2020 年 6 月 15 日,爍科中科信宣布,12 英寸中束流離子注入機(jī)順利搬入集成電路大產(chǎn)線,,此舉標(biāo)志著國產(chǎn)離子注入機(jī)市場化進(jìn)程邁向新臺(tái)階!
CMOS 工藝的發(fā)展極大推動(dòng)了離子注入(Ion Implantation)工藝的發(fā)展,,也可以說離子注入工藝的不斷成熟進(jìn)一步改善了集成電路產(chǎn)品的質(zhì)量,,尤其是 CMOS 產(chǎn)品的性能,當(dāng)線寬進(jìn)入亞微米后,,離子注入在整個(gè)集成電路制造前工序中更成了不可或缺的一個(gè)工藝流程,。
在芯片生產(chǎn)過程中,需要進(jìn)行多次離子注入,,注入到芯片的不同位置,、注入的次數(shù)對(duì)于不同芯片類型和工藝節(jié)點(diǎn)有所差異,隨著 CMOS 工藝的快速推進(jìn),,離子注入次數(shù)也快速增加,。例如 1970 年代處理一個(gè)的n型金屬氧化物半導(dǎo)體(NMOS)可能只需 6~8 次注入,而現(xiàn)在對(duì)于 28nm 邏輯器件來說需要 40 次注入甚至更多,。
而在實(shí)際制造過程中,,對(duì)離子注入的要求也不盡相同,比如在結(jié)深(在注入時(shí)給予離子的能量),、劑量(注入時(shí)所需的雜質(zhì)數(shù)量大?。⒕鶆蛐?、重復(fù)性等方面都有不同的需求,,一般來說,離子注入的劑量取決于束流值和時(shí)間,,注入深度取決于加速電場,。為了滿足這些不同的需求,在不同的環(huán)節(jié)中需要采用不同加工能力的離子注入機(jī),,包括中束流(Medium Current)離子注入機(jī),、大束流(High Current)離子注入機(jī)、高能(High Energy)離子注入機(jī),。
集成電路用離子注入機(jī)行業(yè)存在較高競爭壁壘,,行業(yè)集中度較高。整體而言,,整個(gè)市場主要由美國廠商壟斷,。應(yīng)用材料(Applied Materials)、亞舍立(Axcelis),、漢辰科技(Advanced Ion Beam Technology,,AIBT)合計(jì)占據(jù)全球 80%的市場,。
在各項(xiàng)政策的推動(dòng)下,,我國離子注入機(jī)的研發(fā)也取得了重大進(jìn)展。日前,,北京市科學(xué)技術(shù)獎(jiǎng)勵(lì)工作辦公室公示了 2019 年度北京市科學(xué)技術(shù)獎(jiǎng)各評(píng)審委員會(huì)項(xiàng)目評(píng)審結(jié)果,,“大束流離子注入機(jī)裝備及工藝研發(fā)”項(xiàng)目榮獲北京市科學(xué)技術(shù)進(jìn)步一等獎(jiǎng),,國內(nèi)兩大離子注入機(jī)供應(yīng)商爍科中科信、凱世通攜手參與,。
爍科中科信是專注于集成電路用離子注入機(jī)研發(fā),、制造,始終致力于解決離子注入機(jī)關(guān)鍵技術(shù)自主可控難題,,已形成中束流,、大束流、高能,、特種應(yīng)用及第三代半導(dǎo)體等全系列離子注入機(jī)產(chǎn)品體系,,擁有博士后科研工作站,建立了符合 SEMI 標(biāo)準(zhǔn)要求的離子注入機(jī)產(chǎn)業(yè)化平臺(tái),,年產(chǎn)能達(dá) 30 臺(tái),,產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于全球知名芯片制造企業(yè),并獲客戶高度認(rèn)可,。
此次交付的 12 英寸中束流離子注入機(jī),,在角度控制、劑量控制及設(shè)備工藝能力等方面的功能出色,,整機(jī)性能達(dá)到國際同類產(chǎn)品水平,。
爍科中科信負(fù)責(zé)人表示,追平主流只是開始,,成體系實(shí)現(xiàn)國產(chǎn)替代才是目標(biāo),。公司自主研制的離子注入機(jī)系列產(chǎn)品在客戶產(chǎn)線上累計(jì)跑片 650 萬片,穩(wěn)定支撐了客戶量產(chǎn),。除此之外,,還建立了一支專業(yè)化的售后服務(wù)團(tuán)隊(duì),實(shí)行 7X24 On Call 響應(yīng)機(jī)制,,持續(xù)提升客戶體驗(yàn),,加速國產(chǎn)化進(jìn)程。