12月20日消息，據(jù)Cnews報導(dǎo),，俄羅斯已公布自主研發(fā)的光刻機路線圖,，目標是打造比ASML 系統(tǒng)更經(jīng)濟的EUV光刻機。這些光刻機將采用波長為11.2nm的鐳射光源,，而非ASML 使用的標準13.5nm波長,。因此，新技術(shù)無法與現(xiàn)有EUV 基礎(chǔ)設(shè)施相容,，需要俄羅斯自行開發(fā)配套的曝光生態(tài)系統(tǒng),，可能需要數(shù)年甚至十年以上時間。

該光刻機開發(fā)計劃由俄羅斯科學院微觀結(jié)構(gòu)物理研究所的Nikolay Chkhalo 領(lǐng)導(dǎo),，目標是制造出性能具競爭力且具成本優(yōu)勢的光刻機,。具體來說，俄羅斯將采用11.2nm的氙（xenon）基鐳射光源,，取代ASML 的基于激光轟擊金屬錫（tin）液滴產(chǎn)生EUV光源的系統(tǒng),。 Chkhalo 表示，11.2nm的波長能將分辨率提升約20%,，不僅可以簡化設(shè)計并降低光學元件的成本,，還能呈現(xiàn)更精細的細節(jié)。此外,，該設(shè)計可減少光學元件的污染,，延長收集器和保護膜等關(guān)鍵零件的壽命。

俄羅斯曝光機還可使用硅基光阻劑,，預(yù)期在較短波長下將具備更出色的性能表現(xiàn),。盡管該光刻機的晶圓制造產(chǎn)能僅為ASML 設(shè)備的37%，主要因為其光源功率僅3.6 千瓦,，但也足以應(yīng)付小規(guī)模芯片生產(chǎn)需求,。

盡管11.2nm波長仍屬于極端紫外線光（EUV）譜范疇，但這并非單純的小幅調(diào)整,。因為所有光學元件包括反射鏡,、涂層,、光罩設(shè)計以及光阻劑，都需要針對新的波長進行特別設(shè)計與優(yōu)化,。因此,，鐳射光源、光阻化學,、污染控制及其他支援技術(shù)也須重新設(shè)計,，才能確保在11.2nm波長下的有效運作。

以11.2nm波長為基礎(chǔ)的工具很難直接兼容現(xiàn)有以13.5nm為基礎(chǔ)EUV 架構(gòu)與生態(tài)系統(tǒng),，甚至連電子設(shè)計自動化（EDA）工具也需要進行更新,。雖然現(xiàn)有EDA 工具仍可完成邏輯合成、布局和路由等基本步驟,，但涉及曝光的關(guān)鍵制程,，如光罩資料準備、光學鄰近校正（OPC）和解析度增強技術(shù)（RET）,，則需要重新校準或升級為適合11.2nm的新制程模型,。

據(jù)報導(dǎo)，該光刻機的開發(fā)工作將分為三個階段,，第一階段將聚焦于基礎(chǔ)研究,、關(guān)鍵技術(shù)辨識與初步元件測試；第二階段將制造每小時可處理60 片200 毫米晶圓的原型機,，并整合至國內(nèi)芯片生產(chǎn)線,；第三階段的目標是打造一套可供工廠使用的系統(tǒng)，每小時可處理60 片300 毫米晶圓,。目前還不清楚這些新的曝光工具將支援哪些制程技術(shù),，路線圖也未提到各階段完成的時間表。