日前,，三星正式宣布推出名為Flashbolt的第三代HBM2（HBM2E）存儲芯片,。
第三代HBM2存儲芯片單顆最大容量16GB，由16Gb的單Die通過8層堆疊而成,，可實現(xiàn)16GB的封裝容量,，并確保3.2Gbps的穩(wěn)定數(shù)據(jù)傳輸速度。
三星方面表示,，新型16GB HBM2E特別適用于高性能計算（HPC）系統(tǒng)，并可幫助系統(tǒng)制造商及時改進其超級計算機,、AI驅動的數(shù)據(jù)分析和最新的圖形系統(tǒng),。
三星預計第三代HBM2存儲芯片將在今年上半年開始量產。三星將繼續(xù)提供第二代Aquabolt產品陣容,，同時擴展其第三代Flashbolt產品,。
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