針對美光2017年底在美國對福建晉華提出的專利侵權(quán)訴訟,，日前已遭美國聯(lián)邦法院駁回,，理由是晉華的產(chǎn)品并沒有在美國銷售,，即使晉華有侵權(quán)的事實，美法院也沒有管轄權(quán),，

但美光針對此案有權(quán)再補件說明,，業(yè)界表示，美光可能會再補件,，繼續(xù)告下去,。

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在此厘清的一點是，美光告福建晉華,、聯(lián)電的專利侵權(quán)案是發(fā)生在 2017年12月底,，該案與2018年11月美國司法部出面指控福建晉華、聯(lián)電非法取得 DRAM 存儲技術是兩個不同的司法案件,。

這次美國法院駁回美光的部分,，是指美光在美國控告晉華關于專利侵權(quán)的民事案件，這與2018 年 11 月美國司法部出面控告晉華,、聯(lián)電,，以及制裁晉華禁運的案子，是屬于兩個不同案件,，但卻是美光與福建晉華,、聯(lián)電分別在中、美兩地司法交手后,，第二次遭遇挫敗,。

美光首次與晉華/聯(lián)電首次交手，意外被處以“訴中禁令”

美光和晉華,、聯(lián)電交手的第一次挫敗是 2018 年 7 月福州中級法院對美光發(fā)出“訴中禁令”,，導致美光部分的存儲 SSD 和 DRAM 產(chǎn)品禁止在國內(nèi)銷售，震驚國際,。但是,，業(yè)界認為也是因為該事件導致美光更為氣急敗壞，進而通過采取積極游說施加壓力,，最終讓美國商務部對福建晉華發(fā)出制裁令,。

美國聯(lián)邦法院這次駁回美光在 2017 年 12 月控告福建晉華的專利侵權(quán)案，是因為晉華的存儲產(chǎn)品并未在美國境內(nèi)銷售,，美國法院不具備管轄權(quán),，因此駁回美光的控告，但美光有權(quán)再補件繼續(xù)提告,。

事實上,，晉華的 DRAM 產(chǎn)品并未量產(chǎn)，因此當然沒有因為在美國或國內(nèi)銷售，而出現(xiàn)侵權(quán)問題的疑慮,，而美光已經(jīng)在晉華的 DRAM 技術進入量產(chǎn)之前,，先一步以禁運制裁的方式，斬斷晉華的自主 DRAM 技術之路,。

不過,，美光、晉華之間的司法大戰(zhàn),，重頭戲落在 2018 年 11 月美國司法部出面指控晉華和聯(lián)電非法取得 DRAM 技術，進而以禁運方式來制裁晉華,，背后的“影武者”當然是美光,。

該案也正式在 2019 年 2 月初，也就是農(nóng)歷春節(jié)期間于美國法院開庭,，晉華請來曾擔任聯(lián)邦檢察官的 Christine Y. Wong 擔任辯護律師,，而聯(lián)電則是找來之前在美國歐巴馬時代，擔任聯(lián)邦司法部助理總檢察長的 Leslie R. Caldwell 作為辯護律師,。不過,，該案情極為復雜，預計不會這么快有具體的結(jié)論,。

美光啟動“秘密突擊”鎖定三大存儲陣營,，上百名前員工遭到調(diào)查美光為了 DRAM 技術與福建晉華和聯(lián)電全面杠上，要追溯到 2017 年初,，美光啟動的一場“秘密突擊”,。

2017 年農(nóng)歷春節(jié)期間，很多在合肥長鑫睿力 12 寸晶圓廠,、長江存儲工作的臺灣籍員工回家過年時,，即遭到臺灣地區(qū)的檢方以“突擊”的方式大規(guī)模進行約談，甚至針對部分員工限制出境,，當時傳出波及的員工人數(shù)達到上百人之多,。

美光收購臺灣 DRAM 廠華亞科技之后，華亞科有大批員工被合肥長鑫睿力挖角,，人數(shù)高達上百人,，當時紫光旗下的長江存儲也被點名有挖角華亞科員工，但其實長江存儲的 3D NAND 項目啟動速度較晚,，合肥長鑫的 DRAM 項目搶先一步啟動,，因此多數(shù)的華亞科員工幾乎都被合肥長鑫挖走。

國內(nèi)有三個存儲技術陣營：長江存儲,、福建晉華,、合肥長鑫，在成立之初就已進入美光為了捍衛(wèi)技術與專利所圈起來的“雷達區(qū)”，那為什么最后只有福建晉華栽了一個大跟斗,，成了美光獵殺國內(nèi)存儲自主陣營的“犧牲品”,？

首先，長江存儲在代理董事長高啟全一手規(guī)劃之初,，就堅持走自主技術的路線,，絕對不容許有任何偷竊技術的行為，也如此規(guī)范加入長江存儲工作的員工,，因此避開美光的專利雷達區(qū),。

2018 年長江存儲甚至催生 Xtacking 堆疊式技術，在美國國際大型研討會 Flash Memory Summit 上發(fā)表之后是大放光彩,，成功走出自主開發(fā)之路,。 

再來是合肥長鑫睿力，該 DRAM 陣營行事作風也十分神秘低調(diào),，甚至傳出有好幾組不同的技術研發(fā)人馬,，包括有美光、前爾必達（Elpida）,、SK 海力士,、三星電子（Samsung Electronics）等前員工加入，有些技術團隊甚至藏身香港等地區(qū),，如此費心地“多窟布局”,，為的就是保護真正的技術來源和所屬團隊。

不過,，傳出部分韓國籍的員工返回韓國時,，也遭到相關單位約談，顯見韓系半導體業(yè)者也是緊盯著技術專利是否外流的議題,。

而福建晉華的敗筆在哪里,？答案是技術研發(fā)的所在地。

半導體業(yè)界人士分析,，如果當初技術合作伙伴聯(lián)電將 DRAM 技術研發(fā)基地設立于國內(nèi),，而非臺灣地區(qū)，美光恐怕沒有這么容易找福建晉華的麻煩,。但因為研發(fā)基地設立于臺灣地區(qū)的南科廠區(qū),，讓美光鎖定晉華和聯(lián)電為全力狙擊的目標。

福建晉華的技術合作伙伴聯(lián)電是以臺灣南科 12 寸晶圓廠作為 DRAM 技術研發(fā)基地,，借用聯(lián)電現(xiàn)有的資源,，以加速晉華的研發(fā)速度，事實上研發(fā)的進度也非常順利,，如果沒有美方祭出的制裁禁運事件,，現(xiàn)在的福建晉華已經(jīng)開始在量產(chǎn)國內(nèi)第一顆自主開發(fā)的 DRAM 芯片了,。

其實，美光所有的動作都是為了阻止國內(nèi)擁有自主存儲技術的能力,，因為大陸市場占美光整體營收貢獻將近 50%,，如果國內(nèi)擁有自己 DRAM 內(nèi)存制造的能力，對美光營運的沖擊絕對是不容小覷,，而這次對晉華的狙擊,，是一場殺雞儆猴的動作，也借此警告合肥長鑫,。

美光控告福建晉華和聯(lián)電專利侵權(quán),，雖然被美國聯(lián)邦法院駁回，但美光后續(xù)采取的策略仍有許多可能,。美光已經(jīng)將該起疑似專利侵權(quán)的案件,，提升至國家安全等級，將 DRAM 技術列為國家核心技術為由,，通過司法途徑進一步發(fā)難。在目前的氣氛環(huán)境下,，這樁案情已經(jīng)變得十分復雜,，后需發(fā)展需再密切觀察。