繁華的城市離不開LED燈的裝飾,相信大家都見過LED,,它的身影已經(jīng)出現(xiàn)在了我們的生活的各個地方,,也照亮著我們的生活。1.正向電壓降低,,暗光
A:一種是電極與發(fā)光材料為歐姆接觸,,但接觸電阻大,主要由材料襯底低濃度或電極缺損所致,。
B:一種是電極與材料為非歐姆接觸,,主要發(fā)生在芯片電極制備過程中蒸發(fā)第一層電極時的擠壓印或夾印,分布位置,。
另外封裝過程中也可能造成正向壓降低,主要原因有銀膠固化不充分,,支架或芯片電極沾污等造成接觸電阻大或接觸電阻不穩(wěn)定,。 正向壓降低的芯片在固定電壓測試時,通過芯片的電流小,,從而表現(xiàn)暗點,,還有一種暗光現(xiàn)象是芯片本身發(fā)光效率低,正向壓降正常,。
2.難壓焊:(主要有打不粘,,電極脫落,打穿電極)
A:打不粘:主要因為電極表面氧化或有膠
B:有與發(fā)光材料接觸不牢和加厚焊線層不牢,,其中以加厚層脫落為主,。
C:打穿電極:通常與芯片材料有關(guān),材料脆且強度不高的材料易打穿電極,,一般GAALAS材料(如高紅,,紅外芯片)較GAP材料易打穿電極.
D:壓焊調(diào)試應(yīng)從焊接溫度,超聲波功率,,超聲時間,,壓力,金球大小,,支架定位等進(jìn)行調(diào)整,。
3.發(fā)光顏色差異:
A:同一張芯片發(fā)光顏色有明顯差異主要是因為外延片材料問題,,ALGAINP四元素材料采用量子結(jié)構(gòu)很薄,生長是很難保證各區(qū)域組分一致,。(組分決定禁帶寬度,,禁帶寬度決定波長)。
B:GAP黃綠芯片,,發(fā)光波長不會有很大偏差,,但是由于人眼對這個波段顏色敏感,很容易查出偏黃,,偏綠,。由于波長是外延片材料決定的,區(qū)域越小,,出現(xiàn)顏色偏差概念越小,,故在M/T作業(yè)中有鄰近選取法。
C:GAP紅色芯片有的發(fā)光顏色是偏橙黃 色,,這是由于其發(fā)光機理為間接躍進(jìn),。受雜質(zhì)濃度影響,電流密度加大時,,易產(chǎn)生雜質(zhì)能級偏移和發(fā)光飽和,,發(fā)光是開始變?yōu)槌赛S色。
4.閘流體效應(yīng):
A:是發(fā)光二極管在正常電壓下無法導(dǎo)通,,當(dāng)電壓加高到一定程度,,電流產(chǎn)生突變。
B:產(chǎn)生閘流體現(xiàn)象原因是發(fā)光材料外延片生長時出現(xiàn)了反向夾層,,有此現(xiàn)象的LED在IF=20MA時測試的正向壓降有隱藏性,,在使用過程是出于兩極電壓不夠大,表現(xiàn)為不亮,,可用測試信息儀器從晶體管圖示儀測試曲線,,也可以通過小電流IF=10UA下的正向壓降來發(fā)現(xiàn),小電流下的正向壓降明顯偏大,,則可能是該問題所致,。
5.反向漏電:
A:原因:外延材料,芯片制作,,器件封裝,,測試一般5V下反向漏電流為10UA,也可以固定反向電流下測試反向電壓,。
B:不同類型的LED反向特性相差大:普綠,,普黃芯片反向擊穿可達(dá)到一百多伏,而普芯片則在十幾二十伏之間,。
C:外延造成的反向漏電主要由PN結(jié)內(nèi)部結(jié)構(gòu)缺陷所致,,芯片制作過程中側(cè)面腐蝕不夠或有銀膠絲沾附在測面,,嚴(yán)禁用有機溶液調(diào)配銀膠。以防止銀膠通過毛細(xì)現(xiàn)象爬到結(jié)區(qū),。做到在LED顯示屏產(chǎn)品上符合高可靠的要求,,生產(chǎn)廠家還需要發(fā)更多時間,更多精力去往這方面發(fā)展,,我相信,,未來的LED顯示屏行業(yè)技術(shù)將越來越精湛,發(fā)展將無可限量.