根據集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)調查,，中國NAND Flash廠商長江存儲(YMTC)已在第一季將128層3D NAND樣品送交存儲控制器廠商,，目標第三季進入投片,、年底前量產,，擬用于UFS,、SSD等各類終端產品,，并同時出貨給模組廠,?？剂靠蛻魧霑r程,，預估長江存儲新產品可能率先影響第四季Wafer市場合約價，并自2021年起對Client SSD,、eMMC/UFS等市場供給產生實質貢獻,，在供給增加的情況下，價格下跌的可能性也將提高,。

　　集邦咨詢表示,，受到疫情影響，智能手機及筆記本電腦等終端需求將受到不小沖擊,，并對NAND Flash主流供應商獲利能力造成影響,，抑制未來持續(xù)擴產的幅度。相較之下,，長江存儲目前在各類應用的市占規(guī)模仍小,，因此受疫情影響較低。當前目標將著重于與OEM進行64層TLC的相關產品導入及提升良率,，并趕在今年內送交128層產品樣品,，將同時包含TLC以及QLC產品，以擴大客戶基礎,。

　　3D NAND堆棧難度漸增,，有利長江存儲縮小差距

　　隨著3D NAND Flash堆棧達到90層以上，主要供應商在更高層數蝕刻及堆棧技術的發(fā)展難度逐漸增加,。觀察各供應商的技術路線圖,，在1XX層的產品世代已有分歧：盡管三星(Samsung)、SK海力士(SK Hynix)已推出128層產品,，但鎧俠/西數(Kioxia/WD),、美光(Micron)、英特爾(Intel)的112/128/144層產品要到下半年才會放量,，相比前幾代3D NAND產品的發(fā)展進程來得更久,，有利于長江存儲的128層產品迎頭趕上,。

　　除此之外，2019年NAND Flash的價格平均跌幅達46%,，導致主要供應商陷入虧損,，資本支出因而轉為保守，產出增長規(guī)劃亦創(chuàng)下歷史新低,，這也讓長江存儲有了拉近差距的機會,。

　　2021年長江存儲產能預估占整體NAND Flash約8%

　　身為新進供應商的長江存儲目前擁有武漢廠，今年目標是成都廠開始投產,，并逐步完成武漢廠區(qū)剩余二座廠房的興建與擴產,。除了擴張規(guī)劃積極，長江存儲也是國家大基金的重點扶植廠商,，可以預期NAND Flash市場競爭將更為嚴峻,，長期價格面臨持續(xù)走跌的壓力。