文獻(xiàn)標(biāo)識碼: A
文章編號: 0258-7998(2013)06-0037-03
自1976年美國在亞特蘭大(Atlanta)現(xiàn)場試驗(yàn)了世界上第一個光纖通信系統(tǒng)以來,光纖通信在商業(yè)應(yīng)用中已有三十多年的發(fā)展歷程,。而我國在此領(lǐng)域的所用芯片基本依靠進(jìn)口,,所以研制高性能的通信芯片對我國通信行業(yè)的發(fā)展具有極其重要的意義。
對于光接收機(jī)前端電路,,由于其跨阻前置放大器具有低的輸入/輸出電阻,、高帶寬和低噪聲等諸多優(yōu)點(diǎn),因此一直受到電路工程師們的青睞[1],。但前置放大器的設(shè)計需要在帶寬,、增益、噪聲,、電源電壓和功率損耗等因素之間進(jìn)行有效的折中,,在一定程度上給設(shè)計者帶來了困難。為了解決高跨阻與寬帶寬的矛盾,,此次設(shè)計采用RGC(Regulated Cascode)輸入級以拓展帶寬,。同時,為了解決輸入動態(tài)范圍與高跨阻,、低噪聲的矛盾,,采取了自動增益控制技術(shù)。
1 電路設(shè)計與性能參數(shù)分析
1.1 整體電路設(shè)計
圖1是一個傳統(tǒng)的跨阻放大器,,M1和RD構(gòu)成共源級,,M2共漏結(jié)構(gòu)構(gòu)成源跟隨器,Rf是接到輸入端與輸出端的反饋電阻,,Iin是光檢測器的輸出電流,,CD為放大器的輸入電容(包括光檢測器的結(jié)電容、放大器的輸入電容和節(jié)點(diǎn)的寄生電容),。
1.2 電路性能分析
RGC組態(tài)最顯著的特征是高輸出阻抗和寬輸出電壓范圍,。此外,其高速度,、低噪聲的特征(當(dāng)輸入晶體管被一個電流源取代時,,將會產(chǎn)生虛地輸入阻抗)對前置放大器的設(shè)計是有用的[4-6]。圖2中光電二極管的功能是將光纖傳輸過來的光信號轉(zhuǎn)化為電信號,。這一光電流在晶體管M1的漏極被放大為電壓信號,。而晶體管M2和電阻R3在輸入級起本地反饋?zhàn)饔谩K?,減小輸入阻抗是通過自身電壓增益的大小而決定的,。
根據(jù)小信號分析,RGC電路的輸入電阻由下式給出:
圖2中的第三級是單端轉(zhuǎn)差分級,,輸入端接放大級的輸出信號,,Vout1和Vout2為差分輸出,。其工作原理為:直流時,電容相當(dāng)于開路,,使得差分放大器的兩個放大管具有相同的直流偏置,;高頻時,電容相當(dāng)于短路,,差分放大器單端輸入,、雙端輸出,從而實(shí)現(xiàn)了單端到雙端的轉(zhuǎn)換,。這里,,由R7和C1組成的低通濾波器提取出放大器輸出的直流電平,并將該信號送至M7的柵極,。因?yàn)閂X-VY呈現(xiàn)出一個零平均值,,所以差分對的輸出也是沒有偏移量的。圖2中的結(jié)構(gòu)起到了一個高通濾波器的作用:在足夠低的頻率下,,X節(jié)點(diǎn)和Y節(jié)點(diǎn)的信號是相等的,,從而產(chǎn)生了零輸出。只有高通傳遞函數(shù)的低轉(zhuǎn)角頻率降低到幾十千赫茲以下時,,時間常數(shù)R7C1才會達(dá)到幾十微秒,,因此這個方法常需要一個大的外置電容。
2 模擬結(jié)果
本設(shè)計基于SIMC 0.18 μm工藝模型,,在1.8 V電源電壓下,,對所設(shè)計的前置放大器進(jìn)行了模擬仿真。此跨阻放大器的幅頻特性曲線如圖3所示,。當(dāng)光檢測器的寄生電容CD為典型值0.5 pF時,,低頻跨阻增益Arf為72.8 dBΩ,3 dB帶寬為3.06 GHz,??缱柙鲆姹幌拗圃跀?shù)百歐姆范圍內(nèi),結(jié)果滿足系統(tǒng)的高速率(10 Gb/s),、低電源電壓(1.8 V)要求。
一般地,,高性能TIA的總噪聲電流的變化范圍為0.5 ?滋Arms~2 ?滋Arms,,并且噪聲隨著頻率的增大而增強(qiáng)。從圖4所示的等效電流輸入電流功率譜密度Seq曲線可以看出,,此跨阻放大器的電流噪聲為108.36 nA,,具有較低的噪聲。
本文基于0.18 μm CMOS工藝,,用Cadence軟件設(shè)計了一種帶自動增益控制(AGC)的RGC輸入跨阻放大器,,最后選用SIMC 0.18 μm CMOS工藝庫對設(shè)計結(jié)果進(jìn)行了仿真,。結(jié)果表明,當(dāng)輸入的光功率為-10 dBm,、電源電壓為1.8 V,、設(shè)定光檢測器的寄生電容為0.5 pF時,所設(shè)計的放大器具有良好的幅頻特性和等效電流輸入曲線,。
參考文獻(xiàn)
[1] 王志功.光纖通信集成電路設(shè)計[M].北京:高等教育出版社,,2003.
[2] 謝嘉奎,宣月清,,馮軍.電子線路(線性部分)[M].北京:高等教育出版社,,1999.
[3] RAZAVI B.Design of integrated circuits for optical communications[M].胡先志,胡佳妮,,譯.北京:人民郵電出版社,,2008.
[4] PARK S M,YOO H J.1.25-Gb/s regulated cascode CMOS transimpedance amplifier for Gigabit Ethernet applications[J].IEEE Journal of Solid-state Circuits,,2004,,39 (1):112-121.
[5] PARK S M,TOUMAZOU C.A packaged low-noise highspeed regulated cascode transimpedance amplifier using 0.6 μm N-well CMOS technology[C].Proc.Eur.Solid-State Circuit Conf.(ESSCIRC),,2000:432-435.
[6] SACKINGER E,,GUGGENBUHL W.A high-swing,high impedance MOS cascode circuit[J].IEEE J.Solid-State Circuits,,1990,,25(1):289-298.