中國上海,，2024年2月22日——東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布,，在新一代^[1]具有超結(jié)結(jié)構(gòu)的DTMOSVI系列中推出高速二極管型功率MOSFET——DTMOSVI（HSD），該系列適用于包括數(shù)據(jù)中心和光伏功率調(diào)節(jié)器等應(yīng)用的開關(guān)電源,。首批采用TO-247封裝的兩款650 V N溝道功率MOSFET產(chǎn)品“TK042N65Z5”和“TK095N65Z5”,，于今日開始支持批量出貨。

　　新產(chǎn)品采用高速二極管,，旨在改善橋式電路和逆變電路應(yīng)用中至關(guān)重要的反向恢復(fù)^[2]特性,。與標(biāo)準(zhǔn)型DTMOSVI相比，新產(chǎn)品將反向恢復(fù)時間（t_rr）縮短了65 %,，并將反向恢復(fù)電荷（Q_rr）減少88 %（測試條件：-dI_DR/dt＝100 A/μs）,。

　　新產(chǎn)品采用的DTMOSVI（HSD）工藝改善了東芝DTMOSIV系列（DTMOSIV（HSD））的反向恢復(fù)特性，并在高溫下具有更低的漏極截止電流,。此外,，新產(chǎn)品的品質(zhì)因數(shù)“漏極-源極導(dǎo)通電阻×柵極-漏極電荷”也更低。相較于東芝現(xiàn)有的TK62N60W5^{[4] [5]}器件,，TK042N65Z5的高溫漏極截止電流降低了約90 %[3],，漏極-源極導(dǎo)通電阻×柵極-源極電荷降低了72 %。這將一進(jìn)步將降低功率損耗,，有助于提高產(chǎn)品效率,。在1.5 kW LLC電路^[6]測試中，與使用TK62N60W5相比,，使用TK042N65Z5可使電源效率提高約為0.4 %,。

　　即日起，客戶可在東芝網(wǎng)站上獲取使用TK095N65Z5的參考設(shè)計“1.6 kW服務(wù)器電源（升級版）”,。此外,，東芝還提供支持開關(guān)電源電路設(shè)計的相關(guān)工具。除能夠迅速驗證電路功能的G0 SPICE模型外,，現(xiàn)在還提供能夠準(zhǔn)確地再現(xiàn)電路瞬態(tài)特性的高精度G2 SPICE模型,。

　　東芝計劃在未來擴(kuò)展DTMOSVI（HSD）的產(chǎn)品線。新器件將采用TO-220和TO-220SIS通孔型封裝,，以及TOLL和DFN 8×8表貼型封裝,。

　　此外，在已推出的650 V和600 V產(chǎn)品以及新的高速二極管型產(chǎn)品基礎(chǔ)上,，東芝還將繼續(xù)擴(kuò)展DTMOSVI系列的產(chǎn)品線,，以提高開關(guān)電源的效率,，為設(shè)備節(jié)能做出貢獻(xiàn)。

　　標(biāo)準(zhǔn)型和高速二極管型650 V功率MOSFET的Q_rr比較

　　TK095N65Z5與TK35N65W5的I_DSS＠150 °C×t_rr比較

　　TK042N65Z5和TK62N60W5的R_DS（ON）×Q_gd比較

　　TK042N65Z5和TK62N60W5的效率比較

　　使用新產(chǎn)品的參考設(shè)計“1.6 kW服務(wù)器電源（升級版）”

　　電路板外觀

　　簡易方框圖

應(yīng)用

　　工業(yè)設(shè)備

　　-開關(guān)電源（數(shù)據(jù)中心服務(wù)器,、通信設(shè)備等）

　　-電動汽車充電站

　　-光伏發(fā)電機(jī)組的功率調(diào)節(jié)器

　　-不間斷電源系統(tǒng)

特點：

　　-新一代DTMOSVI系列高速二極管型產(chǎn)品

　　-高速二極管型產(chǎn)品的反向恢復(fù)時間：

　　TK042N65Z5 t_rr＝160 ns（典型值）

　　TK095N65Z5 t_rr＝115 ns（典型值）

　　-通過低柵漏電荷實現(xiàn)高速開關(guān)時間：

　　TK042N65Z5 Q_gd＝35 nC（典型值）

　　TK095N65Z5 Q_gd＝17 nC（典型值）

　　注：

　　[1] 截至2024年2月22日的東芝調(diào)查,。

　　[2] MOSFET體二極管從正向偏置切換到反向偏置的開關(guān)動作

　　[3] 數(shù)值由東芝測量得出：

　　-新產(chǎn)品TK042N65Z5為0.2 mA（測試條件：V_DS＝650 V、V_GS＝0 V,、T_a＝150 °C）

　　-現(xiàn)有產(chǎn)品TK62N60W5為1.9 mA（測試條件：V_DS＝600 V,、V_GS＝0 V、T_a＝150 °C）

　　[4] 600 V DTMOSIV（HSD）系列

　　[5] 數(shù)值由東芝測量得出,。

　　測試條件：

　　-TK62N60W5

　　R_DS（ON）：I_D＝30.9 A,、V_GS＝10 V、T_a＝25 °C

　　Q_gd：V_DD＝400 V,、V_GS＝10 V,、I_D＝61.8 A、T_a＝25 °C

　　-TK042N65Z5

　　R_DS（ON）：I_D＝27.5 A,、V_GS＝10 V,、T_a＝25 °C

　　Q_gd：V_DD＝400 V、V_GS＝10 V,、I_D＝55 A,、T_a＝25 °C

　　[6] 數(shù)值由東芝測量得出。

　　測試條件：V_in＝380 V,、V_out＝54 V,、T_a＝25 °C

　　[7] V_DSS＝600 V

更多精彩內(nèi)容歡迎點擊==>>電子技術(shù)應(yīng)用-AET<<