2019年9月26 日 – 專(zhuān)注于引入新品并提供海量庫(kù)存的電子元器件分銷(xiāo)商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics ) 即日起開(kāi)始備貨Texas Instruments  (TI)  LMG1210 200 V半橋MOSFET和GaN FET驅(qū)動(dòng)器。LMG1210是TI性能出眾的氮化鎵 (GaN) 電源產(chǎn)品系列，與傳統(tǒng)硅替代方案相比,，擁有更高的效率與功率密度,，以及更小的整體系統(tǒng)尺寸，并專(zhuān)門(mén)針對(duì)速度關(guān)鍵型功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化,。

　　TI LMG1210是一款50 MHz半橋驅(qū)動(dòng)器,，經(jīng)過(guò)特別設(shè)計(jì)，能與電壓高達(dá)200V的增強(qiáng)模式GaN FET搭配使用,。LMG1210能實(shí)現(xiàn)超高性能與高效運(yùn)行,，并具有10 ns的超短傳播延遲,，優(yōu)于傳統(tǒng)硅半橋驅(qū)動(dòng)器。此器件還具有1 pF的低開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)電容和用戶(hù)可調(diào)的死區(qū)時(shí)間控制,，可讓設(shè)計(jì)人員優(yōu)化系統(tǒng)內(nèi)的死區(qū)時(shí)間,，進(jìn)而改善效率。

　　LMG1210擁有3.4 ns高側(cè)/低側(cè)延遲匹配,、4 ns最小脈寬和內(nèi)部LDO,，可確保在任何電源電壓下都能維持5V的柵極驅(qū)動(dòng)電壓。本驅(qū)動(dòng)器還具備超過(guò)300 V/ns的業(yè)內(nèi)超高共模瞬態(tài)抗擾度 (CMTT),，可實(shí)現(xiàn)較高的系統(tǒng)抗擾性,。

　　TI LMG1210驅(qū)動(dòng)器適用于高速DC/DC轉(zhuǎn)換器、電機(jī)控制 ,、D類(lèi)音頻放大器,、E類(lèi)無(wú)線(xiàn)充電 、RF包絡(luò)跟蹤以及其他功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用,。

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　　貿(mào)澤電子/ TI LMG1210 MOSFET和GaN FET驅(qū)動(dòng)器

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