IC產(chǎn)業(yè)的進步取決于IC制造商是否繼續(xù)提供更多先進節(jié)點的服務,。

隨著主流CMOS工藝達到其理論,，實踐和經(jīng)濟的極限，降低IC成本（基于每個功能或每個性能）比以往任何時候都更具挑戰(zhàn)性和挑戰(zhàn)性,，這就驅使晶圓代工廠尋找更多的解決方法,，不同于過往的工藝節(jié)點演進就是其中之一。IC Insights最新的報告指出,，現(xiàn)在晶圓廠提供的面向邏輯芯片的工藝技術比以往任何時候都多,。圖1列出了公司目前使用的幾種領先的高級邏輯技術,。由此可見，主要節(jié)點之間推行衍生版本技術已成為常規(guī)事件,。

下面我們來看一下目前主要晶圓廠的先進工藝進展：

英特爾：他們在2018年末推出了代號為“Coffee Lake-S”的第九代處理器,。英特爾稱這些處理器是新一代產(chǎn)品，但它們看起來更像是第八代產(chǎn)品的增強,。雖然細節(jié)很少,，但這些處理器似乎是在一個增強版本的14nm ++工藝（是14nm +++？）上制造的,。

資料顯示,，英特爾將于2019年推動10nm工藝的大規(guī)模生產(chǎn)，首批使用這個工藝的產(chǎn)品將是2018年12月推出的“Sunny Cove”系列處理器,。從目前看來,，Sunny Cove架構基本上取代了應該是原本計劃在2019年推出的10納米Cannon Lake架構。預計到2020年,，10nm +衍生工藝將進入批量生產(chǎn)階段,。

臺積電：臺積電的10nm finFET工藝于2016年底投入批量生產(chǎn)，短短兩年間,，他們已經(jīng)從10納米迅速發(fā)展至7納米,。在臺積電看來，7nm產(chǎn)品將成為繼28nm和16nm之后的又一個長壽命節(jié)點,。

先進工藝方面,，臺積電5納米工藝正在開發(fā)中，預計將于2019年上半年進入風險試產(chǎn)階段,，并于2020年進入量產(chǎn),。該工藝將使用EUV，但它不會是臺積電利用EUV技術的第一個工藝,。根據(jù)臺積電規(guī)劃,，他們將在7nm技術的改進版本N7 +工藝的關鍵層（四層）上使用EUV光刻機。但N5工藝將廣泛使用EUV（最多14層）,。N7 +計劃于2019年第二季度開始批量生產(chǎn),。

三星：在2018年初，三星宣布開始批量生產(chǎn)名為0LPP（low power plus）的第二代10nm工藝,。在2018年晚些時候,，三星推出了名為10LPU（low power ultimate）的第三代10nm工藝，從另一個角度實現(xiàn)性能提升,。與臺積電不同的是,，三星在10nm工藝上使用三重圖案光刻技術，且三星認為其10納米工藝系列（包括8納米衍生產(chǎn)品）的生命周期將會很長,。

三星的7nm技術于2018年10月投入風險試產(chǎn),。與臺積電不一樣,，三星不再提供采用浸沒式光刻技術的7nm工藝，而是決定直接上馬EUV的,。據(jù)了解,，三星該將EUV用于7nm的8-10層。

格芯：格芯公司將其22nm FD-SOI工藝視為其主要市場,，并與其14nm finFET技術相輔相成。按照他們的說法,，22FDX平臺的性能與finFET非常接近,，但制造成本與28nm技術相同。

2018年8月,，GlobalFoundries宣布將停止7nm開發(fā),。按照他們的說法，做出這個決定一方面是因為先進技術節(jié)點的生產(chǎn)成本大幅增加,，另一方面是太少的代工客戶計劃使用下一代工藝,，因此他們對其戰(zhàn)略進行了重大轉變。公司也調整了其研發(fā)工作,，以進一步增強其14nm和12nm finFET工藝及其完全耗盡的SOI技術的競爭力,。

五十年來，集成電路技術的生產(chǎn)率和性能得到了驚人的改善,。該行業(yè)也克服了很多擺在它面前的許多障礙,。但雖在時間的推進，障礙似乎仍在不斷擴大,。盡管如此,，IC設計人員和制造商正在開發(fā)比增加芯片功能更具革命性的解決方案。