《電子技術(shù)應(yīng)用》
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2029年新興記憶體市場(chǎng)200億美元 制造設(shè)備收入翻漲33倍

2019-07-10

  根據(jù)Objective Analysis和Coughlin Associates(Emerging Memories Ramp Up)最新發(fā)布的研究報(bào)告,到2029年,新興記憶體市場(chǎng)規(guī)模將會(huì)達(dá)到200億美元,。

  該報(bào)告指出,,新興的記憶體市場(chǎng)將通過(guò)取代當(dāng)今效率較低的內(nèi)存技術(shù)(如NOR閃存和SRAM)而增長(zhǎng)到200億美元左右,甚至取代DRAM銷(xiāo)售額。這些存儲(chǔ)器既可作為獨(dú)立存儲(chǔ)器芯片,也可作為其他芯片(如微控制器,ASIC甚至計(jì)算處理器)中的嵌入式存儲(chǔ)器,。

  報(bào)告預(yù)測(cè),到2029年,,3D XPoint 內(nèi)存sub-DRAM價(jià)格將使收入超過(guò)160億美元,,而獨(dú)立的MRAM和STT-RAM收入將接近40億美元,或超過(guò)2018年MRAM收入的170倍,。此外,,ReRAM和MRAM將競(jìng)爭(zhēng)取代SoC中的大部分嵌入式NOR和SRAM,從而推動(dòng)更高的收入增長(zhǎng),。

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  圖1:2018-2029年預(yù)計(jì)的基準(zhǔn)PB級(jí)內(nèi)存出貨量,。

  該行業(yè)向新興內(nèi)存技術(shù)的遷移將推動(dòng)資本設(shè)備支出的穩(wěn)步增長(zhǎng)。MRAM總制造設(shè)備收入將增長(zhǎng)至其2018年總計(jì)2600萬(wàn)美元的33倍,達(dá)到2029年的8.54億美元,。

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  圖2:2018-2029年MRAM制造設(shè)備支出估算,。


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