯(lián)網(wǎng)市場的發(fā)展?!?br/>
注:文中圖片均來自瑞薩官方網(wǎng)站