國內(nèi)最大的晶圓代工廠中芯國際在Q4季度中已經(jīng)量產(chǎn)14nm工藝,，貢獻(xiàn)了1％的營收，該工藝能夠滿足國內(nèi)95％的芯片生產(chǎn),。

中芯國際14nm工藝現(xiàn)在最重要的問題還是產(chǎn)能,，主要是在上海的中芯南方12英寸晶圓廠生產(chǎn),，去年底也就生產(chǎn)了1000片晶圓左右，產(chǎn)量很低,。

根據(jù)中芯國際聯(lián)席CEO梁孟松的說法,，14nm月產(chǎn)能將在今年3月達(dá)到4K，7月達(dá)到9K,，12月達(dá)到15K,。

中芯國際的14nm產(chǎn)能在15K晶圓／月之后應(yīng)該不會(huì)繼續(xù)提升了，還有更新的工藝,。

其中基于14nm改良的12nm工藝也進(jìn)入客戶導(dǎo)入階段了,，該工藝相比14nm晶體管尺寸進(jìn)一步縮微，功耗降低20％,、性能提升10％,，錯(cuò)誤率降低20％。

不過14nm工藝相比臺(tái)積電,、三星的工藝依然存在2－3代的差距,，而且滿足不了制造當(dāng)前最高性能水平的處理器，所以中芯國際還在發(fā)展更新一代的N＋1,、N＋2工藝,。

在這次的財(cái)報(bào)會(huì)議上，梁孟松博士也首次公開了N＋1,、N＋2代工藝的情況,，他說N＋1工藝和14nm相比，性能提升了20％,，功耗降低了57％,，邏輯面積縮小了63％，SoC面積減少了55％,。

中芯國際一直沒有明確14nm之后是否跳過10nm工藝,，所以這個(gè)N＋1到底是10nm還是7nm不能確定，但根據(jù)上面的說法,，N＋1基本上可以確定是7nm級(jí)別的工藝了,，因?yàn)樾酒娣e縮減55％意味著晶體管密度提升了1倍，這超過了14nm到10nm工藝的進(jìn)化水平,，臺(tái)積電從14nm到7nm也就是提升了1倍的密度,。

不過梁孟松也提到了,，N＋1代工藝在功耗及穩(wěn)定性上跟7nm工藝非常相似，但性能不如,，業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)是提升35％,，所以中芯國際的N＋1工藝主要開始面向低功耗的。

N＋1之后還會(huì)有N＋2,，這兩種工藝在功耗上表現(xiàn)差不多,，區(qū)別在于 性能及成本，N＋2顯然是面向高性能的,，成本也會(huì)增加,。

至于備受關(guān)注的EUV光刻機(jī)，梁孟松表示在當(dāng)前的環(huán)境下,，N＋1,、N＋2代工藝都不會(huì)使用EUV工藝，等到設(shè)備就緒之后,，N＋2之后的工藝才會(huì)轉(zhuǎn)向EUV光刻工藝,。

從梁孟松的解釋來看，中芯國際的7nm工藝發(fā)展跟臺(tái)積電的路線差不多,，7nm節(jié)點(diǎn)一共發(fā)展了三種工藝,，分別是低功耗的N7、高性能的N7P,、使用EUV工藝的N7＋,，前兩代工藝也沒用EUV光刻機(jī)，只有N7＋工藝上才開始用EUV工藝,，不過光罩層數(shù)也比較少,，5nm節(jié)點(diǎn)寸是充分利用EUV光刻工藝的，達(dá)到了14層EUV光罩,。

還有就是中芯國際的7nm級(jí)工藝問世時(shí)間,，之前的財(cái)報(bào)中梁孟松提到是在2020年底開始試驗(yàn)產(chǎn)能，真正生產(chǎn)要到2021年了,。

作者：憲瑞