相信很多人聽過開關(guān)電源同步整流技術(shù),，那么什么是開關(guān)電源同步整流技術(shù)？對于開關(guān)電源而言,，里面的學(xué)問是無止境的，有比較淺顯的,，有的則是比較深奧的,，不是普通人可以理解的。本期的主題就是關(guān)于開關(guān)電源源同步整流技術(shù)的延展,，希望能幫助各位更好的學(xué)習(xí)開關(guān)電源!
傳統(tǒng)二極管整流問題
近年來,，電子技術(shù)的發(fā)展，使得電路的工作電壓越來越低,、電流越來越大,。低電壓工作有利于降低電路的整體功率消耗,，但也給電源設(shè)計提出了新的難題,。
開關(guān)電源的損耗主要由3部分組成：功率開關(guān)管的損耗，高頻變壓器的損耗,，輸出端整流管的損耗,。在低電壓、大電流輸出的情況下,，整流二極管的導(dǎo)通壓降較高,，輸出端整流管的損耗尤為突出?？旎謴?fù)二極管(FRD)或超快恢復(fù)二極管(SRD)可達1.0～1.2V,，即使采用低壓降的肖特基二極管(SBD)，也會產(chǎn)生大約0.6V的壓降,，這就導(dǎo)致整流損耗增大,，電源效率降低。
問題舉例
但設(shè)采用3.3V甚至1.8V或1.5V的供電電壓,，所消耗的電流可達20A,。此時超快恢復(fù)二極管的整流損耗已接近甚至超過電源輸出功率的50%。即使采用肖特基二極管,，整流管上的損耗也會達到(18%～40%)PO,，占電源總損耗的60%以上。因此,，傳統(tǒng)的二極管整流電路已無法滿足實現(xiàn)低電壓,、大電流開關(guān)電源高效率及小體積的需要，成為制約DC/DC變換器提高效率的瓶頸,。
同步整流技術(shù)引言
在電源轉(zhuǎn)換領(lǐng)域,，輸出直流電壓不高的隔離式轉(zhuǎn)換器都使用 MOSFET作為整流器件。由於這些器件上的導(dǎo)通損耗較小,，能夠提高效率因而應(yīng)用越來越廣泛;
為了這種電路能夠正常運作,，必須對同步整流器(SR)加以控制，這是基本的要求。同步整流器是用來取代二極管的,，所以必須選擇適當(dāng)?shù)姆椒?，按照二極管的工作規(guī)律來驅(qū)動同步整流器。驅(qū)動信號必須用PWM控制信號來形成,，而PWM控制信號決定著開關(guān)型電路的不同狀態(tài),。
同步整流器件的特點
同步整流技術(shù)就是采用低導(dǎo)通電阻的功率MOS管代替開關(guān)變換器快恢復(fù)二極管，起整流管的作用,，從而達到降低整流損耗,，提高效率的目的。通常,，變換器的主開關(guān)管也采用功率MOS管,，但是二者還是有一些差異的。
功率MOS管實際上是一個雙向?qū)щ娖骷?，由于工作原理的不同,，而?dǎo)致了其他一些方面的差異。例如：作為主開關(guān)的MOS管通常都是硬開關(guān),，因此要求開關(guān)速度快,，以減小開關(guān)損耗;而作為整流/續(xù)流用的同步MOS管，則要求MOS管具有低導(dǎo)通電阻,、體二極管反向恢復(fù)電荷小,、柵極電阻小和開關(guān)特性好等特點，因此,，雖然兩者都是MOS管,，但是它們的工作特性和損耗機理并不一樣，對它們的性能參數(shù)要求也不一樣,，認識這一點,，對于如何正確選用MOS管是有益的。
同步整流的基本電路結(jié)構(gòu)
同步整流是采用通態(tài)電阻極低的專用功率MOSFET,，來取代整流二極管以降低整流損耗的一項新技術(shù),。它能大大提高DC/DC變換器的效率并且不存在由肖特基勢壘電壓而造成的死區(qū)電壓。功率MOSFET屬于電壓控制型器件,，它在導(dǎo)通時的伏安特性呈線性關(guān)系,。用功率MOSFET做整流器時，要求柵極電壓必須與被整流電壓的相位保持同步才能完成整流功能,，故稱之為同步整流,。
工作方式的比較
傳統(tǒng)的同步整流方案基本上都是PWM型同步整流，主開關(guān)與同步整流開關(guān)的驅(qū)動信號之間必須設(shè)置一定的死區(qū)時間,，以避免交叉導(dǎo)通,，因此,，同步整流MOS管就存在體二極管導(dǎo)通和反向恢復(fù)等問題，從而降低同步整流電路的性能,。
同步整流管的驅(qū)動方式有三種：第一種是外加驅(qū)動控制電路,，優(yōu)點是其驅(qū)動波形的質(zhì)量高，調(diào)試方便,。缺點是：電路復(fù)雜,，成本高，在追求小型化和低成本的今天只有研究價值,，基本沒有應(yīng)用價值,。上圖是簡單的外驅(qū)電路，R1D1用于調(diào)整死區(qū),。該電路的驅(qū)動能力較小,，在同步整流管的Ciss較小時，可以使用,。圖6是在圖5的基礎(chǔ)上增加副邊推挽驅(qū)動電路的結(jié)構(gòu),，可以驅(qū)動Ciss較大的MOSFET,。在輸出電壓低于5V時,，需要增加驅(qū)動電路供電電源。
第二種是自驅(qū)動同步整流,。優(yōu)點是直接由變壓器副邊繞組驅(qū)動或在主變壓器上加獨立驅(qū)動繞組,，電路簡單、成本低和自適應(yīng)驅(qū)動是主要優(yōu)勢,，在商業(yè)化產(chǎn)品中廣泛使用,。缺點是電路調(diào)試的柔性較少，在寬輸入低壓范圍時,，有些波形需要附加限幅整形電路才能滿足驅(qū)動要求,。由于Vgs的正向驅(qū)動都正比于輸出電壓，調(diào)節(jié)驅(qū)動繞組的匝數(shù)可以確定比例系數(shù),，且輸出電壓都是很穩(wěn)定的,，所以驅(qū)動電壓也很穩(wěn)定。比較麻煩的是負向電壓可能會超標,，需要在設(shè)計變壓器變比時考慮驅(qū)動負壓幅度,。
第三種是半自驅(qū)。其驅(qū)動波形的上升或下降沿,，一個是由主變壓器提供的信號,，另一個是獨立的外驅(qū)動電路提供的信號。上圖是針對自驅(qū)的負壓問題,，用單獨的放電回路,，提供同步整流管的關(guān)斷信號，避開了自驅(qū)動負壓放電的電壓超標問題。以上就是開關(guān)電源同步整流技術(shù),，相信對大家有所幫助,。