3月21日,，SEMICON China 邀請上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司執(zhí)行副總裁孔蔚然博士做了關(guān)于《以創(chuàng)新促發(fā)展—華虹宏力特色工藝之路》演講,，孔博士對摩爾定律、華虹宏力特色工藝和技術(shù)路線做了詳細(xì)論述,。

以下為全文紀(jì)要（聽錄，僅供投資者參考,，具體以公司新聞稿為準(zhǔn)）：

演講主要分為三個部分：1. 摩爾定律與特色工藝,；2. 華虹宏力的特色工藝（Flash+高壓）；3. 華虹宏力8+12的技術(shù)路線

一,、   摩爾定律與特色工藝

CPU芯片上的MOS晶體管數(shù)量不斷增加,，符合摩爾定律發(fā)展，隨著晶體管尺寸不斷scaling,，CPU核心的操作電壓也隨之不斷減小,，但到了點(diǎn)13工藝后，電壓減小停滯,，直至FinFet等新技術(shù)出現(xiàn),，才得以繼續(xù)減小。電壓不在縮小之后,，應(yīng)用端芯片便逐漸拉開距離,，公司8寸技術(shù)偏向于電壓較高的analog等器件，而邏輯集成度非常高,，且邏輯運(yùn)算隨著先進(jìn)制程節(jié)點(diǎn)一直前進(jìn),，先進(jìn)制程的出現(xiàn)會淘汰舊制程，但有些實(shí)際的應(yīng)用也不需要太先進(jìn)的制程技術(shù),，否則換算下來的芯片將小到無法封裝,。

MOSFET是整個IC的核心，但缺乏突破性創(chuàng)新,。下面就是一個MOSEFET的剖面圖,，MOSFET是整個IC的核心,，DRAM、3D NAND,、Trench MOS,、IGBT、FDSOI和FINFET均以MOS為核心器件,，MOS問世60年以來,，結(jié)構(gòu)原理無本質(zhì)變化，目前主要依靠光刻機(jī)精度減小,、采用high K gate oxide和FinFet等技術(shù)進(jìn)行工藝演進(jìn),，半導(dǎo)體工藝仍缺乏突破性創(chuàng)新。

接下來孔博士介紹了公司的特色工藝,，包含數(shù)字及存儲器類的Logic/Analog,，Smart Card和MCU；模擬射頻類的BCD,、RFCMOS和RF-SOI,；分立功率類的Power MOS、IGBT和Deep Trench Super-Junction,；傳感器類的MEMS等,，所有的特色工藝基本都帶高壓MOS（>6V），正是由于這個高壓存在,，導(dǎo)致Flash scaling較慢,。

孔博士接著介紹Flash在嵌入式中的應(yīng)用概況，傳統(tǒng)主流包括Floating Gate 2T（可以是NMOS或PMOS）,；SONOS 2T,；SONOS 1.5T主要是一家知名日本公司在做，是將兩個晶體管疊在一起,，即實(shí)現(xiàn)了1.5T,；Floating Gate SST Split Gate分為ESF1/2/3代；最后是公司自己發(fā)明的NORD Flash,。新材料存儲方面,，如RRAM、PCRAM和MRAM等公司目前還沒涉及,，但公司一直保持關(guān)注,。

下面是2018年IEDM會議上STM（意法半導(dǎo)體）公司發(fā)表的paper截圖，他們發(fā)明了垂直的1.5T eSTM技術(shù),，實(shí)現(xiàn)了尺寸進(jìn)一步縮小,。

二,、華虹宏力的特色工藝（Flash+高壓）

下面是公司特有的技術(shù)專利,，即將三個晶體管變?yōu)橐粋€Floating Gate來實(shí)現(xiàn),。電路模型如圖中右上方所示，包含一個channel,，3個gate,，現(xiàn)有的model不支持新的器件結(jié)構(gòu)，不得不采用右下方錯誤的結(jié)構(gòu)進(jìn)行數(shù)值近似模擬,。

公司結(jié)構(gòu)上創(chuàng)新的閃存單元面積優(yōu)勢明顯,。Flash cell size上領(lǐng)先于NonSelfAligned和SelfAligned單元，在55nm節(jié)點(diǎn)下,，公司新閃存單元尺寸僅為0.04um2左右,。

在平衡閃存單元面積和性能下，公司Focused on Flash_2 cell,，同時在IEEE上發(fā)表了這些工作,，并申請了相關(guān)專利。

下圖是1.5V單電源下,，閃存cell越小,，IP核面積不斷縮小，512KB中縮小更為明顯,，F(xiàn)lash IP面積不斷優(yōu)化,。

公司另一個創(chuàng)新工作是不斷降低制造成本。公司由07年的38層光罩逐漸減少到18年的24層（1.5V+5V+Flash）,，達(dá)到業(yè)界領(lǐng)先水平,，同時公司認(rèn)識到光罩層次還未到極限，未來公司會推出極限水平的光罩層次,，不斷降低制造成本,。

總之，公司E-Flash技術(shù)發(fā)展策略包括以下5點(diǎn)：（1）Device scaling：利用自對準(zhǔn)工藝,，減少依賴先進(jìn)光刻,；（2）Data Retention：保持90A oxide（可耐受300℃高溫烘烤）；（3）Endurance：不依賴于ECC,；（4）持續(xù)簡化制程,，簡化光刻層數(shù)；（5）持續(xù)尋找新器件結(jié)構(gòu),。

高壓器件方面公司銷量最好的產(chǎn)品之一便是Super Junction MOSFET,。但是高壓drain是靠epitaxial，將N-Type與P-Type全耗盡后形成的介質(zhì)層耐高壓,。為了精準(zhǔn)控制,，業(yè)界通常使用multi-epitaxial，性能好但是成本很高，而公司是直接進(jìn)行etch,，產(chǎn)品的profile十分美觀,，排列的將越來越緊。當(dāng)導(dǎo)通電阻下降一倍,，die size也將下降1倍,，成本降低。公司產(chǎn)品導(dǎo)通電阻僅0.7平方歐姆,，創(chuàng)造了新的記錄,。

公司最近的新突破是7V Analog,0.35微米5V/7V模擬平臺累計出貨50萬片，并且公司也不斷提升其穩(wěn)定性,。

BCD技術(shù)競爭激烈,，目前公司發(fā)展到90nm,緊跟業(yè)界的先進(jìn)水平，公司也會將此推向12寸晶圓制造,。

公司最新一代RF-SOI也處于業(yè)界高水平,，并將緊隨市場導(dǎo)向?qū)F-Switch和LNA進(jìn)行集成，技術(shù)不斷推進(jìn)下,，未來甚至可能將PA進(jìn)行集成,。

公司通過多年的實(shí)踐，大力發(fā)展差異化技術(shù)不斷創(chuàng)新,，營收不斷增長,，2018年總營收接近10億美金。

公司的發(fā)展離不開研發(fā)的支撐,，到2018年公司授權(quán)專利累計超過3000件,。

下圖是“8+12”的技術(shù)路線圖，公司有完整的特色工藝平臺,，以此為基礎(chǔ)將繼續(xù)延伸到12寸來解決產(chǎn)能問題并提供更廣闊的技術(shù)發(fā)展空間,，未來將推出更多具有競爭力的差異化技術(shù)?？撞┦吭谧詈髲?qiáng)調(diào),，目前8寸晶圓仍然具有較大市場需求以及發(fā)展空間。