奇夢達(dá)的衰落，使得歐洲再無儲存器,。而我國從飽受儲存器進(jìn)口之苦,，到可以預(yù)見的儲存器產(chǎn)業(yè)的國產(chǎn)潮，這一路并不平坦,。
合肥長鑫成國內(nèi)首家內(nèi)存供應(yīng)商
合肥長鑫起源于“506 項(xiàng)目”,，項(xiàng)目的發(fā)展目標(biāo)就是成為國內(nèi)自主發(fā)展主流 DRAM 存儲器 IDM。
2017 年 3 月合肥長鑫 12 英寸項(xiàng)目一期廠房開工建設(shè),；
2018 年 1 月一期廠房建設(shè)完成開始設(shè)備安裝,；
2018 年 7 月 16 日,，合肥長鑫 12 英寸 DRAM 項(xiàng)目正式投產(chǎn)電性片；
2018 年底 19 納米 8GB DDR4 工程樣片下線,；
2019 年第三季度 8GB LPDDR4 正式投產(chǎn),。
也就是在去年 9 月，合肥長鑫宣布正式量產(chǎn) DDR4 內(nèi)存,，成為首家國產(chǎn)內(nèi)存供應(yīng)商,。目前該公司官網(wǎng)上已經(jīng)開始對外供應(yīng) DDR4 芯片、LPDDR4X 芯片及 DDR4 模組,。
預(yù)計(jì)今年底擴(kuò)展到 4 萬片晶圓 / 月,，產(chǎn)能大約能占到全球內(nèi)存產(chǎn)能的 3%。
DDR4 芯片是中國第一顆自主研發(fā)的 19 納米 DRAM 芯片,，和國際主流 DRAM 工藝同步,，與此同時，其正在進(jìn)行 17 納米工藝研發(fā),，預(yù)計(jì) 2021 年完成,。
合肥長鑫主攻是移動式存儲產(chǎn)品，目前中國國內(nèi)品牌手機(jī)出貨已占全球四成以上,，LPDDR4 的順利量產(chǎn)并達(dá)到理想的良率,，將有助于進(jìn)口替代的策略。
長鑫存儲填補(bǔ)了國內(nèi) DRAM 的空白,，有望突破韓國,、美國企業(yè)在國際市場的壟斷地位。
內(nèi)存技術(shù)來源得益于奇夢達(dá)
奇夢達(dá)在 2008 年已經(jīng)成功研發(fā)完成堆疊式 DRAM 技術(shù) Buried Wordline,，基于 Buried Wordline 的 46nm 工藝產(chǎn)品完成研發(fā),，與公司上一代 58nm 工藝相比，晶圓數(shù)量增加 100%,。
只可惜,，金融危機(jī)爆發(fā)，DRAM 價格斷崖式下滑,，奇夢達(dá)無法讓 Buried Wordline 技術(shù)進(jìn)入大生產(chǎn),，而在 2009 年破產(chǎn)后，Buried Wordline 技術(shù)被封存,。
當(dāng)年全球 DRAM 技術(shù)架構(gòu)分為兩大陣營,，一種是溝槽式技術(shù)，以奇夢達(dá)為代表,，另一種是堆疊式技術(shù),，包括三星、SK 海力士、美光等都是代表,。
業(yè)界表示,，奇夢達(dá) 2009 年破產(chǎn)后，從此歐洲最后一家存儲大廠也結(jié)束了,，但奇夢達(dá)手上有眾多專利,，尤其是 Buried Wordline 技術(shù)，還是持續(xù)向許多半導(dǎo)體公司收取授權(quán)費(fèi)用,，有點(diǎn)像是一家專利公司的角色,。
而長鑫的 DRAM 內(nèi)存技術(shù)來源，主要就是已破產(chǎn)的奇夢達(dá)公司,，獲得了一千多萬份有關(guān) DRAM 的技術(shù)文件及 2.8TB 數(shù)據(jù),。
合肥長鑫基于授權(quán)所獲得的奇夢達(dá) Buried Wordline 相關(guān)技術(shù)和從全球招攬擁有豐富經(jīng)驗(yàn)的人才，借助先進(jìn)的制造裝備把奇夢達(dá)的 46 納米技術(shù)平穩(wěn)推進(jìn)到了 10 納米級別,。公司目前也已經(jīng)開始了 HKMG,、EUV 和 GAA 等新技術(shù)的探索。
長鑫公司在此基礎(chǔ)上將奇夢達(dá) 46nm 工藝的內(nèi)存改進(jìn),，研發(fā)出了 10nm 級的自主產(chǎn)權(quán)的內(nèi)存芯片,，耗資超過 25 億美元。
技術(shù)發(fā)展路線各家大體一致
從長鑫存儲 DRAM 技術(shù)發(fā)展的路線規(guī)劃來看,，其研發(fā)的產(chǎn)品線包括 DDR4,、LPDDR4X、DDR5 以及 LPDDR5,、GDDR6,，雖然未公布具體時間節(jié)點(diǎn)，但產(chǎn)品發(fā)展線路與三星,、SK 海力士,、美光等國際大廠 DRAM 發(fā)展大體一致。
全球主要的 DRAM 廠商三星,、SK 海力士,、美光等目前采用的是 1Znm DRAM 技術(shù)。其中三星在 2019 年 3 月宣布將在下半年采用 1Znm 工藝技術(shù)量產(chǎn) 8Gb DDR4,，生產(chǎn)率提高 20%以上；
美光也在 8 月份大規(guī)模生產(chǎn) 1Znm16Gb DDR4 產(chǎn)品,，SK Hynix 也采用第三代 10nm 級（1znm）工藝開發(fā)出了 16Gbit DDR4,。
長鑫存儲還規(guī)劃將采用 10G3（17nm 工藝）發(fā)展 DDR4、LPDDR4X,、DDR5 以及 LPDDR5 產(chǎn)品,，采用 10G5 工藝推出 DDR5、LPDDR5 以及 GDDR6 產(chǎn)品，該技術(shù)是使用 HKMG 和氣隙位線技術(shù),，并在未來導(dǎo)入使用柱狀電容器,、全能柵極晶體管以及極紫外光刻（EUV）工藝。
奇夢達(dá)的興衰就是歐洲存儲的命運(yùn)
2005 年 7 月,，英飛凌發(fā)布 2005 年第三季度財(cái)務(wù)報(bào)告,，英飛凌的內(nèi)存部門，同比營收跌幅達(dá)到了 19%,。
隨后,，英飛凌加快了重組進(jìn)度，并于 2006 年 5 月 1 日完成,，這比計(jì)劃提前了兩個月,。由內(nèi)存部門剝離的新公司，命名為“奇夢達(dá)”,。
奇夢達(dá)是當(dāng)時全球內(nèi)存廠商中,，率先投資 12 英寸晶圓的廠家，奇夢達(dá)約三份二 DRAM 內(nèi)存是使用 300mm 晶圓生產(chǎn),，是全球 300mm 晶圓使用率最高的企業(yè),；
在 2006 年 9 月，奇夢達(dá)與南亞科合作,，宣布了 75nmDRAM 溝槽式技術(shù),，75nm 工藝的出現(xiàn)，比 90nm 工藝進(jìn)一步減低芯片的尺寸,，從而達(dá)到每塊晶圓的可分割量約 40%的增長,。
2007 年，作為全球第四大 DRAM 供應(yīng)商,，奇夢達(dá)發(fā)布 GDDR5 白皮書,，其 GDDR5 顯存生產(chǎn)設(shè)備已經(jīng)批量試產(chǎn)。而當(dāng)時世界的主流儲存器芯片是 GDDR4,，對于一心試圖跳過 GDDR4 直接上 GDDR5 的奇夢達(dá)來說,，這無疑是個巨大的進(jìn)步。
但在 2008 年上半年,，其營收為 9.25 億歐元,，較前一年同期減少 57%，2008 年上半財(cái)年度的稅前息前凈虧損為 10.58 億歐元,，而 2007 財(cái)年上半年,，奇夢達(dá)稅前息前凈利還有可觀的 3.35 億歐元。
也就是說,，短短一年的時間,，奇夢達(dá)從一家盈利超過 3 億歐元的公司,，變成了一家凈虧損超過 10 億歐元的公司，利潤跌幅超過 300%,。
最終,，奇夢達(dá)沒有等到批準(zhǔn)，也沒用等到援助資金,，只能無奈的宣布破產(chǎn),，時間是 2009 年 1 月 23 日，歐洲儲存器之光奇夢達(dá),，短短 3 年時間里走到了盡頭,。
長鑫存儲與 WiLAN 全資子公司 Polaris Innovations Limited 已達(dá)成專利許可協(xié)議和專利采購協(xié)議。這些專利由德國制造商奇夢達(dá)開發(fā),，Polaris 從其母公司英飛凌購得,。
依據(jù)雙方達(dá)成的獨(dú)立專利采購協(xié)議，長鑫存儲從 Polaris 購得相當(dāng)數(shù)量的 DRAM 專利,，此專利許可和專利采購協(xié)議中所包括的交易金額等商業(yè)秘密條款未予披露,。
合肥長鑫通過兩次合作，基本上將奇夢達(dá)遺留在外的專利收歸囊中,，但是依舊沒辦法完全規(guī)避 DRAM 的技術(shù)專利風(fēng)險,，畢竟在奇夢達(dá)破產(chǎn)案中，其當(dāng)時領(lǐng)先世界的技術(shù)被華邦和爾必達(dá),、華亞科及鎂光獲得一部分,，這部分也有可能成為后期專利戰(zhàn)的風(fēng)險。
結(jié)尾
在可以預(yù)期的 2-3 年內(nèi),，國產(chǎn)內(nèi)存極有可能會面臨著出生即落后的境遇,。而由于制程與產(chǎn)能的雙重落后，國產(chǎn)內(nèi)存在短期內(nèi)很難對國際 DRAM 市場格局造成影響,。但從長期來說,，國產(chǎn)存儲芯片的大規(guī)模投產(chǎn)一定會對市場格局造成沖擊。