晶體管越來越小,，但是高性能計算需求越來越高，有些人就反其道而行之,，嘗試制造超大芯片,。

之前我們就見識過Cerebras Systems打造的世界最大芯片WSE，擁有46225平方毫米面積,、1．2萬億個晶體管,、40萬個AI核心、18GB SRAM緩存……并得到了美國能源部的青睞和部署,。

現(xiàn)在,，臺積電、博通聯(lián)合宣布,，雙方將利用晶圓上芯片封裝（CoWos）技術(shù),，打造面積達(dá)1700平方毫米的中介層（Interposer），是芯片蝕刻所用光掩模（光罩）尺寸極限858平方毫米的整整兩倍,。

這樣規(guī)模的中介層顯然是無法一次性單個制造出來的,，臺積電實際上是同時在晶圓上蝕刻多個中介層，然后將它們連接在一起,，組成一個整體,。

工藝上，臺積電也用上了最先進(jìn)的5nm EUV（N5）,，它將在今年上半年投入量產(chǎn),。

所謂中介層，用途就是串聯(lián)不同裸片（Die）的橋梁,，因為隨著現(xiàn)代芯片日益復(fù)雜,，制造單個大型SoC的代價越來越大，所以行業(yè)普遍開發(fā)出了各種新的封裝技術(shù),，將不同的小芯片,、模塊整合在一起，構(gòu)成一顆大芯片,。

博通就計劃用這個龐大無比的中介層,，封裝多個SoC芯片，以及六顆HMB2內(nèi)存,，單顆容量16GB,，總?cè)萘窟_(dá)96GB／s，帶寬也高達(dá)2．7TB／s,。

看這規(guī)格,，應(yīng)該是三星最新的HBM2E。

臺積電和高通未透露這種龐大芯片的具體規(guī)格,，只是說將用于高性能計算領(lǐng)域,。

另外,，臺積電還在改進(jìn)CoWoS封裝技術(shù)，所以未來不排除面積超過1700平方毫米的更大芯片,。

作者：上方文Q