3 月 16 日訊,，有消息表示,，處理器龍頭廠商英特爾在 5 納米節(jié)點上將會放棄 FinFET 電晶體，轉(zhuǎn)向 GAA 環(huán)繞柵極電晶體,。

　　此前,，英特爾(Intel)的財務長 George Davis 在公開場合表示，目前除了 10 納米產(chǎn)能正在加速之外,，英特爾還將恢復制程技術(shù)領(lǐng)先的關(guān)鍵部分寄望在未來更先進制程的發(fā)展上,，包括英特爾將在 2021 年推出 7 納米制程技術(shù)，并且將在 7 納米制程的基礎上發(fā)展出 5 納米制程,。

　　據(jù)悉,，隨著制程技術(shù)的升級，芯片的電晶體制作也面臨著瓶頸,。英特爾最早在 22 納米的節(jié)點上首先使用了 FinFET 電晶體技術(shù),，當時叫做 3D 電晶體，就是將原本平面的電晶體,，變成立體的 FinFET 鰭式場效電晶體,，不僅提高了芯片的性能，也降低了功耗,。之后,，F(xiàn)inFET 電晶體也成為全球主要晶圓廠制程發(fā)展的選擇，一直用到現(xiàn)在的 7 納米及 5 納米制程節(jié)點上,。

　　目前在 GAA 電晶體上也有多種技術(shù)發(fā)展路線,。如之前三星提到自家的 GAA 電晶體相較于第一代的 7 納米制程來說，能夠提升芯片 35%的性能,，并且降低 50%的功耗以及 45%的芯片面積,。對于三星而言，GAA 電晶體就已經(jīng)有這樣的效能,，而英特爾在技術(shù)實力上會比三星要更加強大,，未來英特爾在 GAA 電晶體的發(fā)展上，期提升效能應該會更加明顯,。

　　另外,，其競爭對手臺積電目前在 2020 年首季準備量產(chǎn) 5 納米制程上，依舊采用 FinFET 電晶體,。但是,，到了下一世代的 3 納米節(jié)點，目前臺積電還尚未公布預計的制程方式,。根據(jù)臺積電官方的說法,，其 3 納米相關(guān)細節(jié)將會在 2020 年的 4 月 29 日的的北美技術(shù)論壇上公布,。

　　目前，英特爾 5 納米制程的問世時間也還沒明確的時間表,。不過,，英特爾之前提到 7 納米之后制程技術(shù)發(fā)展周期將會回歸以往的 2 年升級的節(jié)奏上，因此就是表示最快 2023 年就能見到英特爾的 5 納米制程技術(shù)問世,。