《電子技術(shù)應(yīng)用》
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東芝推出采用其最新一代工藝的80V N溝道功率MOSFET,,助力提高電源效率

–進一步擴展U-MOS X-H功率MOSFET系列產(chǎn)品線–
2020-03-30
來源:東芝電子
關(guān)鍵詞: 東芝 電源效率 MOSFET

  中國上海,,2020年3月30日——東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣布,其“U-MOS X-H系列”產(chǎn)品線新增采用其最新一代工藝制造而成的80V N溝道功率MOSFET--- TPH2R408QM和TPN19008QM,。新款MOSFET適用于數(shù)據(jù)中心和通信基站所用的工業(yè)設(shè)備的開關(guān)電源,。

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U-MOS X-H系列產(chǎn)品示意圖

  新增產(chǎn)品包括采用表面貼裝SOP Advance封裝的“TPH2R408QM”以及采用TSON Advance封裝的“TPN19008QM”。產(chǎn)品于今日開始出貨,。

  由于采用了其最新一代的工藝制造技術(shù),,與當前U-MOS Ⅷ-H系列中的80V產(chǎn)品相比,新款80V U-MOS X-H產(chǎn)品的漏源導通電阻降低了大約40%,。通過優(yōu)化器件結(jié)構(gòu),,漏源導通電阻與柵極電荷特性[1]之間的平衡也得到了進一步的改善[2]。因此,,新產(chǎn)品可提供業(yè)界最低[3]功耗,。

  東芝正在擴展其降耗型產(chǎn)品線,從而為降低設(shè)備功耗提供幫助,。

應(yīng)用:

  開關(guān)電源(高效AC-DC轉(zhuǎn)換器,、DC-DC轉(zhuǎn)換器等)

  電機控制設(shè)備(電機驅(qū)動等)

特性:

  業(yè)界最低功耗(通過改善導通電阻與柵極電荷特性[2]之間的平衡)

  業(yè)界最低導通電阻:

  RDS(ON)=2.43mΩ(最大值)@VGS=10V(TPH2R40QM)

  RDS(ON)=19mΩ(最大值)@VGS=10V(TPN19008QM)

  高額定通道溫度:Tch=175℃

主要規(guī)格:                                                           (除非另有說明,,@Ta=25℃)

圖片1.png

等線注釋:

  [1] 總柵極電荷(柵源+柵漏)、柵極開關(guān)電荷,、輸出電荷,。

  [2] 與TPH4R008NH(U-MOS Ⅷ-H系列)進行比較,TPH2R408QM的漏源導通電阻x總柵極電荷改善約為15%,、漏源導通電阻 x 柵極開關(guān)電荷改善約為10%,、漏源導通電阻x輸出電荷改善約為31%。

  [3] 截至2019年3月30日,,東芝調(diào)研,。

  


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